This method comprises steps of (a) supplying a semiconductor substrate into a reactor; (b) supplying a first precursor gas into the reactor in a pulse state; (c) supplying a second precursor gas into the reactor in a pulse state; (d) supplying an inert atmosphere into the reactor; and (e) repeating the steps of (b) to (d).例文帳に追加

この方法は、ｆ’）半導体基板を反応器内に供給するステップと、ｇ’）第１の前駆体ガスをパルス状で反応器内に供給するステップと、ｈ’）第２の前駆体ガスをパルス状で反応器内に供給するステップと、ｉ’）不活性雰囲気を反応器内に供給するステップと、ｊ’）ステップ（ｇ）からステップ（ｉ）までを繰り返すステップとを含んでいる。 - 特許庁

As one embodiment, the substrate having a surface is supplied to a reaction chamber and a vaporized noble metal precursor is charged pulse in the reaction chamber.例文帳に追加

本発明の一実施形態によれば、表面を有する基板を反応室内に供給し、気化した貴金属前駆体を反応室内にパルス送入する。 - 特許庁

By three-dimensionally moving the XYZ stage 4 while irradiating the film with the pulse laser light, the condensed light point P of the pulse laser light is relatively moved in the polyimide precursor film 5 to form a refractive index varied three-dimensional region S along the movement locus of the condensed light point P as a continuous or discontinuous region having the refractive index higher than that in other part.例文帳に追加

そして、このようなパルスレーザ光の照射とともにＸＹＺステージ４を３次元的に移動させると、パルスレーザ光の集光点Ｐが、ポリイミド前駆体皮膜５の内部において相対的に移動し、その集光点Ｐの移動軌跡に沿って、その他の部分よりも屈折率が高くなる連続または不連続な領域として、屈折率変化領域Ｓが３次元的に形成される。 - 特許庁

Pulse laser light is continuously or discontinuously emitted from a light source 1, made to irradiate a condenser lens 3 via a reflection mirror 2, and condensed from the condenser lens 3 into the inner part of the polyimide precursor film 5.例文帳に追加

次いで、光源１から、パルスレーザ光を連続または不連続に発光させて、そのパルスレーザ光を反射鏡２を介して集光レンズ３に照射し、その集光レンズ３から、ポリイミド前駆体皮膜５の内部に集光させる。 - 特許庁

According to the invention, the gate lamination layer is deposited by the atomic layer depositing method type processing, and whole electronegativity of the gate electrode is adjusted by introducing at least one pulse of an additional precursor into the selected deposition cycle of the gate electrode.例文帳に追加

本発明によると、ゲート積層は原子層堆積法のタイプの処理によって堆積され、ゲート電極の全体的電気陰性度は、ゲート電極の選択した堆積サイクルに少なくとも１回の追加前駆体のパルスを導入することによって調整される。 - 特許庁

This method for producing an electrically conductive sintered body comprises a heating step for heating an object to be processed containing a powder composed of an electrically conductive material or its precursor by using an external heating means and an electrification step for applying a direct current or direct current pulse to the object simultaneously with the heating of the object.例文帳に追加

本発明に係る導電性焼結体の製造方法は、導電性材料又はその前駆体からなる粉末を含む被加工体を、外部加熱手段を用いて加熱する加熱工程と、前記被加工体の加熱と同時に、前記被加工体に直流電流又は直流パルスを印加する通電工程とを備えている。 - 特許庁

A nitride semiconductor 1 containing In that is an active layer is stored in a reaction vessel 10, the nitride semiconductor is held at temperature for preventing the crystal quality from deteriorating, the precursor and p-type dopant of the grown p-type nitride semiconductor 2 are supplied into the reaction vessel, and pulse laser beams 3 are applied to the surface of the nitride semiconductor 1.例文帳に追加

活性層であるＩｎを含む窒化物半導体１を反応容器１０内に収容し、窒化物半導体をその結晶品質が低下しない温度に保持しながら、成長させるｐ型窒化物半導体２の前駆体とｐ型ドーパントを反応容器内に供給し、同時に窒化物半導体１の表面にパルスレーザ３を照射する。 - 特許庁