pseudo-substrateとは 意味・読み方・使い方

A pseudo adhesive label 10 is formed by laminating a surface substrate, a pseudo adhesive layer to be pseudo-bonded to the surface substrate, and a pressure-sensitive adhesive layer in this order.例文帳に追加

擬似接着ラベル１０は、表面基材、表面基材に擬似接着される擬似接着層、及び粘着剤層がこの順に積層されたものである。 - 特許庁

The temperature of the measured substrate may be estimated from the temperature of the pseudo-substrate by previously constructing a relative model of a temperature rising characteristic on the pseudo-substrate in relation to the temperature rising characteristic of the substrate to be treated.例文帳に追加

前記熱処理対象基板の昇温特性に対する擬似基板の昇温特性の相対モデルを構築しておき、擬似基板温度から計測基板の温度を推定するようにしてもよい。 - 特許庁

Further, the substrate voltage is adjusted until it is discriminated that the pseudo signal component is zero.例文帳に追加

また、その擬信号成分がゼロと判断できるまで基板電圧を調整する。 - 特許庁

The pseudo adhesive label 10 is formed by laminating a surface substrate, a pseudo adhesive layer joined to the surface substrate artificially, and an adhesive agent layer in this order.例文帳に追加

擬似接着ラベル１０は、表面基材、表面基材に擬似接着される擬似接着層、及び粘着剤層がこの順に積層されて構成する。 - 特許庁

To provide a pseudo adhesive label which hardly causes tear on a surface substrate at positions other than a cutting line when the surface substrate is peeled off from a pseudo adhesive layer and has excellent workability.例文帳に追加

擬似接着層から表面基材を剥離する際、断裁線以外の箇所で表面基材に破れが生じにくく、作業性の良い擬似接着ラベルを提供する。 - 特許庁

To provide a pseudo adhesive label which hardly causes tear on a surface substrate at positions other than a separation line when the surface substrate is peeled off from a pseudo adhesive layer and has excellent workability.例文帳に追加

擬似接着層から表面基材を剥離する際、分離線以外の箇所で表面基材に破れが生じにくく、作業性の良い擬似接着ラベルを提供する。 - 特許庁

To provide a pseudo adhesive label in which breakage is rarely generated on a surface substrate at places other than a cutting line when peeling the surface substrate from a pseudo adhesive layer, and which has good workability.例文帳に追加

擬似接着層から表面基材を剥離する際、断裁線以外の箇所で表面基材に破れが生じにくく、作業性の良い擬似接着ラベルを提供する。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor device comprises steps of forming a pseudo film on a semiconductor substrate, forming a gate electrode spanning the pseudo film, removing the pseudo film, forming a gate insulating film having metal atoms in a gap once formed by the pseudo film, and forming a source/drain region on the surface of the semiconductor substrate with the gate electrode disposed therebetween.例文帳に追加

本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板上に疑似膜を形成する工程と、疑似膜を跨ぐゲート電極を形成する工程と、疑似膜を除去する工程と、疑似膜の形成していた空隙に金属原子を有するゲート絶縁膜を形成する工程と、ゲート電極を挟む半導体基板表面にソース／ドレイン領域を形成する工程とを備えることを特徴とする。 - 特許庁