radical 101とは 意味・読み方・使い方

The cleaning gas, which has been turned into a plasma by a radical generator 110 provided outside a chamber 101 of the processing equipment, is introduced into the chamber 101 to conduct cleaning.例文帳に追加

処理装置のチャンバ１０１の外部に備えられたラジカル発生装置１１０によりプラズマ化されたクリーニングガスをチャンバ１０１内に導入して、クリーニングを行う。 - 特許庁

A reaction chamber 119 is provided between the reaction chamber 101 and the main exhaust valve 122, exhaust gas from the reaction chamber 101 is ionized in the reaction chamber, and this arrangement is formed to cause oxidative radical.例文帳に追加

反応室１０１と主排気弁１２２との間には、反応室１１９が設けられ、反応室内において、反応室１０１からの排気ガスにプラズマ処理が行われると共に、酸化性のラジカルが発生するように構成されている。 - 特許庁

A treatment chamber 101 is a chamber performing radical treatment on the surface of a processed substrate 102 of semiconductor, or the like, and a gas introduction means 105 is provided between a region 111 where radicals are generated by a radical generating means 108 and a means 103 for supporting the processed substrate.例文帳に追加

処理室１０１は、半導体等の被処理基体１０２の表面のラジカル処理を行う室であり、ガス導入手段１０５は、ラジカル生成手段１０８により生成されるラジカル生成領域１１１と、被処理基体支持手段１０３との間に設けられる。 - 特許庁

(R^101, R^102 represent, independently, an alkyl radical, an aryl group, a heteroaryl group, a fluorine atom or a silyl group, and may be substituted with these group or an amino group. A^A1-A^A9 represent, independently, CH(hydrogen atom of CH may be substituted with R^102) or a nitrogen atom).例文帳に追加

（Ｒ^101、Ｒ^102はそれぞれ独立にアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、フッ素原子又はシリル基を表し、さらにこれらの基またはアミノ基で置換されていてもよい。Ａ^A1〜Ａ^A9は夫々独立にＣＨ（ＣＨの水素原子はＲ^102で置換されていてもよい）又は窒素原子を表す）。 - 特許庁

The method of manufacturing a semiconductor memory device includes steps of: forming a floating gate electrode FG above a semiconductor substrate 101; forming an electrode-to-electrode insulating film 108 above the floating gate electrode FG; forming a radical nitride film 109 on the surface of the insulating film 108 through radical nitriding; and forming a control gate electrode CG on the radical nitride film 109.例文帳に追加

半導体記憶装置の製造方法は、半導体基板１０１の上方に浮遊ゲート電極ＦＧを形成する工程と、この浮遊ゲート電極ＦＧの上方に電極間絶縁膜１０８を形成する工程と、ラジカル窒化により、電極間絶縁膜１０８の表面にラジカル窒化膜１０９を形成する工程と、このラジカル窒化膜１０９上に制御ゲート電極ＣＧを形成する工程とを具備する。 - 特許庁

The organic radical compound as the active material is a nitroxyl compound which has an N-oxoammonium cation partial structure in an oxidization state and a nitroxyl radical partial structure in a reduction state, and the electrode has a plurality of holes 108 in an electrode active material layer 101 formed on a collector 102.例文帳に追加

活物質としての有機ラジカル化合物は、酸化状態においてＮーオキソーアンモニウムカチオン部分構造をとり、還元状態においてニトロキシルラジカル部分構造をとるニトロキシル化合物であり、集電体１０２上に形成された電極活物質層１０１中に複数の孔１０８を有する。 - 特許庁

In the surface reforming process, oxygen plasma is generated in the vacuum chamber 101 of this plasma treatment device 100 by using a gas containing oxygen, an oxygen ion irradiating process applied to an oxygen ion (o^-) to the pixel electrode 4, and an oxygen radical irradiating process to irradiate an oxygen radical (o^*) to the pixel electrode 4 are performed.例文帳に追加

表面改質工程では、酸素を含むガスを用いてプラズマ処理装置１００の真空チャンバ１０１内に酸素プラズマを発生させ、画素電極４に酸素イオン（Ｏ^-）を照射する酸素イオン照射工程と、画素電極４に酸素ラジカル（Ｏ^*）を照射する酸素ラジカル照射工程とを行う。 - 特許庁