recombination currentとは 意味・読み方・使い方

To improve detection sensitivity by reducing a recombination current in an interface when an SOI substrate is used.例文帳に追加

ＳＯＩ基板を用いる場合に、界面での再結合電流を低減して検出感度の向上を図れるようにする。 - 特許庁

Thereby, in a depletion layer of an emitter/base junction, the formation of recombination centers due to C can be suppressed, improvements in the electrical characteristics, including current amplification caused by the reduction of a recombination current can be achieved while maintaining low- voltage drive characteristics.例文帳に追加

これにより、エミッタ・ベース接合部の空乏層において、Ｃによる再結合中心の形成を抑制し、低電圧駆動性を維持しつつ、再結合電流の低減による電流増倍率などの電気的特性の改善を実現する。 - 特許庁

To provide a heterojunction bipolar transistor of a structure, wherein a leakage current in a base layer due to the recombination between an emitter layer and an emitter cap layer is reduced and a current gain can be increased.例文帳に追加

エミッタ層とエミッタキャップ層との間の再結合に起因するベース漏れ電流を低下させ、電流利得を向上できるヘテロ接合バイポーラトランジスタを提供する。 - 特許庁

Thus, recombination adjacent to the emitter layer 6 can be greatly reduced while avoiding the deterioration of a current gain due to the leakage of a current beforehand.例文帳に追加

これによって、エミッタ層６近傍における再結合を大幅に減少させることができるため、電流漏れによる電流利得の低下を未然に回避することができる。 - 特許庁

To provide a heterobipolar transistor, in which the recombination current between the emitter-base is suppressed, while realizing a lower drive voltage taking advantage of using an SiGeC layer, to enhance characteristics, such as current gain.例文帳に追加

ＳｉＧｅＣ層を利用した低駆動電圧化を図りつつ、エミッタ・ベ−ス間の再結合電流を抑制し、電流増倍率などの特性の高いヘテロバイポーラトランジスタを提供する。 - 特許庁

To provide a hetero-bipolar transistor which can suppress a recombination current between an emitter and a base and can have characteristics of high-current amplification and the like while lowering a drive voltage using an SiGeC layer.例文帳に追加

ＳｉＧｅＣ層を利用した低駆動電圧化を図りつつ、エミッタ・ベ−ス間の再結合電流を抑制し、電流増倍率などの特性の高いヘテロバイポーラトランジスタを提供する。 - 特許庁

To provide a heterojunction bipolar transistor having narrow band gap characteristics capable of suppressing recombination current generation, and to provide a manufacturing method.例文帳に追加

再結合電流発生の抑制が可能である，ナローバンドギャップ特性を有するヘテロ接合型バイポーラトランジスタおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor epitaxial wafer wherein concentration of a level which is the recombination center between a base layer and an emitter layer is small and current amplification factor is large.例文帳に追加

ベース層とエミッタ層との間で再結合中心となる準位の濃度が小さく電流増幅率が大きな半導体エピタキシャルウエハを提供すること。 - 特許庁