refresh typeとは 意味・読み方・使い方

To provide the refresh method of a NAND type flash memory device which does not apply an excessive load to the controller of the device.例文帳に追加

デバイスのコントローラに過大な負荷を掛ることのない、NAND型フラッシュメモリデバイスのリフレッシュ方法の提供。 - 特許庁

Lastly, after completing the writing, the synchronous-type DRAM device is set from the refresh mode into the normal mode.例文帳に追加

最後に、書込みが完了たし後に、同期型ＤＲＡＭ装置はリフレッシュモードからノーマルモードに設定される。 - 特許庁

To provide a refresh-period being suitable for a refresh-holding characteristic time without being affected by dispersion by manufacturing and without requiring a test time for characteristics measurement of large scale before adjustment of a refresh-time, and a synchronous type semiconductor memory in which current consumption in refresh-operation can be reduced.例文帳に追加

製造ばらつきに影響されることなく、リフレッシュ時間の調整前に多大な特性測定のための試験時間を要することもなく、リフレッシュ保持特性時間に最適なリフレッシュ周期を提供し、リフレッシュ動作における消費電流の低減を図ることができる同期型半導体記憶装置を提供すること。 - 特許庁

In a data writing method for the synchronous- type flash memory device with the shared system bus, the synchronous-type DRAM device is set firstly from a normal mode into a refresh mode.例文帳に追加

システムバスを共有する同期型フラッシュメモリ装置のデータ書込み方法では、同期型ＤＲＡＭ装置が先ずノーマルモードからリフレッシュモードに設定される。 - 特許庁

To improve processing efficiency of a logic circuit by extending a refresh period of a DRAM, with respect to a DRAM mixed type semiconductor device.例文帳に追加

ＤＲＡＭ混載型半導体装置においてＤＲＡＭのリフレッシュ周期を伸ばし、以てロジック回路の処理効率を向上させる。 - 特許庁

To provide a semiconductor storage device for improving the refresh control of a dynamic type semiconductor storage device and shortening test time.例文帳に追加

ダイナミック型半導体記憶装置のリフレッシュ制御を改良し、テスト時間の短縮を図る半導体記憶装置の提供。 - 特許庁

A system of the present invention is provided with a synchronous-type flash memory device 100, a synchronous-type DRAM device 200 having a refresh mode, and a microprocessor 300 for controlling operations of both of these devices.例文帳に追加

本発明のシステムには、同期型フラッシュメモリ装置100、リフレッシュモードを有する同期型ＤＲＡＭ装置200、両装置の動作を制御するためのマイクロプロセッサ300が提供される。 - 特許庁

To disclose such a technology that a data maintaining (Retention) property can be improved without losing a refresh information even when a power source is OFF state, by applying 1T-FET type (1 transistor-Field Effect Transistor Type) ferroelectric memory cell having nonvolatile property to DRAM.例文帳に追加

本発明は、不揮発性特性を有する1T-FET型(1 transistor-Field Effect Transistor Type)強誘電体メモリセルをDRAMに適用して電源のオフ時にもリフレッシュ情報を失わず、データ維持(Retention)特性を向上させることができるようにする技術を開示する。 - 特許庁