「refresh type」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To provide a dynamic type semiconductor memory, and a refresh control method in which request frequency of a refresh command is reduced, while time division operation is not required.例文帳に追加

リフレッシュコマンドの要求頻度を下げると共に、時分割動作を必要としないダイナミック型半導体メモリおよびそのリフレッシュ制御方法の提供を図る。 - 特許庁

To provide a refresh control method for dynamic type semiconductor memories that can reduce the request frequency of refresh commands and dispense with time division operations.例文帳に追加

リフレッシュコマンドの要求頻度を下げると共に、時分割動作を必要としないダイナミック型半導体メモリのリフレッシュ制御方法の提供を図る。 - 特許庁

To provide the refresh method of a NAND type flash memory device which does not apply an excessive load to the controller of the device.例文帳に追加

デバイスのコントローラに過大な負荷を掛ることのない、NAND型フラッシュメモリデバイスのリフレッシュ方法の提供。 - 特許庁

Lastly, after completing the writing, the synchronous-type DRAM device is set from the refresh mode into the normal mode.例文帳に追加

最後に、書込みが完了たし後に、同期型ＤＲＡＭ装置はリフレッシュモードからノーマルモードに設定される。 - 特許庁

To provide a refresh-period being suitable for a refresh-holding characteristic time without being affected by dispersion by manufacturing and without requiring a test time for characteristics measurement of large scale before adjustment of a refresh-time, and a synchronous type semiconductor memory in which current consumption in refresh-operation can be reduced.例文帳に追加

製造ばらつきに影響されることなく、リフレッシュ時間の調整前に多大な特性測定のための試験時間を要することもなく、リフレッシュ保持特性時間に最適なリフレッシュ周期を提供し、リフレッシュ動作における消費電流の低減を図ることができる同期型半導体記憶装置を提供すること。 - 特許庁

In a data writing method for the synchronous- type flash memory device with the shared system bus, the synchronous-type DRAM device is set firstly from a normal mode into a refresh mode.例文帳に追加

システムバスを共有する同期型フラッシュメモリ装置のデータ書込み方法では、同期型ＤＲＡＭ装置が先ずノーマルモードからリフレッシュモードに設定される。 - 特許庁

To improve processing efficiency of a logic circuit by extending a refresh period of a DRAM, with respect to a DRAM mixed type semiconductor device.例文帳に追加

ＤＲＡＭ混載型半導体装置においてＤＲＡＭのリフレッシュ周期を伸ばし、以てロジック回路の処理効率を向上させる。 - 特許庁

To provide a semiconductor storage device for improving the refresh control of a dynamic type semiconductor storage device and shortening test time.例文帳に追加

ダイナミック型半導体記憶装置のリフレッシュ制御を改良し、テスト時間の短縮を図る半導体記憶装置の提供。 - 特許庁

A system of the present invention is provided with a synchronous-type flash memory device 100, a synchronous-type DRAM device 200 having a refresh mode, and a microprocessor 300 for controlling operations of both of these devices.例文帳に追加

本発明のシステムには、同期型フラッシュメモリ装置100、リフレッシュモードを有する同期型ＤＲＡＭ装置200、両装置の動作を制御するためのマイクロプロセッサ300が提供される。 - 特許庁

To disclose such a technology that a data maintaining (Retention) property can be improved without losing a refresh information even when a power source is OFF state, by applying 1T-FET type (1 transistor-Field Effect Transistor Type) ferroelectric memory cell having nonvolatile property to DRAM.例文帳に追加

本発明は、不揮発性特性を有する1T-FET型(1 transistor-Field Effect Transistor Type)強誘電体メモリセルをDRAMに適用して電源のオフ時にもリフレッシュ情報を失わず、データ維持(Retention)特性を向上させることができるようにする技術を開示する。 - 特許庁

To provide technology for improving the refresh characteristics of memory cells and reducing the occurrence of a kink phenomenon in the p- channel type MISFET of a peripheral circuit.例文帳に追加

メモリセルのリフレッシュ特性を向上させ、周辺回路のｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴのキンク現象の発生の低減させる技術を提供する。 - 特許庁

To provide an aerosol type water-in-oil type emulsion makeup cosmetic which excels in redispersibility without gelling, has good spreadability and no slime, and excels in a phase inversion feeling from a cooling feeling to a refresh feeling during application.例文帳に追加

ゲル化せず再分散性に優れるとともに、伸びがよく、ぬめりもなく、塗布中における冷却感から清涼感への転相感に優れるエアゾール型の油中水型乳化メーキャップ用化粧料を提供する。 - 特許庁

To enable processing a refresh-cycle and an external read/write access cycle in parallel in a dynamic type memory device to/from which data is inputted/outputted to the outside through a data buffer register.例文帳に追加

データ・バッファ・レジスタを介して外部とデータを入出力するダイナミック型メモリ装置において、リフレッシュ・サイクルと外部リード/ライト・アクセス・サイクルとを並行処理可能にする。 - 特許庁

The moving picture distribution testing device includes: a moving packet simulator for simulating a packet loss by each moving picture stream sectioned by refresh; a moving picture frame header detection section; and a frame prediction type detection section.例文帳に追加

リフレッシュによって区切られた動画ストリーム毎にパケット損失をシミュレートする動画パケットシミュレータと、動画フレームヘッダ検出部と、フレーム予測タイプ検出部と、を備える。 - 特許庁

Whether to request retransmission is determined using the read time information of the refresh data, the packet type information of the retransmission requested packet and its time information.例文帳に追加

読み出したリフレッシュデータの時間情報と、再送要求のあったパケットのパケットタイプ情報と、その時間情報を用いて再送要求を行うか否かを判断する。 - 特許庁

The section 18 determines whether or not retransmission request should be performed using the time information of the refresh data, the packet type information of the packet for which the retransmission request is issued and its time information which have been read.例文帳に追加

読み出したリフレッシュデータの時間情報と、再送要求のあったパケットのパケットタイプ情報と、その時間情報を用いて再送要求を行うか否かを判断する。 - 特許庁

To provide a dynamic type semiconductor memory device being refresh-controlled, or not which has an interface having interchangeability with a static random access memory and can perform stably internal operation.例文帳に追加

スタティック・ランダム・アクセス・メモリと互換性を有するインターフェイスを有しかつ安定に内部動作を行なうことのできるリフレッシュ制御フリーのダイナミック型半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

Upon receiving the retransmission request information, the retransmission determining section 18 reads time information of refresh data, packet type information of a retransmission requested packet and its time information from a packet information monitoring section 17.例文帳に追加

再送判定部１８は再送要求情報を受け取ると、パケット情報監視部１７よりリフレッシュデータの時間情報と、再送要求のあったパケットのパケットタイプ情報と、その時間情報を読み出す。 - 特許庁

Upon receiving the retransmission request information, the retransmission determining section 18 reads the time information of refresh data, the packet type information of a packet for which the retransmission request is issued and its time information from a packet information monitoring section 17.例文帳に追加

再送判定部１８は再送要求情報を受け取ると、パケット情報監視部１７よりリフレッシュデータの時間情報と、再送要求のあったパケットのパケットタイプ情報と、その時間情報を読み出す。 - 特許庁

As a result, negative electric charges formed on the interface of the light oxide films 11a and 11b, the sidewall film 12 of the upper layer thereof and a sidewall spacer 16 can be reduced, the refresh characteristics of memory cells can be improved, and the occurrence of the kink phenomenon in the p-channel type MISFET of the peripheral circuit can be reduced.例文帳に追加

その結果、ライト酸化膜１１ａ、１１ｂとその上層のサイドウォール膜１２およびサイドウォールスペーサ１６との界面に形成される負電荷量を低減させることができ、メモリセルのリフレッシュ特性を向上させ、周辺回路のｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴのキンク現象の発生の低減させることができる。 - 特許庁