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resist materialsとは 意味・読み方・使い方
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「resist materials」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 109件
RESIN COMPOSITION, SOLDER-RESIST RESIN COMPOSITION AND THEIR CURING MATERIALS例文帳に追加
樹脂組成物、ソルダーレジスト樹脂組成物及びこれらの硬化物 - 特許庁
To provide an episulfide resin which can be used in the fields of semiponductor encapsulating materials, laminating materials, resist inks, adhesives, casting materials coating materials and electrical insulating materials, etc.例文帳に追加
半導体封止材料、積層材料、レジストインキ、接着剤、注型材料、塗料及び電機絶縁材料等の分野で利用できるエピサルファイド樹脂を提供する。 - 特許庁
The present invention also relates to a corresponding resist material 250, a set of resist materials, usages of such materials and a method for setting up a lithographic processing.例文帳に追加
本発明は、また、対応のレジスト材料250、レジスト材料群、そのような材料の使用、及びリソグラフィー処理の組立方法に関する。 - 特許庁
The adhesive layer 8 and the resist layer 4 are formed of different materials.例文帳に追加
そして前記接着層8と前記レジスト層4は異なる材料で形成される。 - 特許庁
Additionally, the strip of resist layer is formed by the same quality of materials and process as a resist layer for securing the insulating properties among other electronic components.例文帳に追加
また、帯状レジスト層は、他の電子部品間の絶縁性を確保するレジスト層と同じ材質と同じ工程で形成する。 - 特許庁
The adhesive layer 8 and the resist layer 4 are formed of the same kind of materials.例文帳に追加
そして前記接着層8と前記レジスト層4は同種の材料で形成される。 - 特許庁
The resist film 301 is washed by using a washing liquid to remove (S6)foreign materials such as potassium bromide sticking to the resist film 301.例文帳に追加
洗浄液を用いてレジスト膜301を洗浄し、レジスト膜301に付着した臭化カリウム等の異物を除去する(S6)。 - 特許庁
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「resist materials」の部分一致の例文検索結果
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Most of foreign materials (resist film pieces) scattered from the resist film in the portion of the exposure spot ES by foaming are stuck on the cover 13.例文帳に追加
露光スポットESの部分のレジスト膜から発泡によって飛び散る飛散異物(レジスト膜片)の多くは、カバー13上に付着する。 - 特許庁
To provide an allyl ether derivative usable for various materials such as resist materials and low-shrinkage materials, and provide a method for easily producing the derivative and a precursor of the derivative.例文帳に追加
レジスト材料や低収縮化材料等の各種材料に利用可能なアリルエーテル誘導体、それを容易に得るための新規な製造方法と前駆体を提供する。 - 特許庁
To provide a negative resist material having higher resolution than conventional negative resist materials, giving a good pattern profile after exposure, and exhibiting excellent etching resistance, particularly a chemically amplified negative resist material and a pattern forming method.例文帳に追加
下記一般式(1)で示される繰り返し単位を有し、重量平均分子量が1,000〜500,000である高分子化合物を含むことを特徴とするネガ型レジスト材料。 - 特許庁
To provide a resist composition for liquid immersion lithography excellent in solubility of resist materials, a resist pattern forming method using the resist composition for liquid immersion lithography, and a fluorine-containing resin useful as an additive for use in the resist composition for liquid immersion lithography.例文帳に追加
レジスト材料の溶解性に優れた液浸露光用レジスト組成物、該液浸露光用レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法および当該液浸露光用レジスト組成物に用いる添加剤として有用な含フッ素化合物を提供すること。 - 特許庁
To solve the problem in which two electrodes are apt to be short- circuited when an electronic device is mounted, and the electrodes are lifted or separated due to the generation of gas from heated resist materials or the expansion of the heated resist materials.例文帳に追加
実装時に2つの電極がショートし易いという問題と、発熱に起因するレジスト材料からのガスの発生や膨れに起因する電極の浮きや剥がれの問題を解決する。 - 特許庁
Particularly preferred photoresists can exhibit reduced leaching of resist materials into an immersion fluid in contact with the resist layer during immersion lithography processing.例文帳に追加
特に好ましい本発明のフォトレジストは、液浸リソグラフィー処理中にレジスト層に接触する液浸液中へのレジスト物質の滲出を軽減することができる。 - 特許庁
To provide a resist composite for immersion lithography capable of inhibiting dissolution of materials during immersion lithography and excellent also in lithography characteristics, and a resist pattern forming method.例文帳に追加
液浸露光時の物質溶出を抑制でき、リソグラフィー特性にも優れた液浸露光用レジスト組成物およびレジストパターン形成方法を提供する。 - 特許庁
Particularly a preferred photoresist can exhibit reduced leaching of resist materials into an immersion fluid contacting the resist layer during immersion lithography processing.例文帳に追加
本発明の特に好ましいフォトレジストは液浸リソグラフィー処理中のレジスト層と接触する液浸液中への、レジスト物質の滲出を低下させることができる。 - 特許庁
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