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resist materialsとは 意味・読み方・使い方
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「resist materials」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 109件
The present invention also relates to a corresponding resist material 250, a set of resist materials, usages of such materials and a method for setting up a lithographic processing.例文帳に追加
本発明は、また、対応のレジスト材料250、レジスト材料群、そのような材料の使用、及びリソグラフィー処理の組立方法に関する。 - 特許庁
RESIN COMPOSITION, SOLDER-RESIST RESIN COMPOSITION AND THEIR CURING MATERIALS例文帳に追加
樹脂組成物、ソルダーレジスト樹脂組成物及びこれらの硬化物 - 特許庁
To provide an episulfide resin which can be used in the fields of semiponductor encapsulating materials, laminating materials, resist inks, adhesives, casting materials coating materials and electrical insulating materials, etc.例文帳に追加
半導体封止材料、積層材料、レジストインキ、接着剤、注型材料、塗料及び電機絶縁材料等の分野で利用できるエピサルファイド樹脂を提供する。 - 特許庁
Most of foreign materials (resist film pieces) scattered from the resist film in the portion of the exposure spot ES by foaming are stuck on the cover 13.例文帳に追加
露光スポットESの部分のレジスト膜から発泡によって飛び散る飛散異物(レジスト膜片)の多くは、カバー13上に付着する。 - 特許庁
Additionally, the strip of resist layer is formed by the same quality of materials and process as a resist layer for securing the insulating properties among other electronic components.例文帳に追加
また、帯状レジスト層は、他の電子部品間の絶縁性を確保するレジスト層と同じ材質と同じ工程で形成する。 - 特許庁
The resist film 301 is washed by using a washing liquid to remove (S6)foreign materials such as potassium bromide sticking to the resist film 301.例文帳に追加
洗浄液を用いてレジスト膜301を洗浄し、レジスト膜301に付着した臭化カリウム等の異物を除去する(S6)。 - 特許庁
The adhesive layer 8 and the resist layer 4 are formed of the same kind of materials.例文帳に追加
そして前記接着層8と前記レジスト層4は同種の材料で形成される。 - 特許庁
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「resist materials」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 109件
The adhesive layer 8 and the resist layer 4 are formed of different materials.例文帳に追加
そして前記接着層8と前記レジスト層4は異なる材料で形成される。 - 特許庁
To provide a resist composition for liquid immersion lithography excellent in solubility of resist materials, a resist pattern forming method using the resist composition for liquid immersion lithography, and a fluorine-containing resin useful as an additive for use in the resist composition for liquid immersion lithography.例文帳に追加
レジスト材料の溶解性に優れた液浸露光用レジスト組成物、該液浸露光用レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法および当該液浸露光用レジスト組成物に用いる添加剤として有用な含フッ素化合物を提供すること。 - 特許庁
To solve the problem in which two electrodes are apt to be short- circuited when an electronic device is mounted, and the electrodes are lifted or separated due to the generation of gas from heated resist materials or the expansion of the heated resist materials.例文帳に追加
実装時に2つの電極がショートし易いという問題と、発熱に起因するレジスト材料からのガスの発生や膨れに起因する電極の浮きや剥がれの問題を解決する。 - 特許庁
To provide a resist removing agent with which a resist applied on an inorganic substrate can be easily removed and circuit wires with high accuracy can be produced without corroding the inorganic substrate made of various kinds of materials at all when the resist is removed.例文帳に追加
無機質基体上に塗布されたレジストを容易に剥離でき、且つレジストを剥離する際に種々の材料の無機質基体を全く腐食せずに高精度の回路配線を製造できるレジスト剥離剤を提供すること。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing resist patterns for aiming at reducing manufacturing costs by improving the efficiency of using resist materials, and to provide a method of removing resist patterns and a method of manufacturing semiconductor devices.例文帳に追加
レジスト材料の利用効率を向上させて、作製コストの削減を目的としたレジストパターンの作製方法、レジストパターンの除去方法、半導体装置の作製方法を提供することを課題とする。 - 特許庁
To provide a negative resist material having higher resolution than conventional negative resist materials, giving a good pattern profile after exposure, and exhibiting excellent etching resistance, particularly a chemically amplified negative resist material and a pattern forming method.例文帳に追加
下記一般式(1)で示される繰り返し単位を有し、重量平均分子量が1,000〜500,000である高分子化合物を含むことを特徴とするネガ型レジスト材料。 - 特許庁
In this pattern forming method, materials to be etched are patterned by using a resist mask 3 as an etching mask in the manufacturing process of a semiconductor device, and then the volume of this resist mask is expanded by swelling or the like so that this resist mask can be changed into another etching mask 5.例文帳に追加
半導体装置の製造工程の中でレジストマスクをエッチングマスクに使用し被エッチング材料をパターニングした後、このレジストマスクを膨潤等により体積膨張させて別のエッチングマスクに変える。 - 特許庁
Since the foreign material is not limited to potassium bromide and different foreign materials stick to the resist film 301 depending on conditions of various processes, it is possible to wash the resist film by using a washing liquid suitable to remove the foreign materials from the resist film 301.例文帳に追加
尚、臭化カリウムに限定されず、各種工程の諸条件に応じてレジスト膜301に付着する異物が異なるため、これら異物をレジスト膜301から除去するのに適した洗浄液を用いてレジスト膜301を洗浄することが可能である。 - 特許庁
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