rf sputteringとは 意味・読み方・使い方

The Cd_3TeO_6 thin film is preferably formed by an RF magnetron sputtering method or an analogous sputtering method.例文帳に追加

この酸化物薄膜は、ＲＦマグネトロンスパッタリング法又は類似のスパッタリング法により形成することが好ましい。 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD FOR MAGNETOOPTIC DISK BY INDUCTIVELY COUPLED RF PLASMA SUPPORTED MAGNETRON SPUTTERING METHOD例文帳に追加

誘導結合ＲＦプラズマ支援マグネトロンスパッタ法における光磁気ディスクの製造方法 - 特許庁

In the process of depositing the carbon film, the carbon film is deposited using one of an ECR (Electron Cyclotron Resonance) sputtering method, an RF sputtering method, a DC sputtering method, and an ion beam sputtering method.例文帳に追加

カーボン膜を堆積する工程はＥＣＲスパッタ法、ＲＦスパッタ法、ＤＣスパッタ法、およびイオンビームスパッタ法のうちのいずれかの方法を用いてカーボン膜を堆積すること。 - 特許庁

The method for producing the nanometal-glass particle aggregate comprises intermittently turning on and off an RF power source while plasma is in an unstable state immediately after RF voltage application in a vacuumed, gas-replaced RF magnetron sputtering apparatus.例文帳に追加

真空引き、ガス置換が終了したＲＦマグネトロンスパッタ装置において、ＲＦ電圧印加直後のプラズマが不安定な状態で、ＲＦ電源を間欠的にＯＮ−ＯＦＦする。 - 特許庁

The sputtering condition is pref. to be a sputtering pressure of 0.5-2 Pa, rf electric power of 100 W, a substrate temp. of 360-400°C, and the reactive sputtering condition is pref. to be an oxygen gas flow rate ratio of in a range of 1.2-10% in addition to the above described sputtering condition.例文帳に追加

スパッタリング条件はスパッタリング圧力０．５〜２Ｐａ，ｒｆ電力１００Ｗ，基板温度３６０〜４００℃が望ましく、反応性スパッタリングの条件は上記のスパッタリング条件に加えて、酸素ガス流量比は１．２〜１０％の範囲であることが好適である。 - 特許庁

The active material thin film formed on the collector 1 is composed of an interfacial layer formed on the collector and an active material layer formed on the interfacial layer, the interfacial layer is formed by an RF sputtering method by an RF sputtering source, and the active material layer is formed by a DC pulse sputtering method by a DC pulse sputtering source 5.例文帳に追加

集電体１上に形成される活物質薄膜が、集電体上に形成される界面層と、該界面層上に形成される活物質層とから構成されており、界面層がＲＦスパッタ源４によるＲＦスパッタ法により形成され、活物質層がＤＣパルススパッタ源５によるＤＣパルススパッタ法により形成されることを特徴としている。 - 特許庁

The conductive membrane is formed on the substrate by a deposition method, a sputtering method, or an RF ion plating method.例文帳に追加

蒸着法、スパッタ法、ＲＦイオンプレーティング法により基板上に導電性の膜を形成する。 - 特許庁

To provide a silicon monoxide sintered compact which combines securement of a film deposition rate and stability of film properties by an RF (radio-frequency reactive sputtering) method.例文帳に追加

ＲＦ法によって、成膜速度を確保するとともに膜特性の安定化を両立させる一酸化珪素焼結体を提供する。 - 特許庁