高周波スパッタリングの英語

誘電体薄膜の形成方法および高周波マグネトロンスパッタリング装置例文帳に追加

METHOD OF FORMING DIELECTRIC THIN FILM AND HIGH-FREQUENCY MAGNETRON SPUTTERING APPARATUS - 特許庁

薄膜の製造方法としては、高周波マグネトロンスパッタリング法を採用することができる。例文帳に追加

A high-frequency magnetron spattering method can be adopted as the method for producing the thin film. - 特許庁

高周波バイアススパッタリングにより絶縁耐圧の良い絶縁膜を基板に成膜すること例文帳に追加

To form an insulating film good in insulating pressure-resistance on a substrate by high frequency bias sputtering. - 特許庁

ターゲットから発生する高周波ノイズの影響を抑えた高周波スパッタリング装置を提供する。例文帳に追加

To provide a high-frequency sputtering apparatus in which an influence of high-frequency noise generated from a target is suppressed. - 特許庁

高周波スパッタリング装置において、プラズマへの高周波電力の供給を均一にして均一な成膜処理を可能にする。例文帳に追加

To uniformize the feed of high-frequency electric power to plasma in a high-frequency sputtering device and to execute uniform film forming treatment. - 特許庁

化合物半導体からなる半導体積層構造上にスパッタリングにより電極層を形成する際に、高周波パワーを大きくすることにより、電極材料をスパッタリングしながら熱処理を行う。例文帳に追加

When an electrode layer is formed on a semiconductor laminate composed of compound semiconductor by sputtering, heat treatment is performed while electrode material is sputtered by increasing high frequency power. - 特許庁

基体２の成膜面にそれと対向配置したターゲット３のスパッタリングによって発生する粒子を付着させて成膜するスパッタリング方法において、前記ターゲットに、周波数５０ｋＨｚ以上、Ｏｆｆ−Ｄｕｔｙ値が４０〜５０％である高周波パルス電圧を印加してスパッタリングを行うことを特徴とするスパッタリング方法。例文帳に追加

In the sputtering method where, to the film deposition face of a substrate 2, particles generated by the sputtering of a target 3 arranged so as to be confronted therewith are stuck, so that a film is deposited, high frequency pulse voltage of which the frequency is ≥50 kHz and Off-Duty value is 40 to 50% is applied to the target, so that the sputtering is performed. - 特許庁

金属製及び誘電体膜をスパッタリングする高密度誘導結合高周波プラズマ源を供給するマグネトロンリアクタ例文帳に追加

MAGNETRON REACTOR MADE OF METAL AND FEEDING HIGH DENSITY INDUCTION COUPLING HIGH FREQUENCY PLASMA SOURCE SPUTTERING DIELECTRIC FILM - 特許庁