「rf sputtering」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

METAL MOLD RELEASING TREATMENT METHOD BY RF BIAS ECR SPUTTERING例文帳に追加

ＲＦバイアス式ＥＣＲスパッタリング金型離型処理方法 - 特許庁

To secure shield and contact of a joint of an RF route, in an RF sputtering device in which a cathode is independently opened and closed.例文帳に追加

カソードを独立して開閉するＲＦスパッタ装置において、ＲＦ経路の接続部のシールド及び接触を確保する。 - 特許庁

The Cd_3TeO_6 thin film is preferably formed by an RF magnetron sputtering method or an analogous sputtering method.例文帳に追加

この酸化物薄膜は、ＲＦマグネトロンスパッタリング法又は類似のスパッタリング法により形成することが好ましい。 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD FOR MAGNETOOPTIC DISK BY INDUCTIVELY COUPLED RF PLASMA SUPPORTED MAGNETRON SPUTTERING METHOD例文帳に追加

誘導結合ＲＦプラズマ支援マグネトロンスパッタ法における光磁気ディスクの製造方法 - 特許庁

In the process of depositing the carbon film, the carbon film is deposited using one of an ECR (Electron Cyclotron Resonance) sputtering method, an RF sputtering method, a DC sputtering method, and an ion beam sputtering method.例文帳に追加

カーボン膜を堆積する工程はＥＣＲスパッタ法、ＲＦスパッタ法、ＤＣスパッタ法、およびイオンビームスパッタ法のうちのいずれかの方法を用いてカーボン膜を堆積すること。 - 特許庁

The method for producing the nanometal-glass particle aggregate comprises intermittently turning on and off an RF power source while plasma is in an unstable state immediately after RF voltage application in a vacuumed, gas-replaced RF magnetron sputtering apparatus.例文帳に追加

真空引き、ガス置換が終了したＲＦマグネトロンスパッタ装置において、ＲＦ電圧印加直後のプラズマが不安定な状態で、ＲＦ電源を間欠的にＯＮ−ＯＦＦする。 - 特許庁

The sputtering condition is pref. to be a sputtering pressure of 0.5-2 Pa, rf electric power of 100 W, a substrate temp. of 360-400°C, and the reactive sputtering condition is pref. to be an oxygen gas flow rate ratio of in a range of 1.2-10% in addition to the above described sputtering condition.例文帳に追加

スパッタリング条件はスパッタリング圧力０．５〜２Ｐａ，ｒｆ電力１００Ｗ，基板温度３６０〜４００℃が望ましく、反応性スパッタリングの条件は上記のスパッタリング条件に加えて、酸素ガス流量比は１．２〜１０％の範囲であることが好適である。 - 特許庁

The active material thin film formed on the collector 1 is composed of an interfacial layer formed on the collector and an active material layer formed on the interfacial layer, the interfacial layer is formed by an RF sputtering method by an RF sputtering source, and the active material layer is formed by a DC pulse sputtering method by a DC pulse sputtering source 5.例文帳に追加

集電体１上に形成される活物質薄膜が、集電体上に形成される界面層と、該界面層上に形成される活物質層とから構成されており、界面層がＲＦスパッタ源４によるＲＦスパッタ法により形成され、活物質層がＤＣパルススパッタ源５によるＤＣパルススパッタ法により形成されることを特徴としている。 - 特許庁

The conductive membrane is formed on the substrate by a deposition method, a sputtering method, or an RF ion plating method.例文帳に追加

蒸着法、スパッタ法、ＲＦイオンプレーティング法により基板上に導電性の膜を形成する。 - 特許庁

To provide a silicon monoxide sintered compact which combines securement of a film deposition rate and stability of film properties by an RF (radio-frequency reactive sputtering) method.例文帳に追加

ＲＦ法によって、成膜速度を確保するとともに膜特性の安定化を両立させる一酸化珪素焼結体を提供する。 - 特許庁

In a reactive sputtering device, a sputtering electrode 15 with a target 16 loaded is connected with a DC power source 38 and an RF power source 42 via a matching box 40, and these DC power source 38 and RF power source 42 are connected to a synchronous control circuit 44.例文帳に追加

反応性スパッタ装置において、ターゲット１６を搭載するスパッタ電極１４には、ＤＣ電源３８及びマッチングボックス４０を介したＲＦ電源４２が接続され、これらＤＣ電源３８及びＲＦ電源４２は同期制御回路４４に接続されている。 - 特許庁

A mask pattern to mask an electrode pad on the LED chip is formed, and a fluorescent film is thin and evenly deposited on the LED chip using Pulsed DC, an RF sputtering method or a PLD method.例文帳に追加

LEDチップの上の電極パッドをマスクするマスクパターンを形成して、Pulsed DCまたはRFスパッタリング法、或いはPLD法を使用してLEDチップ上に蛍光膜を薄くて均一に蒸着する。 - 特許庁

This ZnOx semiconductor layer is formed by using various thin film forming techniques such as a spin coat method, a DC sputtering method, an RF sputtering method, a metal organic vapor phase deposition (MOCVD) or an atomic layer deposition (ALD).例文帳に追加

このＺｎＯｘ半導体層を、スピンコート法、ＤＣスパッタリング法、ＲＦスパッタリング法、有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ）または原子層堆積法（ＡＬＤ）のような様々な薄膜形成技術を用いて形成する。 - 特許庁

This method for manufacturing the magneto-optical recording medium comprises grounding a substrate 260 to make a sputtering atom 250 fly so as to have the directivity vertical to the substrate, without applying an RF bias, accumulating the sputtering atoms on the substrate to form the prescribed underlaid or recording layer.例文帳に追加

基板２６０を接地し、スパッタ原子２５０を基板に対して垂直な指向性を有するように、ＲＦバイアスを印加することなく飛行させ、基板上にスパッタ原子を堆積して、所定の下地層や記録層を形成する。 - 特許庁

Furthermore, a sputtering level is made ≥18 nm and ≤22 nm in the RF sputtering of a barrier metal layer, thereby a TiO_n film being removed (step 16).例文帳に追加

さらに、バリアメタル層の高周波スパッタリングを行う際のスパッタ量を１８ｎｍ以上２２ｎｍ以下としてＴｉＯ_ｎ膜を除去する（ステップ１６）。 - 特許庁

The silicon nitride film, having low moisture permeability and a high light transmittance, is prepared by using a target 101 made of Si_3N_4 and sputtering the target 101 with a sputtering gas containing at least 99.9% N_2 in an RF magnetron-type sputtering apparatus.例文帳に追加

ＲＦマグネトロン型スパッタ装置において、Ｓｉ_３Ｎ_４により形成されたターゲット１０１を用い、９９．９％以上のＮ_２を含むスパッタガスによりターゲット１０１をスパッタし、低透湿度特性および高光透過特性を有する窒化シリコン膜を形成する。 - 特許庁

This RF sputtering device is provided with a stage 22, which is located inside an RF chamber, for placing the wafer 21 and a material film 24, with which the outer periphery of the upper surface of this stage is coated, having resistance to RF sputtering and to be positioned on the outer periphery of the wafer, when the wafer is placed on the upper surface of the stage.例文帳に追加

このＲＦスパッタ装置は、ＲＦチャンバー内に配置された、ウエハ２１を載置するステージ２２と、このステージの上面の外周にコーティングされ、ステージの上面上にウエハを載置した際に該ウエハの外周に位置するＲＦスパッタに対する耐性を有する材料膜２４と、を具備するものである。 - 特許庁

The high-dielectric thin-film capacitor is manufactured by forming an alloy electrode 2 of AlNi containing 30 at.% of Ni on a glass substrate by an RF magnetron sputtering method, then forming SrTiO 3 on the electrode 2 by the RF magnetron sputtering method and forming again an alloy electrode 2 of AlNi containing 30 at.% of Ni on the high-dielectric thin- film.例文帳に追加

ガラス基体上にＲＦマグネトロンスパッタ法によりＮｉが３０ａｔ％含有されたＡｌＮｉの合金電極を形成後、前記電極上にＲＦマグネトロンスパッタ法によりＳｒＴｉＯ3を形成し、再び前記高誘電体薄膜上にＮｉが３０ａｔ％含有されたＡｌＮｉの合金電極を形成することにより高誘電体薄膜コンデンサとする。 - 特許庁

A DC barrier metal layer 14 is then formed using DC sputtering on one side surface 67 of the RF barrier metal layer 13 in the laminating direction Z, so that a barrier metal layer is formed from the RF barrier metal layer 13 and the DC barrier metal layer 14.例文帳に追加

次にＲＦバリアメタル層１３の積層方向Ｚの一方側の表面６７上に、直流スパッタリングを用いてＤＣバリアメタル層１４を形成し、ＲＦバリアメタル層１３およびＤＣバリアメタル層１４から成るバリアメタル層を形成する。 - 特許庁

At least one of the ferromagnetic layers is formed of amorphous ferromagnetic material deposited in a film through magnetron DC sputtering, and the intermediate layer is of magnesium oxide deposited in a film through magnetron RF sputtering to have a single crystal structure in a direction of film thickness.例文帳に追加

少なくとも一方の強磁性層は、マグネトロンＤＣスパッタにより成膜したアモルファス状態の強磁性体とし、前記中間層は、マグネトロンＲＦスパッタにより成膜した、膜厚方向において単結晶構造を有する酸化マグネシウムとする。 - 特許庁

The hydrogen-permeable material is characterized by having a membrane selectively permeable to hydrogen, which membrane is composed of a silver-palladium alloy obtained by induction coupled rf plasma supporting magnetron sputtering.例文帳に追加

誘導結合ｒｆプラズマ支援マグネトロンスパッタリングによる銀−パラジウム合金からなる水素選択透過性膜を有することを特徴とする水素透過材料。 - 特許庁

The conductive material is, for example, a target after RF magnetron sputtering under an atmosphere containing nitrogen, using the Li_4Ti_5O_12 sintered body as the target.例文帳に追加

この導電材料は、例えば、Ｌｉ_4Ｔｉ_5Ｏ_12焼結体をターゲットとして用いて、窒素を含む雰囲気中で、ＲＦマグネトロンスパッタリングを行った後のターゲットである。 - 特許庁

The lanthanoid atom-activated yttrium precursor that is prepared by the RF sputtering or EB vapor deposition is calcined in an atmosphere at 500 to 1,000°C to give the phosphor.例文帳に追加

ＲＦスパッタリング法又はＥＢ蒸着法により得られたランタノイド元素付活酸化イットリウム前駆体を５００〜１０００℃の温度で大気焼成して得ることができる。 - 特許庁

The seed layer can be formed by an organic metal deposition method, spray pyrolysis method, RF sputtering method, or spin-on method, such as oxidation of the seed layer, as an alternative method.例文帳に追加

シード層は、代替の方法として、有機金属堆積法、スプレイ熱分解法、ＲＦスパッタリング法またはシード層の酸化などのスピンオン法によって形成されることが出来る。 - 特許庁

The solid oxide thin film is formed by depositing a solid oxide on an anode 3 by RF magnetron sputtering without interposing an intermediate layer, and heat-treating without forming a reaction layer between the anode and the solid oxide.例文帳に追加

固体酸化物薄膜は、ＲＦマグネトロンスパッタリングでアノード電極３上に中間層を介在させずに固体酸化物を堆積させ、前記アノード電極３との間に反応相を生成させずに熱処理して形成した。 - 特許庁

A nitrogen-substituted titanium oxide thin film is produced by RF magnetron sputtering process with a target as titanium oxide under the conditions in a nitrogen-containing inert gas atmosphere and at a substrate temperature of 400°C or higher.例文帳に追加

窒素含有不活性ガス雰囲気および基板温度４００℃以上の条件下、ターゲットを酸化チタンとするＲＦマグネトロンスパッタ法により窒素置換型酸化チタン薄膜を製造する。 - 特許庁

A silicon oxide film 12 is formed on a glass substrate 11, and an a-Si film 13 is formed thereon through an RF sputtering method and turned to microcrystal in a hydrogen atmosphere.例文帳に追加

ガラス基板１１上に酸化珪素膜１２を形成し、その上にａ−Ｓｉ膜１３をＲＦスパッタ法により成膜し水素雰囲気中で熱結晶化を行う。 - 特許庁

An RF barrier metal layer 13 is formed using high-frequency sputtering on one side surface 66 of an ohmic metal layer 11 of a semiconductor laser device 1 including an air ridge structure in a laminating direction Z.例文帳に追加

エアリッジ構造を有する半導体レーザ素子１のオーミックメタル層１１の積層方向Ｚの一方側の表面６６上に、高周波スパッタリングを用いてＲＦバリアメタル層１３を形成する。 - 特許庁

Subsequently, an RF bias is applied onto a substrate and the growing surface is irradiated with argon ions, thus forming a Cu layer 10 of 700 nm thick thicker than the total thickness of the Cu films 8 and 9 by sputtering.例文帳に追加

次に基板にＲＦバイアスを印加してアルゴンイオンを成長表面に照射してスパッタ成膜し、Ｃｕ膜８，９の合計膜厚よりも厚い膜厚７００ｎｍのＣｕ層１０を得る。 - 特許庁

An amorphous silicon film (a-Si film) 2 is deposited at room temperatures on a silicon substrate 1 by a RF sputtering method, and the deposited amorphous silicon film 2 is annealed at temperatures from 600 °C to 850 °C in a vacuum.例文帳に追加

ＲＦスパッタ法によりシリコン基板１上に室温でアモルファスシリコン膜（ａ−Ｓｉ膜）２を堆積し、堆積したアモルファスシリコン膜２を６００℃から８５０℃の温度で真空中でアニールする。 - 特許庁

The seed layer can alternatively be formed by using a spin-on technique (such as a metal organic deposition technique, a spray pyrolysis technique, an RF sputtering technique) or by the oxidation of a zinc thin film layer formed on the substrate.例文帳に追加

もしくは、スピンオン法（例えば、有機金属物堆積法、噴霧熱分解法、ＲＦスパッタリング法）を用いることによって、または基板の上に形成された亜鉛の薄膜層を酸化することによって、シード層が形成され得る。 - 特許庁

To provide a method for depositing a mixed film of a metal and titanium oxide, by which the mixed film can be deposited more stably at a higher speed in comparison with a conventional RF sputtering using a target formed of a metal-titanium oxide sintered compact.例文帳に追加

従来の金属−チタン酸化物の焼結体ターゲットを用いたＲＦスパッタリングよりも、高速、且つ、安定して金属とチタン酸化物の混合膜を形成する方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

While a heat radiation sheet 20 is tightly stuck to a space between a base 8 and a resin sheet 9 within a vacuum chamber 12 of an RF magnetron sputtering apparatus 1, a vapor deposited film 11 is deposited on the resin sheet 9.例文帳に追加

ＲＦマグネトロンスパッタ装置１の真空チャンバ１２内にて、基台８と樹脂シート９の間に放熱シート２０を密着させた状態で、前記樹脂シート９上に蒸着膜１１を成膜する。 - 特許庁

These can be obtained by the RF magnetron sputtering method in which titanium oxide having a diameter of 100 mm is used as a target, and boron (B) chips each having a 5 mm square are uniformly arranged on the target.例文帳に追加

これらは、ターゲットを直径１００ｍｍの酸化チタンとし、この上に５ｍｍ角のホウ素（Ｂ）チップを均一に配置し、ＲＦマグネトロンスパッタ法により得ることができる。 - 特許庁

The powder prepared in this way is used as a target to deposit a thin film on a quartz glass substrate by the RF sputtering method (step S18).例文帳に追加

次に、以上のようにして得た粉末をターゲットとして、ＲＦスパッタリング法により石英ガラス基板上に薄膜を作製する（ステップＳ１８）。 - 特許庁

When a silicon nitride target is used as is conventional to form a silicon oxynitride type gas barrier layer by an RF sputtering method, the gas barrier layer becomes brown if oxgen or the like is not introduced.例文帳に追加

従来、窒化珪素ターゲットを使用し、ＲＦスパッタリング法によって酸化窒化珪素系のガスバリア層を形成すると、成膜時に酸素等を導入しないと茶褐色となる。 - 特許庁

After the GeSbTe is processed to from the wiring, a thin film of SiO2 413 is formed by the RF sputtering method, the resist is coated, and apertures are provided at the terminals 421 and 422 of the wiring with the lithographic dry etching.例文帳に追加

以上の形状にＧｅＳｂＴｅを加工後、ＲＦスパッタ法でＳｉＯ_2 薄膜４１３を成膜し、レジストを塗布し、リソグラフィー・ドライエッチングで配線の端子部分４２１，４２２に開口を形成する。 - 特許庁

Power of microwaves, RF power applied to the target, gas pressure in sputtering, the flow rate of argon, and the flow rate of O, are set at 800 W, 500 W, 0.13 Pa, 20 sccm (97.6 vol.%), and 0.5 sccm (2.4 vol.%), respectively.例文帳に追加

また、マイクロ波のパワーは８００Ｗ、ターゲットに印加するＲＦパワーは５００Ｗ、スパッタ時のガス圧は０．１３Ｐａ、アルゴンの流量は２０sccm（９７．６ｖｏｌ％）、Ｏの流量は０．５sccm（２．４ｖｏｌ％）とする。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a magnetooptic disk which can form a magnetooptic recording film of small particle size enough for good magnetic field sensitivity and high-density recording by using an inductively coupled RF plasma supported magnetron sputtering device.例文帳に追加

誘導結合ＲＦプラズマ支援マグネトロンスパッタ装置を用いて、磁界感度が良く、高密度記録に適した十分に粒径の小さな光磁気記録膜を成膜できる光磁気ディスクの製造方法を提供する。 - 特許庁

The target, the substrate, and a sputtering gas can be contained in a chamber, and power of a first RF source can be applied so as to maintain a plasma in the chamber.例文帳に追加

ターゲット、基板及びスパッタリング・ガスをチャンバー内に収容し、第１のＲＦ電源の電力がチャンバー内のプラズマを維持するために加えられる。 - 特許庁

A high dielectric thin film capacitor is manufactured in such a way that, after an Al metallic electrode 2 is formed on a glass substrate 1 by the DC magnetron sputtering method, an SrTiO3 film 3 is formed on the electrode 2 as a high dielectric thin film by the RF magnetron sputtering method and another Al metallic electrode 2 is formed on the thin film 3.例文帳に追加

ガラス基体１上にＤＣマグネトロンスパッタ法によりＡｌの金属電極２を形成後、前記電極２上にＲＦマグネトロンスパッタ法により高誘電体薄膜としてＳｒＴｉＯ_3３を形成し、再び前記高誘電体薄膜３上にＡｌの金属電極２を形成することにより高誘電体薄膜コンデンサとする。 - 特許庁

The forming method of the solid oxide thin film has a process depositing lanthanum gallate on the anode 3 by RF magnetron sputtering; and a process heat-treating the anode 3 on which lanthanum gallate is deposited at temperature less than 1,200°C.例文帳に追加

固体酸化物薄膜の形成方法は、ＲＦマグネトロンスパッタリングにより、アノード電極３上にランタンガレートを堆積する工程と、前記ランタンガレートを堆積した前記アノード電極３を１２００℃未満で熱処理する工程とを備える。 - 特許庁

Sputtering particles from a target is transported and deposited on an organic substrate by the compulsory gas flow of sputter gas, by using the target containing indium oxide and tin oxide and impressing a DC bias voltage or an RF bias on the organic substrate.例文帳に追加

インジウム酸化物と錫酸化物とを含むターゲットを用い、有機物基板にＤＣバイアス電圧、あるいはＲＦバイアスを印加しながら、ターゲットからのスパッタ粒子をスパッタガスの強制ガス流により有機物基板上に輸送して堆積させる。 - 特許庁

By using a reactive sputtering method, a nitride film having sealability is formed on a substrate, and a negative RF voltage (bias) is applied to the substrate, at the same time, which attains sealing film formation in a brief time, without causing defects, such as, the holes or the grooves, even if foreign matters adhere to the substrate.例文帳に追加

反応性スパッタリング法により基板上に封止性能を有す窒化膜を形成しつつ、同時に基板に負のＲＦ電圧（バイアス）を印加することで、基材に異物が付着した場合においても、孔や溝などの欠陥を生じることなく、短時間での封止膜形成が可能になる。 - 特許庁

For example, the second RF source and the conductive grid can be a part of a capacitive circuit configured such that voltage change in the capacitive circuit affects properties of the sputtering gas and, then properties of a sputter deposition process is changed.例文帳に追加

例えば、第２のＲＦ電源及び導電グリッドは、容量性回路の一部を構成しており、容量性回路内における電圧の変化によりスパッタリング・ガスの特性が変化し、その後、スパッタ・成膜プロセスの特性が変化する。 - 特許庁