1016万例文収録!

「rf sputtering」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索


小窓モード

プレミアム

ログイン
設定

設定

Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > rf sputteringの意味・解説 > rf sputteringに関連した英語例文

セーフサーチ:オン

不適切な検索結果を除外する

不適切な検索結果を除外しない

セーフサーチについて

rf sputteringの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 56



例文

RF SPUTTERING APPARATUS例文帳に追加

RFスパッタリング装置 - 特許庁

RF SPUTTERING DEVICE例文帳に追加

RFスパッタ装置 - 特許庁

This RF sputtering device is a device for applying RF sputtering to a wafer 21.例文帳に追加

本発明に係るRFスパッタ装置は、ウエハ21にRFスパッタ処理を行う装置である。 - 特許庁

RF-SPUTTERING DEVICE AND MANUFACTURING METHOD FOR SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

RFスパッタ装置及び半導体装置の製造方法 - 特許庁

例文

To provide an RF sputtering device and a manufacturing method for semiconductor device, with which the release of a coating film on a stage can be suppressed in RF sputtering.例文帳に追加

RFスパッタ時にステージ上のコーティング膜の剥離を抑制できるRFスパッタ装置及び半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁


例文

METAL MOLD RELEASING TREATMENT METHOD BY RF BIAS ECR SPUTTERING例文帳に追加

RFバイアス式ECRスパッタリング金型離型処理方法 - 特許庁

To secure shield and contact of a joint of an RF route, in an RF sputtering device in which a cathode is independently opened and closed.例文帳に追加

カソードを独立して開閉するRFスパッタ装置において、RF経路の接続部のシールド及び接触を確保する。 - 特許庁

The Cd_3TeO_6 thin film is preferably formed by an RF magnetron sputtering method or an analogous sputtering method.例文帳に追加

この酸化物薄膜は、RFマグネトロンスパッタリング法又は類似のスパッタリング法により形成することが好ましい。 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD FOR MAGNETOOPTIC DISK BY INDUCTIVELY COUPLED RF PLASMA SUPPORTED MAGNETRON SPUTTERING METHOD例文帳に追加

誘導結合RFプラズマ支援マグネトロンスパッタ法における光磁気ディスクの製造方法 - 特許庁

例文

In the process of depositing the carbon film, the carbon film is deposited using one of an ECR (Electron Cyclotron Resonance) sputtering method, an RF sputtering method, a DC sputtering method, and an ion beam sputtering method.例文帳に追加

カーボン膜を堆積する工程はECRスパッタ法、RFスパッタ法、DCスパッタ法、およびイオンビームスパッタ法のうちのいずれかの方法を用いてカーボン膜を堆積すること。 - 特許庁

例文

The method for producing the nanometal-glass particle aggregate comprises intermittently turning on and off an RF power source while plasma is in an unstable state immediately after RF voltage application in a vacuumed, gas-replaced RF magnetron sputtering apparatus.例文帳に追加

真空引き、ガス置換が終了したRFマグネトロンスパッタ装置において、RF電圧印加直後のプラズマが不安定な状態で、RF電源を間欠的にON−OFFする。 - 特許庁

The sputtering condition is pref. to be a sputtering pressure of 0.5-2 Pa, rf electric power of 100 W, a substrate temp. of 360-400°C, and the reactive sputtering condition is pref. to be an oxygen gas flow rate ratio of in a range of 1.2-10% in addition to the above described sputtering condition.例文帳に追加

スパッタリング条件はスパッタリング圧力0.5〜2Pa,rf電力100W,基板温度360〜400℃が望ましく、反応性スパッタリングの条件は上記のスパッタリング条件に加えて、酸素ガス流量比は1.2〜10%の範囲であることが好適である。 - 特許庁

The active material thin film formed on the collector 1 is composed of an interfacial layer formed on the collector and an active material layer formed on the interfacial layer, the interfacial layer is formed by an RF sputtering method by an RF sputtering source, and the active material layer is formed by a DC pulse sputtering method by a DC pulse sputtering source 5.例文帳に追加

集電体1上に形成される活物質薄膜が、集電体上に形成される界面層と、該界面層上に形成される活物質層とから構成されており、界面層がRFスパッタ源4によるRFスパッタ法により形成され、活物質層がDCパルススパッタ源5によるDCパルススパッタ法により形成されることを特徴としている。 - 特許庁

The conductive membrane is formed on the substrate by a deposition method, a sputtering method, or an RF ion plating method.例文帳に追加

蒸着法、スパッタ法、RFイオンプレーティング法により基板上に導電性の膜を形成する。 - 特許庁

To provide a silicon monoxide sintered compact which combines securement of a film deposition rate and stability of film properties by an RF (radio-frequency reactive sputtering) method.例文帳に追加

RF法によって、成膜速度を確保するとともに膜特性の安定化を両立させる一酸化珪素焼結体を提供する。 - 特許庁

In a reactive sputtering device, a sputtering electrode 15 with a target 16 loaded is connected with a DC power source 38 and an RF power source 42 via a matching box 40, and these DC power source 38 and RF power source 42 are connected to a synchronous control circuit 44.例文帳に追加

反応性スパッタ装置において、ターゲット16を搭載するスパッタ電極14には、DC電源38及びマッチングボックス40を介したRF電源42が接続され、これらDC電源38及びRF電源42は同期制御回路44に接続されている。 - 特許庁

A mask pattern to mask an electrode pad on the LED chip is formed, and a fluorescent film is thin and evenly deposited on the LED chip using Pulsed DC, an RF sputtering method or a PLD method.例文帳に追加

LEDチップの上の電極パッドをマスクするマスクパターンを形成して、Pulsed DCまたはRFスパッタリング法、或いはPLD法を使用してLEDチップ上に蛍光膜を薄くて均一に蒸着する。 - 特許庁

This ZnOx semiconductor layer is formed by using various thin film forming techniques such as a spin coat method, a DC sputtering method, an RF sputtering method, a metal organic vapor phase deposition (MOCVD) or an atomic layer deposition (ALD).例文帳に追加

このZnOx半導体層を、スピンコート法、DCスパッタリング法、RFスパッタリング法、有機金属気相成長法(MOCVD)または原子層堆積法(ALD)のような様々な薄膜形成技術を用いて形成する。 - 特許庁

This method for manufacturing the magneto-optical recording medium comprises grounding a substrate 260 to make a sputtering atom 250 fly so as to have the directivity vertical to the substrate, without applying an RF bias, accumulating the sputtering atoms on the substrate to form the prescribed underlaid or recording layer.例文帳に追加

基板260を接地し、スパッタ原子250を基板に対して垂直な指向性を有するように、RFバイアスを印加することなく飛行させ、基板上にスパッタ原子を堆積して、所定の下地層や記録層を形成する。 - 特許庁

Furthermore, a sputtering level is made18 nm and ≤22 nm in the RF sputtering of a barrier metal layer, thereby a TiO_n film being removed (step 16).例文帳に追加

さらに、バリアメタル層の高周波スパッタリングを行う際のスパッタ量を18nm以上22nm以下としてTiO_n膜を除去する(ステップ16)。 - 特許庁

The silicon nitride film, having low moisture permeability and a high light transmittance, is prepared by using a target 101 made of Si_3N_4 and sputtering the target 101 with a sputtering gas containing at least 99.9% N_2 in an RF magnetron-type sputtering apparatus.例文帳に追加

RFマグネトロン型スパッタ装置において、Si_3N_4により形成されたターゲット101を用い、99.9%以上のN_2を含むスパッタガスによりターゲット101をスパッタし、低透湿度特性および高光透過特性を有する窒化シリコン膜を形成する。 - 特許庁

This RF sputtering device is provided with a stage 22, which is located inside an RF chamber, for placing the wafer 21 and a material film 24, with which the outer periphery of the upper surface of this stage is coated, having resistance to RF sputtering and to be positioned on the outer periphery of the wafer, when the wafer is placed on the upper surface of the stage.例文帳に追加

このRFスパッタ装置は、RFチャンバー内に配置された、ウエハ21を載置するステージ22と、このステージの上面の外周にコーティングされ、ステージの上面上にウエハを載置した際に該ウエハの外周に位置するRFスパッタに対する耐性を有する材料膜24と、を具備するものである。 - 特許庁

The high-dielectric thin-film capacitor is manufactured by forming an alloy electrode 2 of AlNi containing 30 at.% of Ni on a glass substrate by an RF magnetron sputtering method, then forming SrTiO 3 on the electrode 2 by the RF magnetron sputtering method and forming again an alloy electrode 2 of AlNi containing 30 at.% of Ni on the high-dielectric thin- film.例文帳に追加

ガラス基体上にRFマグネトロンスパッタ法によりNiが30at%含有されたAlNiの合金電極を形成後、前記電極上にRFマグネトロンスパッタ法によりSrTiO3を形成し、再び前記高誘電体薄膜上にNiが30at%含有されたAlNiの合金電極を形成することにより高誘電体薄膜コンデンサとする。 - 特許庁

A DC barrier metal layer 14 is then formed using DC sputtering on one side surface 67 of the RF barrier metal layer 13 in the laminating direction Z, so that a barrier metal layer is formed from the RF barrier metal layer 13 and the DC barrier metal layer 14.例文帳に追加

次にRFバリアメタル層13の積層方向Zの一方側の表面67上に、直流スパッタリングを用いてDCバリアメタル層14を形成し、RFバリアメタル層13およびDCバリアメタル層14から成るバリアメタル層を形成する。 - 特許庁

At least one of the ferromagnetic layers is formed of amorphous ferromagnetic material deposited in a film through magnetron DC sputtering, and the intermediate layer is of magnesium oxide deposited in a film through magnetron RF sputtering to have a single crystal structure in a direction of film thickness.例文帳に追加

少なくとも一方の強磁性層は、マグネトロンDCスパッタにより成膜したアモルファス状態の強磁性体とし、前記中間層は、マグネトロンRFスパッタにより成膜した、膜厚方向において単結晶構造を有する酸化マグネシウムとする。 - 特許庁

The hydrogen-permeable material is characterized by having a membrane selectively permeable to hydrogen, which membrane is composed of a silver-palladium alloy obtained by induction coupled rf plasma supporting magnetron sputtering.例文帳に追加

誘導結合rfプラズマ支援マグネトロンスパッタリングによる銀−パラジウム合金からなる水素選択透過性膜を有することを特徴とする水素透過材料。 - 特許庁

The conductive material is, for example, a target after RF magnetron sputtering under an atmosphere containing nitrogen, using the Li_4Ti_5O_12 sintered body as the target.例文帳に追加

この導電材料は、例えば、Li_4Ti_5O_12焼結体をターゲットとして用いて、窒素を含む雰囲気中で、RFマグネトロンスパッタリングを行った後のターゲットである。 - 特許庁

The lanthanoid atom-activated yttrium precursor that is prepared by the RF sputtering or EB vapor deposition is calcined in an atmosphere at 500 to 1,000°C to give the phosphor.例文帳に追加

RFスパッタリング法又はEB蒸着法により得られたランタノイド元素付活酸化イットリウム前駆体を500〜1000℃の温度で大気焼成して得ることができる。 - 特許庁

The seed layer can be formed by an organic metal deposition method, spray pyrolysis method, RF sputtering method, or spin-on method, such as oxidation of the seed layer, as an alternative method.例文帳に追加

シード層は、代替の方法として、有機金属堆積法、スプレイ熱分解法、RFスパッタリング法またはシード層の酸化などのスピンオン法によって形成されることが出来る。 - 特許庁

The solid oxide thin film is formed by depositing a solid oxide on an anode 3 by RF magnetron sputtering without interposing an intermediate layer, and heat-treating without forming a reaction layer between the anode and the solid oxide.例文帳に追加

固体酸化物薄膜は、RFマグネトロンスパッタリングでアノード電極3上に中間層を介在させずに固体酸化物を堆積させ、前記アノード電極3との間に反応相を生成させずに熱処理して形成した。 - 特許庁

A nitrogen-substituted titanium oxide thin film is produced by RF magnetron sputtering process with a target as titanium oxide under the conditions in a nitrogen-containing inert gas atmosphere and at a substrate temperature of 400°C or higher.例文帳に追加

窒素含有不活性ガス雰囲気および基板温度400℃以上の条件下、ターゲットを酸化チタンとするRFマグネトロンスパッタ法により窒素置換型酸化チタン薄膜を製造する。 - 特許庁

A silicon oxide film 12 is formed on a glass substrate 11, and an a-Si film 13 is formed thereon through an RF sputtering method and turned to microcrystal in a hydrogen atmosphere.例文帳に追加

ガラス基板11上に酸化珪素膜12を形成し、その上にa−Si膜13をRFスパッタ法により成膜し水素雰囲気中で熱結晶化を行う。 - 特許庁

An RF barrier metal layer 13 is formed using high-frequency sputtering on one side surface 66 of an ohmic metal layer 11 of a semiconductor laser device 1 including an air ridge structure in a laminating direction Z.例文帳に追加

エアリッジ構造を有する半導体レーザ素子1のオーミックメタル層11の積層方向Zの一方側の表面66上に、高周波スパッタリングを用いてRFバリアメタル層13を形成する。 - 特許庁

Subsequently, an RF bias is applied onto a substrate and the growing surface is irradiated with argon ions, thus forming a Cu layer 10 of 700 nm thick thicker than the total thickness of the Cu films 8 and 9 by sputtering.例文帳に追加

次に基板にRFバイアスを印加してアルゴンイオンを成長表面に照射してスパッタ成膜し、Cu膜8,9の合計膜厚よりも厚い膜厚700nmのCu層10を得る。 - 特許庁

An amorphous silicon film (a-Si film) 2 is deposited at room temperatures on a silicon substrate 1 by a RF sputtering method, and the deposited amorphous silicon film 2 is annealed at temperatures from 600 °C to 850 °C in a vacuum.例文帳に追加

RFスパッタ法によりシリコン基板1上に室温でアモルファスシリコン膜(a−Si膜)2を堆積し、堆積したアモルファスシリコン膜2を600℃から850℃の温度で真空中でアニールする。 - 特許庁

The seed layer can alternatively be formed by using a spin-on technique (such as a metal organic deposition technique, a spray pyrolysis technique, an RF sputtering technique) or by the oxidation of a zinc thin film layer formed on the substrate.例文帳に追加

もしくは、スピンオン法(例えば、有機金属物堆積法、噴霧熱分解法、RFスパッタリング法)を用いることによって、または基板の上に形成された亜鉛の薄膜層を酸化することによって、シード層が形成され得る。 - 特許庁

To provide a method for depositing a mixed film of a metal and titanium oxide, by which the mixed film can be deposited more stably at a higher speed in comparison with a conventional RF sputtering using a target formed of a metal-titanium oxide sintered compact.例文帳に追加

従来の金属−チタン酸化物の焼結体ターゲットを用いたRFスパッタリングよりも、高速、且つ、安定して金属とチタン酸化物の混合膜を形成する方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

While a heat radiation sheet 20 is tightly stuck to a space between a base 8 and a resin sheet 9 within a vacuum chamber 12 of an RF magnetron sputtering apparatus 1, a vapor deposited film 11 is deposited on the resin sheet 9.例文帳に追加

RFマグネトロンスパッタ装置1の真空チャンバ12内にて、基台8と樹脂シート9の間に放熱シート20を密着させた状態で、前記樹脂シート9上に蒸着膜11を成膜する。 - 特許庁

These can be obtained by the RF magnetron sputtering method in which titanium oxide having a diameter of 100 mm is used as a target, and boron (B) chips each having a 5 mm square are uniformly arranged on the target.例文帳に追加

これらは、ターゲットを直径100mmの酸化チタンとし、この上に5mm角のホウ素(B)チップを均一に配置し、RFマグネトロンスパッタ法により得ることができる。 - 特許庁

The powder prepared in this way is used as a target to deposit a thin film on a quartz glass substrate by the RF sputtering method (step S18).例文帳に追加

次に、以上のようにして得た粉末をターゲットとして、RFスパッタリング法により石英ガラス基板上に薄膜を作製する(ステップS18)。 - 特許庁

When a silicon nitride target is used as is conventional to form a silicon oxynitride type gas barrier layer by an RF sputtering method, the gas barrier layer becomes brown if oxgen or the like is not introduced.例文帳に追加

従来、窒化珪素ターゲットを使用し、RFスパッタリング法によって酸化窒化珪素系のガスバリア層を形成すると、成膜時に酸素等を導入しないと茶褐色となる。 - 特許庁

After the GeSbTe is processed to from the wiring, a thin film of SiO2 413 is formed by the RF sputtering method, the resist is coated, and apertures are provided at the terminals 421 and 422 of the wiring with the lithographic dry etching.例文帳に追加

以上の形状にGeSbTeを加工後、RFスパッタ法でSiO_2 薄膜413を成膜し、レジストを塗布し、リソグラフィー・ドライエッチングで配線の端子部分421,422に開口を形成する。 - 特許庁

Power of microwaves, RF power applied to the target, gas pressure in sputtering, the flow rate of argon, and the flow rate of O, are set at 800 W, 500 W, 0.13 Pa, 20 sccm (97.6 vol.%), and 0.5 sccm (2.4 vol.%), respectively.例文帳に追加

また、マイクロ波のパワーは800W、ターゲットに印加するRFパワーは500W、スパッタ時のガス圧は0.13Pa、アルゴンの流量は20sccm(97.6vol%)、Oの流量は0.5sccm(2.4vol%)とする。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a magnetooptic disk which can form a magnetooptic recording film of small particle size enough for good magnetic field sensitivity and high-density recording by using an inductively coupled RF plasma supported magnetron sputtering device.例文帳に追加

誘導結合RFプラズマ支援マグネトロンスパッタ装置を用いて、磁界感度が良く、高密度記録に適した十分に粒径の小さな光磁気記録膜を成膜できる光磁気ディスクの製造方法を提供する。 - 特許庁

The target, the substrate, and a sputtering gas can be contained in a chamber, and power of a first RF source can be applied so as to maintain a plasma in the chamber.例文帳に追加

ターゲット、基板及びスパッタリング・ガスをチャンバー内に収容し、第1のRF電源の電力がチャンバー内のプラズマを維持するために加えられる。 - 特許庁

A high dielectric thin film capacitor is manufactured in such a way that, after an Al metallic electrode 2 is formed on a glass substrate 1 by the DC magnetron sputtering method, an SrTiO3 film 3 is formed on the electrode 2 as a high dielectric thin film by the RF magnetron sputtering method and another Al metallic electrode 2 is formed on the thin film 3.例文帳に追加

ガラス基体1上にDCマグネトロンスパッタ法によりAlの金属電極2を形成後、前記電極2上にRFマグネトロンスパッタ法により高誘電体薄膜としてSrTiO_33を形成し、再び前記高誘電体薄膜3上にAlの金属電極2を形成することにより高誘電体薄膜コンデンサとする。 - 特許庁

The forming method of the solid oxide thin film has a process depositing lanthanum gallate on the anode 3 by RF magnetron sputtering; and a process heat-treating the anode 3 on which lanthanum gallate is deposited at temperature less than 1,200°C.例文帳に追加

固体酸化物薄膜の形成方法は、RFマグネトロンスパッタリングにより、アノード電極3上にランタンガレートを堆積する工程と、前記ランタンガレートを堆積した前記アノード電極3を1200℃未満で熱処理する工程とを備える。 - 特許庁

Sputtering particles from a target is transported and deposited on an organic substrate by the compulsory gas flow of sputter gas, by using the target containing indium oxide and tin oxide and impressing a DC bias voltage or an RF bias on the organic substrate.例文帳に追加

インジウム酸化物と錫酸化物とを含むターゲットを用い、有機物基板にDCバイアス電圧、あるいはRFバイアスを印加しながら、ターゲットからのスパッタ粒子をスパッタガスの強制ガス流により有機物基板上に輸送して堆積させる。 - 特許庁

By using a reactive sputtering method, a nitride film having sealability is formed on a substrate, and a negative RF voltage (bias) is applied to the substrate, at the same time, which attains sealing film formation in a brief time, without causing defects, such as, the holes or the grooves, even if foreign matters adhere to the substrate.例文帳に追加

反応性スパッタリング法により基板上に封止性能を有す窒化膜を形成しつつ、同時に基板に負のRF電圧(バイアス)を印加することで、基材に異物が付着した場合においても、孔や溝などの欠陥を生じることなく、短時間での封止膜形成が可能になる。 - 特許庁

例文

For example, the second RF source and the conductive grid can be a part of a capacitive circuit configured such that voltage change in the capacitive circuit affects properties of the sputtering gas and, then properties of a sputter deposition process is changed.例文帳に追加

例えば、第2のRF電源及び導電グリッドは、容量性回路の一部を構成しており、容量性回路内における電圧の変化によりスパッタリング・ガスの特性が変化し、その後、スパッタ・成膜プロセスの特性が変化する。 - 特許庁

索引トップ用語の索引



  
Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.
こんにちは ゲスト さん

ログイン

Weblio会員(無料)になると

会員登録のメリット検索履歴を保存できる!

会員登録のメリット語彙力診断の実施回数増加!

無料会員に登録する
英→日 日→英
こんにちは ゲスト さん

ログイン

Weblio会員(無料)になると

会員登録のメリット検索履歴を保存できる!

会員登録のメリット語彙力診断の実施回数増加!

無料会員に登録する

©2024 GRAS Group, Inc.RSS