selective electrodesとは 意味・読み方・使い方

The deposition materials are formed to the state of electrified particulates and potential is changed by selective electrodes 11s to be deposited and unselective electrodes 11u not to be deposited among the plural electrodes 11 formed on a substrate 10.例文帳に追加

成膜材料を帯電した微粒子状とするとともに、基板１０上に形成された複数の電極１１のうちの成膜すべき選択電極１１ｓと成膜しない非選択電極１１ｕとで電位を変える。 - 特許庁

A liquid crystal layer 10 constituted by including a plurality of microcapsules which indicate the change in the selective reflection reacting with the electric field applied between transparent electrodes 2 and another electrodes 2 and is sealed with the liquid crystal having the memory characteristic is formed between the transparent electrodes 2 and another electrodes 2.例文帳に追加

透明電極２と別の電極２との間に、透明電極２と別の電極２間に与えた電界に反応した選択反射の変化を示すと共にメモリ性を有する液晶が封入されたマイクロカプセルの複数個を含んで構成される液晶層１０を形成する。 - 特許庁

As a result, it becomes possible to set freely the selection order of selective electrodes by the setting of the decode signal Dec(5:0).例文帳に追加

これにより、選択電極の選択順序を、デコード信号Ｄｅｃ（５：０）の設定によって自由に設定することが可能となる。 - 特許庁

To provide a highly accurate biosensor superior in stability with a high close contact property between a selective permeable film and electrodes.例文帳に追加

選択透過膜と電極の密着性が高く、高精度でかつ安定性が優れているバイオセンサおよびその製造方法を提供する - 特許庁

A first and second electrodes 2, 4 of the selective transistor are electrically isolated from each other through interposition of an insulating film 3.例文帳に追加

選択トランジスタの第１の電極２と第２の電極４とが、絶縁膜３の介在により相互に電気的に絶縁されている。 - 特許庁

The responsive glass for ion selective electrodes is made of titanium-containing oxide glass that contains 20-80 mol% of titanium dioxide and lithium oxide.例文帳に追加

イオン選択性電極用応答ガラスを、二酸化チタン２０〜８０ｍｏｌ％及び酸化リチウムを含有しているチタン含有酸化物ガラスから構成している。 - 特許庁

On a side surface of the selective gate electrode G1, control gate electrodes G3a, G3b are formed in the shape of sidewall via a gate separation insulating film 21.例文帳に追加

選択ゲート電極Ｇ１の側面には、ゲート分離絶縁膜２１を介して制御ゲート電極Ｇ３ａ，Ｇ３ｂが側壁状に形成されている。 - 特許庁

Gate electrodes are formed by selective dry etching and the upper limit value of the in-substrate average value of the thicknesses of the photoresist in substrate coating is confined to 1.5 μm.例文帳に追加

ゲート電極を選択ドライエッチングにより形成し、基板コーティング時におけるフォトレジストの厚みの基板内平均値の上限値を１．５μｍとした。 - 特許庁