selective dry etchingとは 意味・読み方・使い方

Side etching of the gate insulation film of the channel region through region selective etching of the silicon oxide film by dry etching of poor selectivity, or leaving of the gate insulation film on the source and drain regions will be involved in the process.例文帳に追加

選択性の悪いドライエッチングで酸化シリコン膜の領域選択エッチングをしてチャネル領域のゲート絶縁膜をサイドエッチングしたり、ソース、ドレイン領域上のゲート絶縁膜を残したりすることがない。 - 特許庁

Gate electrodes are formed by selective dry etching and the upper limit value of the in-substrate average value of the thicknesses of the photoresist in substrate coating is confined to 1.5 μm.例文帳に追加

ゲート電極を選択ドライエッチングにより形成し、基板コーティング時におけるフォトレジストの厚みの基板内平均値の上限値を１．５μｍとした。 - 特許庁

To provide a dry etching method for improving the selective ratio of tungsten to silicon as compared with before, and to stably provide manufacturing semiconductor devices of proper quality.例文帳に追加

従来に較べてタングステンとシリコンとの選択比を向上させることができ、良質な半導体装置を安定して製造することのできるドライエッチング方法を提供する。 - 特許庁

To provide a liquid crystal display device having a video signal line of a bottom gate type TFT meeting respective required conditions of low resistance, dry etching resistance, selective wet etching of a gate insulating film, ≤2 laminated layers, and tapering of section.例文帳に追加

低抵抗、ドライエッチング耐性，ゲート絶縁膜との選択ウェットエッチング、積層数２層以下、断面のテーパ加工の各要件を満たすボトムゲート型ＴＦＴの映像信号線を有する液晶表示装置の提供。 - 特許庁

The liquid crystal display device is provided which has the video signal line of the bottom gate type TFT meeting the respective required conditions of low resistance, dry etching resistance, selective wet etching of the gate insulating film, ≤2 laminated layers, and tapering of section.例文帳に追加

低抵抗，ドライエッチング耐性，ゲート絶縁膜との選択ウェットエッチング，積層数２層以下、断面のテーパ加工の各要件を満たすボトムゲート型ＴＦＴの映像信号線を有する液晶表示装置が提供される。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor device comprises the steps of conducting dry etching at an upper interlayer insulating film 7 for the stopper film 6 with a resist pattern 11, as a mask under the conditions of higher selective etching selection ratio of 10 or more than prior art, and etching the film 7 to the film 6, thereby forming the wiring groove 12.例文帳に追加

レジストパターン１１をマスクとして、上部層間絶縁膜７が溝用ストッパー膜６に対して、従来よりさらに高選択な、エッチング選択比が１０以上の条件でドライエッチングを行い、上部層間絶縁膜７を溝用ストッパー膜６までエッチングして配線溝１２を形成する。 - 特許庁

To improve the yield in a manufacturing process step by gently sloping the pattern sectional shape of the pattern formation performed by using selective etching by dry etching and abating a shorting defect in manufacturing a liquid crystal display device of an active matrix type.例文帳に追加

アクティブマトリックス方式の液晶表示装置の製造に際し、ドライエッチングによる選択エッチングを用いて行なったパタン形成のパタン断面形状をなだらかにし、ショート不良を低減することにより製造工程における歩留まりを向上すること。 - 特許庁

To form a fine pattern of an organic material film in an easy process and reduce the fringing capacitance of the gate electrode of a field effect transistor using a selective dry recess etching to improve the operating speed of a semiconductor device.例文帳に追加

容易なプロセスで有機材料膜の微細パターンを形成し、選択ドライリセスエッチングを用いて、電界効果型トランジスタのゲート電極のフリンジング容量を低減し、半導体装置の動作速度を向上することを目的とする。 - 特許庁