self-trappingとは 意味・読み方・使い方

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE HAVING SELF-ALIGNED CHARGE TRAPPING LAYER AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

自己整列された電荷トラップ層を含む半導体メモリ素子及びその製造方法 - 特許庁

The additive for a battery suppresses self-discharge of the battery by trapping ammonia gas relating to self-discharge.例文帳に追加

本発明の電池用添加剤は、自己放電に関係するアンモニアガスをトラップすることにより、電池の自己放電を抑制する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device having a self-aligned charge trapping layer, and also to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

自己整列された電荷トラップ層を含む半導体メモリ素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Therefor, an ONO film and the semiconductor substrate are squarely positioned below the conductive spacers having the spacer shapes, and a SONOS structure including the self-aligned charge trapping layer is formed.例文帳に追加

前記導電性スペーサ間の溝に形成されたゲート電極と半導体基板間にはゲート酸化膜が介在される。 - 特許庁

To continue compression self-igniting combustion when carrying out an enrichment control of an exhaust air-fuel ratio to regenerate an NOx trapping catalyst in an engine carrying out the compression self-igniting combustion by a lean air-fuel ratio.例文帳に追加

リーン空燃比による圧縮自己着火燃焼を行うエンジンにおいて、ＮＯｘトラップ触媒の再生のため、排気空燃比をリッチ化制御する場合に、圧縮自己着火燃焼を継続可能とする。 - 特許庁

To provide a separator for a sealed lead acid battery, having the function of trapping antimony and restricting the precipitation of antimony on a negative electrode and superior effect of reducing the amount of an electrolyte and preventing the propagation of self-discharge.例文帳に追加

アンチモンの捕捉およびアンチモンの負極への析出抑制の機能を具備し、電解液の減液および自己放電の拡大の防止効果に優れた密閉形鉛蓄電池用セパレータを提供する。 - 特許庁

During the formation of the contact structure which is formed by forming a thin layer of a pure metal on a semiconductor cap layer, the thin metal layer is caused to react with the cap layer, and the migration of impurities to the active area of the semiconductor device is prevented by trapping mobile impurities and self-interstitials diffusing within the cap layer and in nearby metal layers in the resulting reacted layer.例文帳に追加

純金属の薄い層を半導体保護膜層上に形成し、接触構造の形成中に、この薄い金属層を保護膜層と反応させ、結果的に得られる反応層によって保護膜層及び近傍の金属層内に拡散する移動性不純物及び自己侵入物をトラップして、半導体デバイスのアクティブ領域内へのマイグレーションを防止する。 - 特許庁