semiconductor thin filmsとは 意味・読み方・使い方

In addition, the thin-film transistor using the oxide semiconductor may be surrounded by insulating films to be sealed.例文帳に追加

また、酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタを絶縁膜で囲んで封止すればよい。 - 特許庁

The semiconductor composite device having the semiconductor thin films 304-308 joined on the metal layer 102 is in a structure with a region which includes an oxide of the metal layer between the semiconductor thin films and the metal layer 102.例文帳に追加

この金属層１０２の上に半導体薄膜３０４−３０８を接合してなる半導体複合装置であり、半導体薄膜と金属層１０２との間に金属層の酸化物を含む領域を有する構造とする。 - 特許庁

To provide a method for forming continuous thin films capable of continuously forming various kinds of thin films on a substrate, a forming apparatus, a glass substrate with the thin film, and a semiconductor device element.例文帳に追加

基板上に各種薄膜を連続的に高速で形成することのできる連続薄膜の形成方法、形成装置、薄膜付きガラス基板及び半導体装置素子を提供する。 - 特許庁

In this semiconductor device 1, the MEMS sensor 5, equipped with four lower thin films 6 (lower electrodes 8) and four upper thin films 7 (upper electrodes 11) is provided on a semiconductor substrate 2.例文帳に追加

半導体装置１では、半導体基板２上に、４つの下薄膜６（下電極８）および４つの上薄膜７（上電極１１）を備えるＭＥＭＳセンサ５が設けられている。 - 特許庁

When a plurality of semiconductor thin films (20) are present on a substrate (11), a connection support (100) having a photosensitive sheet-like part (101) to support the plurality of semiconductor thin films (20) by being connected with each other is arranged.例文帳に追加

複数の半導体薄膜（２０）が基板（１１）上にあるときに、複数の半導体薄膜（２０）を互いに連結して支持するための、感光性のシート状部分（１０１）を有する連結支持体（１００）を設ける。 - 特許庁

To provide a junction form between semiconductor thin films and different types of substrates, capable of obtaining stable bonding characteristics utilizing intermolecular force between the semiconductor thin films and metal.例文帳に追加

半導体薄膜と金属との分子間力を利用した安定なボンディング特性が得られる半導体薄膜と異種基板間の接合形態を提供する。 - 特許庁

By having semiconductor thin films 304-308 made to abut against the metal layer 102 to form a region 410 including an oxide of a metal element among them, the semiconductor thin films 304-308 is bonded to the metal layer 102.例文帳に追加

この金属層１０２の上に半導体薄膜３０４−３０８を接触させて、これらの間に金属元素の酸化物を含む領域４１０を形成することによって、半導体薄膜３０４−３０８と金属層１０２とを接合する。 - 特許庁

Thereby, by comparing the semiconductor thin film 41 with the case of providing the semiconductor thin film 41 on the same layer as the semiconductor thin films 25 and 26, further miniaturization can be performed.例文帳に追加

これにより、半導体薄膜４１を半導体薄膜２５、２６と同一の層上に設ける場合と比較して、より一層の小型化を図ることができる。 - 特許庁