semiconductor thin filmsとは 意味・読み方・使い方

To provide a method for forming continuous thin films capable of continuously forming various kinds of thin films on a substrate, a forming apparatus, a glass substrate with the thin film, and a semiconductor device element.例文帳に追加

基板上に各種薄膜を連続的に高速で形成することのできる連続薄膜の形成方法、形成装置、薄膜付きガラス基板及び半導体装置素子を提供する。 - 特許庁

Second metal films 16a and 16b and semiconductor layers 4a and 4b are etched and the resist pattern is made into thin film.例文帳に追加

第２の金属膜１６a、１６b、半導体層４a、４bをエッチングし、レジストパターンを薄膜化する。 - 特許庁

In addition, the thin-film transistor using the oxide semiconductor may be surrounded by insulating films to be sealed.例文帳に追加

また、酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタを絶縁膜で囲んで封止すればよい。 - 特許庁

Thereby, by comparing the semiconductor thin film 42 with the case of providing on the same layer as the semiconductor thin films 25 and 26, it can be further miniaturized.例文帳に追加

これにより、半導体薄膜４２を半導体薄膜２５、２６と同一の層上に設ける場合と比較して、より一層の小型化を図ることができる。 - 特許庁

The insulating films 1 to 5 of the multiple layers include the inner insulating films 2 and 3 having photoconductivity in contact with the semiconductor thin film SL, and the outer insulating films 1 and 4 superposed thereon.例文帳に追加

この多層の絶縁膜１〜５は、半導体薄膜ＳＬに接して導光性のある内側絶縁膜２，３とこれに重なる外側絶縁膜１，４とを含む。 - 特許庁

The semiconductor composite device having the semiconductor thin films 304-308 joined on the metal layer 102 is in a structure with a region which includes an oxide of the metal layer between the semiconductor thin films and the metal layer 102.例文帳に追加

この金属層１０２の上に半導体薄膜３０４−３０８を接合してなる半導体複合装置であり、半導体薄膜と金属層１０２との間に金属層の酸化物を含む領域を有する構造とする。 - 特許庁

Semiconductor thin films 3, 4, and 5 are formed on an invar alloy substrate 14 through the intermediary of an adhesive layer 15 for the formation of a semiconductor device.例文帳に追加

半導体薄膜３、４、５が、接着層１５を介して、インバー型合金基板１４に形成された半導体素子。 - 特許庁

In the thin film thermoelectric element which is formed by laminating two or more p-type semiconductor thin films arranged in a reed screen shape and two or more n-type semiconductor thin films arranged in the reed screen shape, the p-type and n-type semiconductor thin films are connected in series and in zigzags at separated terminals in the longitudinal direction of the reed screen.例文帳に追加

本発明は、簾状に配された２以上のＰ型半導体薄膜と、簾状に配された２以上のＮ型半導体薄膜とが積層された薄膜熱電素子であって、Ｐ型及びＮ型半導体薄膜は、簾の長手方向に離間した端子部においてジグザク状に直列接続されている薄膜熱電素子である。 - 特許庁