semiconductor two-dimensional electronとは 意味・読み方・使い方

To prevent adverse effects due to intrusion of impurity ions in a semiconductor device using a two-dimensional electron gas (2DEG) as a channel.例文帳に追加

２ＤＥＧをチャンネルとして用いる半導体装置において、不純物イオンの侵入による悪影響を排除する。 - 特許庁

To form two-dimensional electron gas (2DEG) effectively while facilitating formation of a semiconductor device in which an inversion type high electron mobility transistor (HEMT) is configured of a nitride semiconductor.例文帳に追加

窒化物半導体により、反転型のＨＥＭＴが構成された半導体装置において、半導体装置の形成を容易としつつ２ＤＥＧを効果的に形成する。 - 特許庁

Due to this structure, there are positive fixed electric charges arising out of the spontaneous polarization effect or piezo polarization effect in the interface between an electron supply layer and the diamond semiconductor layer, and at the same time, a two-dimensional electron gas 13 is generated near the interface between the electron supply layer and the diamond semiconductor layer.例文帳に追加

これにより、電子供給層のダイヤモンド半導体層との界面には、自発性分極効果またはピエゾ分極効果に起因した正の固定電荷を有すると共に、電子供給層とダイヤモンド半導体層の界面近傍には２次元電子ガス１３が生成される。 - 特許庁

The semiconductor device includes a substrate, a first semiconductor layer provided on the substrate, and an energy band gap provided on the first semiconductor layer and larger than the first semiconductor layer and induces a two-dimensional electron gas on an interface between the first semiconductor layer and a second semiconductor layer.例文帳に追加

半導体装置が、基板と、基板の上に設けられる第１の半導体層と、第１の半導体層の上に設けられ、第１の半導体層より大きなエネルギーバンドギャップを有し、第１の半導体層と第２の半導体層との界面に２次元電子ガスを誘起する。 - 特許庁

In this case, when no voltage is applied to the gate electrode 36 in the HEMT 10, no two-dimensional electron gas layer (2DEG) is produced in a boundary 25 between the first semiconductor layer 24 and the second semiconductor layer 26.例文帳に追加

HEMT１０では、ゲート電極３６に電圧を印加していないときは、第１半導体層２４と第２半導体層２６の界面２５に２次元電子ガス層（2DEG）が発生していない。 - 特許庁

To provide a high electron mobility ZnO device having a "semiconductor with large band gap/semiconductor with small band gap/substrate" structure suitable for HEMT structure in which a two-dimensional electron gas layer is utilized as a channel layer.例文帳に追加

本発明は、ＨＥＭＴ構造に適した“大きなバンドギャップの半導体／小さなバンドギャップの半導体／基板”構造で、２次元電子ガス層をチャンネル層として利用する構造の高電子移動度ＺｎＯデバイスを提供することを課題とする。 - 特許庁

To achieve ohmic contact between an NbN superconductive electrode layer and a two-dimensional electron gas by inserting an In-Sn layer between the NbN superconductive electrode layer and a GaAs layer for heat treatment in a semiconductor coupled superconductive device having two NbN superconductive electrode layers that becomes the GaA layer for forming the two-dimensional electron gas and the source and drain electrode layer of a superconductive current.例文帳に追加

二次元電子ガスを形成するＧaＡ層と超伝導電流のソース及びドレイン電極層となる二つのＮbＮ超伝導電極層を有する半導体結合超伝導素子において、ＮbＮ超伝導電極層とＧaＡs層との層間にＩn−Ｓn層を挿入し熱処理することにより、ＮbＮ超伝導電極層と二次元電子ガスとのオーミック接触を実現させるものである。 - 特許庁

To provide a group III nitride semiconductor device having a channel layer composed of a group III nitride semiconductor containing Al and capable of improving current characteristics by enhancing mobility of two-dimensional electron gas, and to provide a group III nitride semiconductor stacked wafer used for manufacturing the group III nitride semiconductor device.例文帳に追加

Ａｌを含むIII族窒化物系半導体からなるチャネル層を備え、二次元電子ガスの移動度を高め電流特性を向上させることが可能なIII族窒化物半導体デバイス、及び該III族窒化物半導体デバイスの作製に用いられるIII族窒化物半導体積層ウェハを提供する。 - 特許庁