semiconductor tunnel structureとは 意味・読み方・使い方

A nonvolatile memory is constituted in a structure that a tunnel oxide film layer 102, a first polysilicon layer for a floating gate and a nitride film layer are deposited sequentially on the upper part of a semiconductor substrate 100.例文帳に追加

半導体基板１００の上部にトンネル酸化膜層１０２、フローティングゲート用の第１ポリシリコン層及び窒化膜層を順次的に蒸着する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a tunnel transistor that has a structure in which interband tunnelling is generated in a lateral direction, and has a large region where the interband tunnelling is generated.例文帳に追加

バンド間トンネリングが横方向に起こる構造を有し、バンド間トンネリングが起こる領域が大きいトンネルトランジスタを備える半導体装置を提供する。 - 特許庁

The semiconductor laser includes a structure including a tunnel diode structure 4 including a p^+ type bonding layer 4a and an n^+ type bonding layer 4b, and thereby an optical output caused by the multilayering of a laser structure can be increased (can be made to be a high output).例文帳に追加

ｐ^+型接合層４ａとｎ^+型接合層４ｂとにより構成されるトンネルダイオード構造４を備えた構造とすることで、レーザ構造の多層化による光出力の増大（高出力化）を図る。 - 特許庁

A tunnel oxide layer 102 and a first conductive layer 103 are formed in an active region on a semiconductor substrate 101, an element isolation structure 104 is formed in a field region.例文帳に追加

半導体基板１０１上のアクティブ領域にトンネル酸化層１０２と第１導電層１０３を形成し、フィールド領域には素子分離構造１０４を形成する。 - 特許庁

An amorphous silicon layer 106 is formed on the non-silicon based solar cell via a conductive interface structure 105 that is a semiconductor tunnel junction or the like to form an amorphous silicon-based solar cell.例文帳に追加

その上に半導体トンネル接合等による導電界面構造１０５を介してアモルファスシリコン層１０６を形成しアモルファスシリコンベースの太陽電池とする。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a nonvolatile semiconductor storage device, capable of improving film quality of a tunnel insulating film in a structure in which respective layers of a control gate electrode, an insulating film between gates, a floating gate electrode, and the tunnel insulating film are formed one by one from the bottom.例文帳に追加

下から順に、制御ゲート電極、ゲート間絶縁膜、浮遊ゲート電極、トンネル絶縁膜の各層を形成した構造において、トンネル絶縁膜の膜質を向上できるようにした不揮発性半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To apply a write-in mechanism which hardly makes a drain current flow like an FN(Flower Nordheim) tunnel phenomenon to a nonvolatile semiconductor memory device having main-sub-bit line structure.例文帳に追加

主−副ビット線構造を有する不揮発性半導体記憶装置に、ＦＮトンネル現象のようにドレイン電流をほとんど流さない書き込みメカニズムを適用できるようにする。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device having a stack gate structure comprising a floating gate electrode and a control gate electrode that are laminated, which is improved in tunnel insulating film and inter-electrode insulating film.例文帳に追加

フローティングゲート電極とコントロールゲート電極を積層したスタックゲート構成において、トンネル絶縁膜と電極間絶縁膜を改良した不揮発性半導体メモリ装置を提供する。 - 特許庁