semiconductor tunnel structureとは 意味・読み方・使い方

The semiconductor laser includes a structure including a tunnel diode structure 4 including a p^+ type bonding layer 4a and an n^+ type bonding layer 4b, and thereby an optical output caused by the multilayering of a laser structure can be increased (can be made to be a high output).例文帳に追加

ｐ^+型接合層４ａとｎ^+型接合層４ｂとにより構成されるトンネルダイオード構造４を備えた構造とすることで、レーザ構造の多層化による光出力の増大（高出力化）を図る。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a nonvolatile semiconductor storage device, capable of improving film quality of a tunnel insulating film in a structure in which respective layers of a control gate electrode, an insulating film between gates, a floating gate electrode, and the tunnel insulating film are formed one by one from the bottom.例文帳に追加

下から順に、制御ゲート電極、ゲート間絶縁膜、浮遊ゲート電極、トンネル絶縁膜の各層を形成した構造において、トンネル絶縁膜の膜質を向上できるようにした不揮発性半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The resonance tunnel diode has a structure sandwiching a quantum well layer between a pair of energy barrier layers, and the quantum well layer is composed of a semiconductor nano-structure (e.g. a single-layer carbon nanotube (CNT)) having an anisotropic atomic arrangement.例文帳に追加

本発明の共鳴トンネルダイオードは、量子井戸層を一対のエネルギ障壁層で挟んだ構造を持ち、量子井戸層は、異方的原子配列を持つ半導体ナノ構造体（例えば単層カーボンナノチューブ（ＣＮＴ））からなる。 - 特許庁

A nonvolatile memory element comprises a semiconductor substrate, a tunnel oxide film formed on one region of the semiconductor substrate, the floating gate of a trench structure formed on the tunnel oxide film, a control gate formed in the internal space of the trench structure of the floating gate, and an insulating film between the gates formed between the floating gate and the control gate.例文帳に追加

本発明に係る不揮発性メモリ素子は、半導体基板と、前記半導体基板の一領域上に形成されるトンネル酸化膜と、前記トンネル酸化膜上に形成されるトレンチ構造の浮遊ゲートと、前記浮遊ゲートのトレンチ構造の内部空間に形成される制御ゲートと、前記浮遊ゲートと制御ゲートの間に形成されるゲート間の絶縁膜とを含んで構成されることを特徴とする。 - 特許庁

To form a structure having a crystalline region of a fine size and a fine tunnel junction in a semiconductor with high accuracy and with good repeatability while flexibly coping with design.例文帳に追加

微小サイズを有する結晶領域と微小なトンネル接合を持つ構造を柔軟に設計に応じて半導体中に高精度、かつ再現性良く形成することである。 - 特許庁

An amorphous silicon layer 106 is formed on the non-silicon based solar cell via a conductive interface structure 105 that is a semiconductor tunnel junction or the like to form an amorphous silicon-based solar cell.例文帳に追加

その上に半導体トンネル接合等による導電界面構造１０５を介してアモルファスシリコン層１０６を形成しアモルファスシリコンベースの太陽電池とする。 - 特許庁

A tunnel oxide layer 102 and a first conductive layer 103 are formed in an active region on a semiconductor substrate 101, an element isolation structure 104 is formed in a field region.例文帳に追加

半導体基板１０１上のアクティブ領域にトンネル酸化層１０２と第１導電層１０３を形成し、フィールド領域には素子分離構造１０４を形成する。 - 特許庁

A nonvolatile memory is constituted in a structure that a tunnel oxide film layer 102, a first polysilicon layer for a floating gate and a nitride film layer are deposited sequentially on the upper part of a semiconductor substrate 100.例文帳に追加

半導体基板１００の上部にトンネル酸化膜層１０２、フローティングゲート用の第１ポリシリコン層及び窒化膜層を順次的に蒸着する。 - 特許庁