si薄膜の英語

To provide a laser irradiation method that is excellent in reliability and reproducibility, and forms a high-performance poly-Si thin film.例文帳に追加

信頼性及び再現性良く、高性能poly-Si薄膜が形成可能な、レーザ照射方法を提供する。 - 特許庁

A reflective mirror is constituted so that a reflection film 4 may be formed by laminating alternately a Mo thin film 2 with a low refraction substance and an Si thin film 3 with a high refraction substance on a substrate 1.例文帳に追加

反射ミラーにおいては、基板１の上に、低屈折物質であるMo薄膜２と高屈折物質であるSi薄膜３が交互に積層され、反射膜４を構成している。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor crystal film such as a poly-Si thin film on an insulating or a flexible substrate such as a glass with the use of low temperature process of not more than the softening point (500°C) of a glass.例文帳に追加

ガラスの軟化点（500℃）以下の低温プロセスを用いて、poly-Si薄膜などの半導体結晶膜をガラスなどの絶縁性、又は、柔軟性基板上に作製する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a technique for materializing a polycrystalline thin film having crystal structure capable of materializing high mobility as regards a positive hole carrier, by suppressing the grain boundary dispersion and lessening the surface irregularity in a cryogenic poly-Si thin film to serve as the element material of a thin film transistor, so as to materialize an image display of high performance and large area at low cost.例文帳に追加

高性能で大面積の画像表示装置を低コストで実現するため、薄膜トランジスタの素子材となる低温poly-Si薄膜において粒界散乱を抑制し、表面凹凸を小さくし、正孔キャリアについても高移動度が実現できる結晶構造を持つ多結晶薄膜を実現する技術を提供する。 - 特許庁

To realize a thin film transistor device having a high mobility by providing a technique for grain enlarging (pseudo-single crystal) a low temperature poly-Si thin film as an element material of the thin film transistor device in a state in which the thin film is aligned in an plane-orientation having an optimum lattice structure considering an interface distortion from a substrate and controlling a crystal position.例文帳に追加

薄膜トランジスタ装置の素子材となる低温poly-Si薄膜を、基板との界面歪みを考慮した最適格子構造を持つ面方位に揃えた状態で大粒径化（擬似的な単結晶）し、かつ結晶位置を制御するための技術を提供することで高移動度の薄膜トランジスタ装置を実現することにある。 - 特許庁

A thin film transistor device can materialize high mobility TFT by introducing Ge into the polycrystalline Si film, and varying Ge composition ratio between a crystal grain 7 and a crystal grain boundary 8 by the phase separation accompanying the crystallization thereby suppressing the carrier scattering factors at the crystal grain boundary 8, and besides by suppressing the surface irregularity, making use of the volume difference of the crystals.例文帳に追加

薄膜トランジスタ装置は、多結晶Si薄膜中にGeを導入し結晶化に伴う相分離で結晶粒内７と結晶粒界８との間にGe組成比を異ならせることで、結晶粒界８におけるキャリア散乱要因を抑制し、かつ結晶の体積差を利用して表面凹凸を抑制することにより高移動度ＴＦＴを実現する。 - 特許庁