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silicon dotとは 意味・読み方・使い方
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「silicon dot」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 29件
SILICON QUANTUM DOT DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME例文帳に追加
シリコン量子ドット装置とその製造方法 - 特許庁
METHOD AND APPARATUS FOR FORMING SILICON DOT, AND METHOD AND APPARATUS FOR FORMING SUBSTRATE WITH SILICON DOT AND INSULATING FILM例文帳に追加
シリコンドット形成方法及び装置並びにシリコンドット及び絶縁膜付き基板の形成方法及び装置 - 特許庁
NANOCRYSTALLINE SILICON QUANTUM DOT MEMORY DEVICE AND FORMATION METHOD THEREFOR例文帳に追加
ナノ結晶シリコン量子ドットメモリ装置及びその形成方法 - 特許庁
SILICON QUANTUM DOT AND BIOMATERIAL LABELING AGENT USING THE SAME例文帳に追加
シリコン量子ドット及びそれを用いた生体物質標識剤 - 特許庁
To provide method and device for forming silicon dot which are capable of forming the silicon dot, uniform in grain size, and density distribution, on a silicon dot formation objective substrate at low temperatures than before.例文帳に追加
シリコンドット形成対象基板上に、従来より、低温で、粒径の揃ったシリコンドットを均一な密度分布で形成することができるシリコンドット形成方法及び装置を提供する。 - 特許庁
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「silicon dot」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 29件
To provide a method for forming a silicon quantum dot having a nanosize minute, uniform characteristic.例文帳に追加
ナノサイズの微細で均一な特性を有するシリコン量子ドットを形成する方法を提供する。 - 特許庁
CORE/SHELL SILICON QUANTUM DOT AND BIOSUBSTANCE LABELING AGENT USING THE SAME例文帳に追加
コア/シェル型シリコン量子ドット及びそれを用いた生体物質標識剤 - 特許庁
To provide a nanocrystalline silicon quantum dot memory device and a related manufacturing method.例文帳に追加
ナノ結晶シリコン量子ドットメモリ装置と関連する製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a silicon quantum dot device having silicon quantum dots having different characteristics in multiple regions.例文帳に追加
複数の領域に異なる特性を有するシリコン量子ドットを有するシリコン量子ドット装置を提供する。 - 特許庁
LAYERED STRUCTURE WITH SILICON RICH DIELECTRIC LAYER CONTAINING SILICON NANO DOT, METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND SOLAR CELL CONTAINING LAYERED STRUCTURE WITH SILICON RICH DIELECTRIC LAYER CONTAINING SILICON NANO DOT, NON-VOLATILE MEMORY DEVICE, PHOTOSENSITIVE ELEMENT, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加
シリコンナノドットを含むシリコンリッチ誘電体層を備える多層構造体及びその製造方法、並びにそのシリコンナノドットを含むシリコンリッチ誘電体層を備える多層構造体含む太陽電池、不揮発メモリ素子、感光素子とその製造方法 - 特許庁
Under a high vacuum environment, the a-Si layer is heat-treated at a temperature which is 400°C or above and less than the melting point of silicon to form a plurality of silicon nano clusters 4 in the shape of a dot on the silicon oxide film 2.例文帳に追加
そして、超高真空下で、a−Si層を400℃以上かつシリコンの融点未満の温度で加熱処理してシリコン酸化膜2上に複数のドット状のシリコンナノクラスタ4を形成する。 - 特許庁
By so doing, a silicon quantum dot is formed that has a nanosize minute, uniform characteristic.例文帳に追加
このようにすれば、ナノサイズの微細で均一な特性を有するシリコン量子ドットを形成することができる。 - 特許庁
On the silicon substrate 107 of plane (111), a gold film Au is made to form a dot pattern 202 of 40 μm in array pitch and 15 μm in diameter.例文帳に追加
(111)面のシリコン基板107上に金Auを成膜して配列ピッチ40μm、直径15μmのドットパターン202を形成する。 - 特許庁
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