silicon dopeとは 意味・読み方・使い方

To provide a device for measuring the thickness of a silicon wafer having a high concentration dope layer on at least back side.例文帳に追加

少なくとも裏側に高濃度ドープ層を有するシリコンウエハの厚さを測定する装置を提供する。 - 特許庁

To obtain a silicon clathrate compound synthesized not only an n-type silicon clathrate with doped electrons but a p-type silicon clathrate compound with positive hole dope and provide its production.例文帳に追加

電子をドープしたｎ型シリコンクラスレートだけでなく、正孔（ホール）ドープによるｐ型シリコンクラスレート化合物の合成を行ったシリコンクラスレート化合物とその製造方法を提供する。 - 特許庁

On the other hand, the gate electrodes 31a, 31b are formed by reacting a non-dope silicon film with a metal film.例文帳に追加

また、ゲート電極３１ａ，３１ｂはノンドープのシリコン膜を金属膜と反応させることで形成される。 - 特許庁

A p-type silicon clathrate compound by positive hole dope can be synthesized in comparison with conventional n type silicon clathrate compounds doped with electrons.例文帳に追加

金属原子を内包し、電子をドープした従来からのｎ型シリコンクラスレート化合物に比較して、正孔（ホール）ドープによるｐ型シリコンクラスレート化合物の合成が可能となった。 - 特許庁

A wavelength which makes a light absorption ratio of a high concentration dope layer of the silicon wafer smallest is in a range where it is present within the bandwidth b.例文帳に追加

シリコンウエハの高濃度ドープ層の光吸収率を最少とする波長は，帯域幅ｂ内に存在する範囲である。 - 特許庁

In the method for producing the epitaxial silicon wafer, mentioned above, it is preferable to dope nitrogen in a concentration of 1×1013 to 1×1016 atom/cm3.例文帳に追加

(2) 上記(1)のエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法では、窒素濃度を１×10^13atoms／cm^3〜１×10^16atoms／cm^3の範囲でドープするのが望ましい。 - 特許庁

To grow a silicon epitaxial layer on a principal plane of a silicon single crystal substrate by vapor phase epitaxy at a rapid growth speed while suppressing the occurrence of auto-dope, particles, and cracks.例文帳に追加

オートドープ、パーティクル及びクラックの発生を抑制した状態で、高い成長速度を保ちながらシリコン単結晶基板の主表面にシリコンエピタキシャル層を気相成長させる。 - 特許庁

The lower-layer film 108 is formed by denaturalizing the amorphous film of non-dope silicon in a thermal process, with a rough 110 (figure 1 (b)) formed.例文帳に追加

下層膜１０８は，熱処理によりノンドープシリコンの非晶質膜から変化したものであり，凹凸１１０（図１（ｂ））が形成される。 - 特許庁