silicon dopingとは 意味・読み方・使い方

A p-type impurity doping region 11a is formed to an n-type silicon (Si) board 11.例文帳に追加

ｎ型シリコン（Ｓｉ）基板１１に、ｐ型不純物ドープ領域１１ａが形成されている。 - 特許庁

The silicon crystal is added Ga and B as a doping agent.例文帳に追加

シリコン結晶であって、ドープ剤としてＧａとＢが添加されたものであるシリコン結晶。 - 特許庁

In another example, n-type impurity doping regions 111a are formed to the p-type silicon board 111.例文帳に追加

他の例では、ｐ型シリコン基板１１１に、ｎ型不純物ドープ領域１１１ａが形成されている。 - 特許庁

A polycrystalline silicon is grown by doping a Ga compound which is solid at a temperature higher than the ordinary temperature.例文帳に追加

常温以上で固体であるＧａ化合物をドープして多結晶シリコンを育成する。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for producing a silicon single crystal capable of doping carbon in the silicon melt in high precision and in good reproducibility.例文帳に追加

シリコン融液中に炭素を高精度に且つ再現性良くドープできるシリコン単結晶製造方法および製造装置を提供する。 - 特許庁

A polycrystalline silicon, which is a precursor of a silicon single crystal, and a carbon doping agent are filled in a quartz crucible.例文帳に追加

石英ルツボ中に、シリコン単結晶の原料である多結晶シリコンと炭素ドープ剤を充填する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that can stably reduce harmonic distortion without injecting an impurity into a silicon layer or a silicon substrate for compensation doping.例文帳に追加

シリコン層又はシリコン基板に補償ドープのために不純物を注入する必要がなく、安定的に高調波歪を低減する。 - 特許庁

An epitaxial silicon wafer includes a bulk wafer having a first doping concentration, a first epitaxial layer formed over the bulk wafer, the first epitaxial layer having a second doping concentration which is higher than the first doping concentration, and a second epitaxial layer formed over the first epitaxial layer, the second epitaxial layer having a third doping concentration which is lower than the second doping concentration.例文帳に追加

本発明のエピタキシャルシリコンウェーハは、第１ドーピング濃度を有するバルクウェーハと、該バルクウェーハ上に前記第１ドーピング濃度より高い第２ドーピング濃度を有する第１エピタキシャル層と、該第１エピタキシャル層上に前記第２ドーピング濃度より低い第３ドーピング濃度を有する第２エピタキシャル層とを備える。 - 特許庁