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silicon image sensorとは 意味・読み方・使い方

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意味・対訳 シリコン画像センサー


日英・英日専門用語辞書での「silicon image sensor」の意味

silicon image sensor


「silicon image sensor」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 33



例文

IMAGE SENSOR ARRAY BY AMORPHOUS SILICON DIODE例文帳に追加

アモルファスシリコンダイオードによるイメージセンサアレイ装置 - 特許庁

The silicon chip 18 has an image sensor 20 mounted on the upper surface thereof.例文帳に追加

シリコンチップ18は、上面に撮像素子20を有する。 - 特許庁

To provide a solid-state image sensor capable of suppressing crosstalk generated above and inside a silicon substrate.例文帳に追加

シリコン基板上方と内部で発生するクロストークを抑制できる固体撮像素子を提供する。 - 特許庁

To provide a CMOS image sensor in which characteristics of the image sensor are improved by forming photodiodes in consideration of penetration depths into a silicon lattice structure that may be caused by wavelength differences in three primary colors and also to provide a method of manufacturing the CMOS image sensor.例文帳に追加

3源色の波長差によるシリコン格子構造の浸透深さを考慮してフォトダイオードを形成して、イメージセンサの特性を向上させたCMOSイメージセンサ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A CMOS image sensor includes: a silicon substrate; a silicon germanium epitaxial layer formed over the substrate; an undoped silicon epitaxial layer formed over the silicon germanium epitaxial layer; and a photodiode region formed in a predetermined depth from a top surface of the undoped silicon epitaxial layer to a part of the silicon germanium epitaxial layer.例文帳に追加

CMOSイメージセンサは、シリコン基板と、この基板上のシリコンゲルマニウムエピタキシャル層と、この層上のアンドープのシリコンエピタキシャル層と、この層の表面からシリコンゲルマニウムエピタキシャル層の一部に至るまでの所定の深さに形成されたフォトダイオード領域とを備える。 - 特許庁

The reflected light from the silicon carbide substrate is received by a linear image sensor (23) and the output signal is supplied to a signal processor (11).例文帳に追加

炭化珪素基板からの反射光はリニアイメージセンサ(23)により受光され、その出力信号は信号処理装置(11)に供給する。 - 特許庁

例文

To provide an image sensor in which a transparent electrode formed on an amorphous silicon layer can be protected against disconnection and a method of manufacturing the same.例文帳に追加

アモルファスシリコン層の上層に形成する透明電極に断線が生じることのないイメージセンサ及びその製造方法の提供。 - 特許庁

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クロスランゲージ 37分野専門語辞書での「silicon image sensor」の意味

silicon image sensor


「silicon image sensor」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 33



例文

The light reflected from the silicon carbide substrate is received by a linear image sensor (23), and an output signal thereof is supplied to a signal processing device (11).例文帳に追加

炭化珪素基板からの反射光はリニアイメージセンサ(23)により受光され、その出力信号は信号処理装置(11)に供給する。 - 特許庁

The black reference area may be connected to a silicon substrate to be a matrix of the image sensor 2 by a thermal conductive film and is formed by providing an optical light shielding film on silicon dioxide covering a photosensor area.例文帳に追加

黒基準領域は、光学イメージセンサ2の母体となるシリコン基板と熱伝導性膜で接続してもよく、フォトセンサ領域を覆う二酸化シリコン上に光学遮光膜を設けることにより形成される。 - 特許庁

This solid-state image sensor 1 has a rear surface irradiated type structure, and comprises the lenses 7 in the rear surface of a silicon layer 2 in which the light-receiving sensor section PD is formed, and an insulating layer 13, used as an alignment mark which, is embedded and formed in the silicon layer 2 in the periphery of an imaging region 20.例文帳に追加

裏面照射型構造を有し、受光センサ部PDが形成されたシリコン層2の裏面側にレンズ7を有し、撮像領域20の周辺においてシリコン層2に位置合わせマークとして用いられる絶縁層13が埋め込まれて形成されている固体撮像素子1を構成する。 - 特許庁

Silicon fragments, formed by dicing and an organic substance, are used as objects for foreign matters adhering onto the image sensor (CCD sensor) surface, and inspection for detecting them is performed.例文帳に追加

前述の課題を解決するために、本発明では、イメージセンサ(CCDセンサ)表面上に付着した異物としてダイシングによって生じたシリコン破片と有機物を対象とし、それらを検出する検査を行う。 - 特許庁

To provide a range sensor and a range image sensor using a silicon substrate which have practically sufficient sensitivity characteristics to a wavelength band including near-infrared wavelength.例文帳に追加

シリコン基板を用いた距離センサ及び距離画像センサであって、近赤外を含む波長帯域に実用上十分な感度特性を有する距離センサ及び距離画像センサを提供すること。 - 特許庁

To provide an image display unit having a built-in a photo-sensor comprising a photo-sensor element with high sensitivity and low noise and a polycrystalline silicon TFT formed at the same time on an insulating substrate using a planer process.例文帳に追加

高感度・低ノイズの光センサ素子と多結晶シリコンTFTとを、絶縁膜基板上にプレナプロセスを用いて同時に形成した光センサ内蔵画像表示装置 - 特許庁

This CMOS image sensor is provided with a silicon substrate 21; a silicon germanium epitaxial layer grown on the silicon substrate via an epitaxial process and doped with a predetermined concentration of impurities; an undoped silicon epitaxial layer grown on the silicon germanium epitaxial layer via the epitaxial process; and a photodiode region formed in a predetermined depth from the surface of the undoped silicon epitaxial layer 25 to one part of the silicon germanium epitaxial layer 100.例文帳に追加

本発明のCMOSイメージセンサは、シリコン基板と、該シリコン基板上にエピタキシャル工程を介して成長し、所定濃度の不純物がドーピングされたシリコンゲルマニウムエピタキシャル層と、該シリコンゲルマニウムエピタキシャル層上に、エピタキシャル工程を介して成長させたアンドープのシリコンエピタキシャル層と、該アンドープのシリコンエピタキシャル層の表面から前記シリコンゲルマニウムエピタキシャル層の一部に至るまでの所定の深さに形成されたフォトダイオード領域とを備える。 - 特許庁

例文

The semiconductor imaging device comprises a silicon substrate 11, a sensor section 20 provided on the silicon substrate 11 while having a plurality of solid state image sensors pij and electrodes for outputting signal charges by performing photoelectric conversion of received light, and a color filter layer 26 provided on the sensor section 20 wherein the color filter layer contains infrared light absorbing pigment.例文帳に追加

シリコン基板11と、受けた光を光電変換して信号電荷を出力するための複数の固体撮像素子pij及び電極を有してシリコン基板11に設けられたセンサ部20と、このセンサ部20上に設けられたカラーフィルタ層26とを備え、カラーフィルタ層は、赤外光吸収性の色素を含むものである。 - 特許庁

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