silicon image sensorとは 意味・読み方・使い方

To provide a range sensor and a range image sensor using a silicon substrate which have practically sufficient sensitivity characteristics to a wavelength band including near-infrared wavelength.例文帳に追加

シリコン基板を用いた距離センサ及び距離画像センサであって、近赤外を含む波長帯域に実用上十分な感度特性を有する距離センサ及び距離画像センサを提供すること。 - 特許庁

The light reflected from the silicon carbide substrate is received by a linear image sensor (23), and an output signal thereof is supplied to a signal processing device (11).例文帳に追加

炭化珪素基板からの反射光はリニアイメージセンサ（２３）により受光され、その出力信号は信号処理装置（１１）に供給する。 - 特許庁

The reflected light from the silicon carbide substrate is received by a linear image sensor (23) and the output signal is supplied to a signal processor (11).例文帳に追加

炭化珪素基板からの反射光はリニアイメージセンサ（２３）により受光され、その出力信号は信号処理装置（１１）に供給する。 - 特許庁

To provide a silicon thermopile, which is raised in sensitivity by forming a polysilicon film at a high integration degree and has high resolution appropriate as an image sensor.例文帳に追加

ポリシリコンを高集積度で形成することにより感度を向上させた、画像センサとしての解像度の高いシリコンサーモパイルを提供すること。 - 特許庁

This CMOS image sensor is provided with a silicon substrate 21; a silicon germanium epitaxial layer grown on the silicon substrate via an epitaxial process and doped with a predetermined concentration of impurities; an undoped silicon epitaxial layer grown on the silicon germanium epitaxial layer via the epitaxial process; and a photodiode region formed in a predetermined depth from the surface of the undoped silicon epitaxial layer 25 to one part of the silicon germanium epitaxial layer 100.例文帳に追加

本発明のＣＭＯＳイメージセンサは、シリコン基板と、該シリコン基板上にエピタキシャル工程を介して成長し、所定濃度の不純物がドーピングされたシリコンゲルマニウムエピタキシャル層と、該シリコンゲルマニウムエピタキシャル層上に、エピタキシャル工程を介して成長させたアンドープのシリコンエピタキシャル層と、該アンドープのシリコンエピタキシャル層の表面から前記シリコンゲルマニウムエピタキシャル層の一部に至るまでの所定の深さに形成されたフォトダイオード領域とを備える。 - 特許庁

The black reference area may be connected to a silicon substrate to be a matrix of the image sensor 2 by a thermal conductive film and is formed by providing an optical light shielding film on silicon dioxide covering a photosensor area.例文帳に追加

黒基準領域は、光学イメージセンサ２の母体となるシリコン基板と熱伝導性膜で接続してもよく、フォトセンサ領域を覆う二酸化シリコン上に光学遮光膜を設けることにより形成される。 - 特許庁

Silicon fragments, formed by dicing and an organic substance, are used as objects for foreign matters adhering onto the image sensor (CCD sensor) surface, and inspection for detecting them is performed.例文帳に追加

前述の課題を解決するために、本発明では、イメージセンサ（ＣＣＤセンサ）表面上に付着した異物としてダイシングによって生じたシリコン破片と有機物を対象とし、それらを検出する検査を行う。 - 特許庁

Due to high transmissivity of the SOG 306 and the adoption of the silicon oxynitride layer 310, the transmissivity for blue-color light in the semiconductor image sensor can be improved.例文帳に追加

前記ＳＯＧ３０６の高い透過率と前記酸窒化シリコン層３１０とを利用することにより、前記半導体イメージセンサによる青色光の透過率は高められる。 - 特許庁