silicon imaging deviceとは 意味・読み方・使い方

To provide: a solid-state imaging device that suppresses deterioration in pixel characteristics due to a crystal defect caused in a silicon layer; a method of manufacturing the same; and a camera.例文帳に追加

シリコン層に結晶欠陥が生じて画素特性が悪化を抑制する固体撮像装置とその製造方法並びにカメラを提供する。 - 特許庁

This imaging device is characteristic in that a CPU core of a main body control part and a CPU core of an image processing part are configured on one silicon.例文帳に追加

本体制御部のＣＰＵコアと画像処理部のＣＰＵコアを同一シリコン上に構成することを特徴とする。 - 特許庁

To provide an N-type silicon epitaxial wafer capable of drastically improving the yield of a device wafer, especially, a device wafer of an imaging element, and a method for evaluating the N-type silicon epitaxial wafer and a manufacturing method therefor.例文帳に追加

デバイスウエーハ、特には撮像素子デバイスウエーハの特性悪化による歩留りを大幅に向上させることが可能なＮ型シリコンエピタキシャルウエーハを提供する。 - 特許庁

To solve the problem wherein, when inspecting a defect by an image acquired by imaging a surface of a polycrystal silicon wafer such as a solar cell wafer by an imaging device, a pattern of a crystallite of the silicon wafer is imaged in a normal visible light illumination, and thereby discrimination from a defect existing on the surface is difficult.例文帳に追加

太陽電池ウェーハなどの多結晶シリコンウェーハの表面を撮像装置で撮像した画像によって欠陥検査を行う場合、通常の可視光照明では、シリコンウェーハの結晶体の模様が撮像されて、表面にある欠陥との判別が困難である。 - 特許庁

To provide a solid-state imaging device capable of reducing short-circuiting failures occurring between a silicon substrate and a conductor layer in a through electrode formed in a through hole of the silicon substrate.例文帳に追加

シリコン基板の貫通孔に形成される貫通電極において、シリコン基板と導電体層との間に発生するショート不良を低減することができる固体撮像装置を提供する。 - 特許庁

To provide a radiation-sensitive composition for forming a color filter used for a solid-state imaging device excellent in resolution without generating residues and scumming on a silicon substrate or a silicon nitride substrate.例文帳に追加

シリコン基板や窒化シリコン基板上で残渣や地汚れを生じることなく、且つ解像性に優れた、固体撮像素子に用いられるカラーフィルタを形成するための感放射線性組成物を提供する。 - 特許庁

Further, rear face incident type imaging device comprises; a recess that is provided by etching the silicon substrate from a rear side while the rear surface of the recess has an opposite region that opposes the light detection section by pinching the silicon substrate having nearly a fixed film thickness; and a light shielding film for covering the rear side of the silicon substrate excluding the opposite region.例文帳に追加

更に、シリコン基板を裏面側からエッチングして設けられた凹部であって、凹部の底面が、略一定膜厚のシリコン基板を挟んで光検出部と対向する対向領域を有する凹部と、対向領域を除いてシリコン基板の裏面側を覆う遮光膜とを含む。 - 特許庁

In a solid state imaging device equipped with a multilayered charge transfer electrode, a multilayered polycrystalline silicon electrode is formed, a side wall insulating film is interposed between side walls, and a silicide film is formed in a self-aligned manner on the exposed surface of the polycrystalline silicon film coming up from the side wall insulating film.例文帳に追加

多層電極構造の電荷転送電極を有する固体撮像素子において、複数層の多結晶シリコン電極を形成し、これらの側壁に側壁絶縁膜を介在させ、側壁絶縁膜から露呈する多結晶シリコン膜表面に自己整合的にシリサイド膜を形成したことを特徴とする。 - 特許庁