silicon sensingとは 意味・読み方・使い方

This semiconductor sensing device is constituted by forming an inorganic oxide such as a silicon oxide on a silicon substrate, by forming an organic silane monomolecular film thereon, and by using the monomolecular film as a direct detection part.例文帳に追加

シリコン基板上にシリコン酸化物などの無機酸化物を形成し、その上に有機シラン単分子膜を形成し、この単分子膜を直接的な検出部として用いる。 - 特許庁

The space 10 surrounded by the silicon substrate 2 having the sensing section 5, the first structure 3, and the second structure 4, namely the space 10 surrounding the sensing section 5, is vacuum.例文帳に追加

センシング部５の形成されたシリコン基板２と第１の構造体３と第２の構造体４とによって囲まれた空間１０、すなわち、センシング部５を取り囲む空間１０が真空になっている。 - 特許庁

Both front and back surfaces of an insulating film on a silicon substrate are provided with the sensing element made of sintered bodies and heater parts and the compensating element.例文帳に追加

シリコン基板上にある絶縁膜の表面と裏面の両面に焼結体およびヒーター部から成る検知素子と補償素子を設ける。 - 特許庁

An upper cap 2 made of silicon which is a second cap is joined to the lower cap 3 by the anode joint in addition to the sensing element 1.例文帳に追加

下部キャップ３には、センシングエレメント１に加えて第２のキャップたるシリコンからなる上部キャップ２が陽極接合により接合される。 - 特許庁

A non-silicon light-sensing device located in a least a portion of a crystalline material can output electrons generated by light absorption therein.例文帳に追加

結晶材料の少なくとも一部にある非シリコン光センスデバイスは、内部の光吸収によって生成された電子を出力することができる。 - 特許庁

The gas-sensing semiconductor device 1 is fabricated on a silicon substrate 2 having a thin silicon oxide insulating layer 3 in which a resistive heater 6 made of a CMOS compatible high temperature metal is embedded.例文帳に追加

ガス検知半導体装置１は、シリコン基板２上に形成され、当該シリコン基板２は、ＣＭＯＳ技術互換性のある高温金属からなるヒーター６が埋め込まれた酸化ケイ素絶縁薄膜３を有している。 - 特許庁

The infrared sensor 1 comprises an infrared sensing section 5 that is formed on a silicon substrate 2 and receives infrared rays to vary the output, a first structure 3 made of glass so as to surround the sensing section 5, and a second structure 4 that is located in the upper part of the first structure 3 and made of silicon.例文帳に追加

赤外線センサ１は、シリコン基板２上に形成され赤外線を受けて出力変化する赤外線センシング部５と、センシング部５を囲むようにガラスで形成された第１の構造体３と、第１の構造体３の上部に位置してシリコンで形成された第２の構造体４と、を備えている。 - 特許庁

According to the method, a photodiode which can sense short wavelength light can be embodied only by means of a silicon semiconductor substrate having a porous silicon layer without using another compound semiconductor substrate which is proper for sensing of short wavelength light.例文帳に追加

本発明によると、短波長光の感知に適した別途の化合物半導体基板を用いずとも、多孔質シリコン層を備えたシリコン半導体基板だけで短波長光が感知できるフォトダイオードを具現することができる。 - 特許庁