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single halogen layerとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 単一ハロゲン層
「single halogen layer」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 12件
A single crystal semiconductor layer which is a separated surface layer part of a single crystal semiconductor substrate and is transferred is used as the photovoltaic layer and includes a structure in which an extrinsic semiconductor layer added with hydrogen or halogen is provided on a light incident surface or on an opposite surface.例文帳に追加
光電変換層としての機能を奏する単結晶半導体層は単結晶半導体基板の表層部を剥離して転置されたものが適用され、水素若しくはハロゲンが添加された不純物半導体層を光入射側若しくはその反対側の面に設ける構成を含む。 - 特許庁
To provide a non-halogen-based flame-retardant adhesive composition excellent in an anti-migration property even in a copper-clad laminate plate of not only a single layer plate structure but also a multi-layer plate structure made to high density.例文帳に追加
単層板構造のみならず、高密度化された多層板構造の銅張積層板等においても耐マイグレーション性に優れる非ハロゲン系難燃性接着剤組成物を提供する。 - 特許庁
An oxide film containing halogen is formed on each of surfaces of a single crystal semiconductor substrate and of a semiconductor substrate provided with a single crystal semiconductor layer separated from the single crystal semiconductor substrate, whereby impurities that exist on the surfaces of and inside the substrates are decreased.例文帳に追加
単結晶半導体基板と、単結晶半導体基板から分離した単結晶半導体層が設けられた半導体基板と、の表面に、ハロゲンを含有する酸化膜を形成することで、基板表面又は内部に存在する不純物を減少させる。 - 特許庁
The semiconductor substrate has: a junction layer forming a junction surface between a support substrate and a single-crystal semiconductor layer; a barrier layer formed by an insulating material containing nitrogen; a relaxing layer formed by an insulating material containing 1-20 atom% hydrogen while nitrogen concentration is less than 20 atom%; and an insulation layer containing halogen.例文帳に追加
半導体基板は、支持基板と単結晶半導体層の間に接合面を形成する接合層、窒素含有絶縁材料で形成されるバリア層、窒素濃度が20原子%未満であって水素を1〜20原子%含む絶縁材料で形成される緩和層、ハロゲンを含有する絶縁層を有する。 - 特許庁
Then, the single crystal silicon thin film 106 is patterned to form an island-like silicon layer 108, and is subjected to thermal oxidation processing in an oxidation atmosphere containing halogen element, thereby obtaining the island-like silicon layer 109 in which trap level and defect are removed.例文帳に追加
次に単結晶シリコン薄膜106をパターニングして島状シリコン層108とした後、ハロゲン元素を含む酸化性雰囲気中で熱酸化処理を行うことで、トラップ準位や欠陥の除去された島状シリコン層109を得る。 - 特許庁
The electrophotographic photoreceptor has at least a photoconductive layer, wherein the photoconductive layer comprises a non-single-crystalline material based on silicon and containing at least hydrogen and/or halogen atoms, and the photoreceptor has a mechanically readable individual recognition code.例文帳に追加
本発明は、少なくとも光導電層を有する、電子写真感光体であって、該光導電層は、珪素を母体とし、少なくとも水素原子および/またはハロゲン原子を含有する非単結晶材料からなり、該感光体に、機械で読取可能な個体識別コードを有していることを特徴とする。 - 特許庁
To provide a highly heat-resistant rubber composition excellent not only in electric insulation, barrier properties and the like but in characteristics as rubber such as small compression set, having a halogen content made as low as possible and excellent also in heat resistance and capable of forming an opening sealing body of a single layer structure for an electrolytic capacitor, and an opening sealing body of a single layer structure for an electrolytic capacitor excellent in the above various characteristics.例文帳に追加
電気絶縁性、バリア性等に優れる上、圧縮永久ひずみが小さいなどゴムとしての特性にも優れ、ハロゲンの含有量が極力少なく、しかも耐熱性にも優れた単層構造の電解コンデンサ用封口体を形成しうる高耐熱ゴム組成物と、前記各特性に優れた単層構造の電解コンデンサ用封口体とを提供する。 - 特許庁
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「single halogen layer」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 12件
The digital full-color electrophotographic apparatus is constituted by using: a light source having a emission wavelength at 380 to 450 nm as an exposure means; and an image carrying body having a photoconductive layer made of a non-single crystal material essentially comprising silicon atoms and containing hydrogen atoms and/or halogen atoms.例文帳に追加
デジタルフルカラー電子写真装置において、該露光手段として380〜450nmに発光波長を有する光源を用い、シリコン原子を母体とする水素原子及び/またはハロゲン原子を含有する非単結晶材料からなる光導電層の像担持体を用いる。 - 特許庁
This method removes in advance a surface oxide layer 22 on a template substrate having a nitride aluminum crystal layer 21 on the surface of a nitride aluminum single crystal substrate or a substrate 23 employing sapphire as a base material through etching by halogen like chlorine gas and then epitaxially grows a group III nitride like a nitride aluminum film 24 on the corresponding substrate to form a group III nitride and a laminated substrate.例文帳に追加
窒化アルミニウム単結晶基板やサファイア等の母材基板23表面に窒化アルミニウム結晶層21を表面に有するテンプレート基板の表面を予め塩素ガスなどのハロゲンガスでエッチング処理して表面酸化層23を除去し、次いで該基板上に窒化アルミニウム膜24などのIII族窒化物をエピタキシャル成長させてIII族窒化物並びに積層基板を製造する。 - 特許庁
In the flat cable of a parallel plurality of single and/or twisted insulated electric wires of conductors covered with a halogen-free, flame- retardant resin composition as the insulating layers, wholly covered with the flame-retardant resin composition as the sheath layer, the flat cable has silicone oil mediating between the insulating layers and the sheath layer and between the insulating layers.例文帳に追加
導体の外周にハロゲンを含まない難燃性樹脂組成物を絶縁層として被覆してなる絶縁電線の単線および、または撚線を複数本並列に並べて、前記難燃性樹脂組成物をシース層として一括被覆した平形ケーブルであって、前記絶縁層と前記シース層の間および前記絶縁層同士の間にシリコーンオイルを介在させたことを特徴とする平形ケーブルで解決される。 - 特許庁
In the flat cable of a parallel plurality of single and/or twisted insulated electric wires of conductors covered with a halogen-free, flame- retardant resin compositions as the insulating layers, wholly covered with the flame-retardant resin composition as the sheath layer, the flat cable has silicone powder added in the flame-retardant resin composition of at least one of the insulating layers and the sheath layer.例文帳に追加
導体の外周にハロゲンを含まない難燃性樹脂組成物を絶縁層として被覆してなる絶縁電線の単線および、または撚線を複数本並列に並べて、前記難燃性樹脂組成物をシース層として一括被覆した平形ケーブルであって、前記絶縁層または前記シース層の少なくとも一方の前記難燃性樹脂組成物にシリコーンパウダーが添加されていることを特徴とする平形ケーブルで解決される。 - 特許庁
The electrophotographic photoreceptive member has a cylindrical electrically conductive substrate and a photoconductive layer comprising a silicon-base non-single crystalline material containing hydrogen, halogen and at least one of the group IIIb elements of the Periodic Table on the surface of the substrate.例文帳に追加
円筒状導電性支持体と、支持体の表面上に水素原子、ハロゲン原子及び周期律表第IIIb族元素からなる群より選択された少なくとも一つの元素を含有しシリコン原子を母体とする非単結晶材料からなる光導電層とを有し、光導電層の表面側で実質的に光を吸収する領域の膜厚A(mm)、光受容部材の直径D(mm)、光受容部材の回転速度B(mm/sec)及び帯電前露光と帯電器の間の角度C(rad)が、下記式(1)で示される関係にある電子写真用光受容部材。 - 特許庁
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