spontaneous currentとは 意味・読み方・使い方

A disadvantage of current available mobile devices is the lack of a wireless communication capability supporting spontaneous networking.発音を聞く 例文帳に追加

現在入手できるモバイル装置の不利な点は、スポンテニアス・ネットワークをサポートする無線通信能力の欠如にある。 - コンピューター用語辞典

The resistance value R1 of the resistor 12 is set to such a value that a current sufficient to make up spontaneous discharging from the battery 2 is passed through the first charging path.例文帳に追加

抵抗器１２の抵抗値Ｒ１は、バッテリ２の自然放電分を補充し得る電流を第１充電経路に流す値に設定する。 - 特許庁

Provided is a switch which connects a constant current source directly to the spontaneous light emitting element to detect characteristics of the spontaneous light emitting element and to generate coordinates, and information thereof is converted into a system communication signal to transfer an input causing temperature variation to a system side.例文帳に追加

自発光素子に定電流源を直接接続するスイッチを設け、自発光素子の特性の検出、座標生成を可能とし、その情報をシステム通信信号に変換することにより、温度変動を伴う入力をシステム側に転送する。 - 特許庁

A current block layer 8, an n-GaInP step-punching generation payer 9, and an n-GaInP ordered-structure formation layer (a spontaneous superlattice layer) 10, are epitaxially grown.例文帳に追加

電流ブロック層８、ｎ−ＧａＩｎＰステップバンチング発生層９、ｎ−ＧａＩｎＰ秩序構造形成層（自然超格子層）１０をエピタキシャル成長させる(ａ)。 - 特許庁

Since the polarization state of the layer 6 is spontaneous, the polarization state can be held (stored) and discriminated (read out) by the channel current of the transistor.例文帳に追加

この強誘電体層６の分極状態は自発性であるため、分極の状態を保持（記憶）し、かつこの状態をトランジスタのチャネル電流に判別（読み出し）させることができる。 - 特許庁

A ferroelectric 1 is arranged between electrodes 2 and 3, a voltage E with a specific polarity is applied between the electrodes for orientating spontaneous polarization and for writing data, a read voltage V that is smaller than the write voltage is applied between the electrodes for detecting a current corresponding to the direction of the spontaneous polarization and for reading data.例文帳に追加

電極（２）、（３）間に強誘電体（１）を配置し、電極間に所定極性の電圧（Ｅ）を印加して自発分極を配向させてデータを書き込み、書き込み電圧より小さい読み取り電圧（Ｖ）を電極間に印加して自発分極の向きに応じた電流を検出してデータを読み取るようにしたものである。 - 特許庁

This magnetic random access memory comprises a substrate (1), a magnetoresistive element (5) which includes a ferromagnetic layer (8) having reversible spontaneous magnetization and whose resistance changes according to the direction of the spontaneous magnetization and which is formed above the substrate (1), and wiring (1) through which a current for generating a magnetic field applied to the magnetoresistive element (5) flows.例文帳に追加

本発明による磁気ランダムアクセスメモリは，基板（１）と、反転可能な自発磁化を有する強磁性層（８）を含み，自発磁化の方向に応じて抵抗が変化し，且つ，前記基板（１）の上方に形成された磁気抵抗素子（５）と，磁気抵抗素子（５）に印加される磁場を発生する電流を流すための配線（１１）とを備えている。 - 特許庁