surface diffusion coefficientとは 意味・読み方・使い方

To enhance an extraction computation speed of a diffusion coefficient extraction which determines the diffusion coefficient related to a diffusion phenomenon in a diffusion phenomenon in which regions such as a grain boundary, an interface, a surface, and the like are spatially biased from a mean square-root displacement, by tracing atoms by use of a molecular dynamic method, and eliminate an offset of atomic vibrations.例文帳に追加

分子動力学法を用いて原子をトレースして平均二乗変位から粒界、界面、表面などの領域が空間的に偏った拡散現象に関する拡散係数を求める拡散係数抽出の抽出計算速度を向上するとともに、原子振動のオフセットを取り除くことを可能にする。 - 特許庁

A coefficient of static friction μ between a surface of the light diffusion plate 12 in contact with the anti-deflection pin 14 and a tip of the anti-deflection pin 14 is to be 0.25 or less.例文帳に追加

光拡散板１２のたわみ防止ピン１４に当接する表面と、たわみ防止ピン１４の先端との間の静摩擦係数μが０．２５以下となっている。 - 特許庁

A surface of a silicon oxide film 6 which is embedded inside a device isolation trench 4 is formed with a nitrogen introduction layer 7 having a small diffusion coefficient relative to an oxidation agent.例文帳に追加

素子分離溝４の内部に埋め込まれた酸化シリコン膜６の表面部分には、酸化剤に対する拡散係数が小さい窒素導入層７が形成されている。 - 特許庁

In the second opening 5b, a second semiconductor layer 7 having an impurity diffusion coefficient smaller than that of the semiconductor substrate 1 is formed on the surface of the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

第２開口５ｂの内部において、半導体基板１より小さい不純物拡散係数を有する第２半導体層７を半導体基板１の表面に形成する。 - 特許庁

The mechanical stress is exerted on the surface of an alloy 1 containing Al to generate lattice defects, to increase the diffusion coefficient of oxygen to Al in a surface layer, and to promote generation of an Al_2O_3 film 4.例文帳に追加

Ａｌを含有する合金１表面に、機械的応力を付与し、格子欠陥を発生させ、表面層でのＡｌに対する酸素の拡散係数を増大させ、Ａｌ2 Ｏ3 皮膜４の生成を促進させる。 - 特許庁

Then, a lightly-doped second N-type semiconductor layer 4 is epitaxially grown on such a surface of the layer 2, and the layer 18 having a large diffusion coefficient is embedded therein.例文帳に追加

第１Ｎ型半導体層の一方の表面に低濃度の第２Ｎ型半導体層４をエピタキシャル成長させるとともに，上記拡散係数の大きいＮ型半導体層１８を埋め込む。 - 特許庁

A concentration distribution of the impurity varies in the vicinity of the surface of the substrate at the time of oxidation according to a size of a segregation coefficient of the impurity, a diffusion speed in an Si and an SiO_2 of the impurity, or the like, in an Si-SiO_2 interface.例文帳に追加

Ｓｉ−ＳｉＯ_2界面においては、不純物の偏析係数、不純物のＳｉ及びＳｉＯ_2中の拡散速度の大小等によって、酸化時に基板表面近くで不純物の濃度分布が変化する。 - 特許庁

A structure of a bonding pad for a copper metallized integrated circuit comprises a first barrier metal layer deposited on a surface of a non- oxidative copper having a copper diffusion coefficient at 250°C of lower than 1×10E-23 cm2/s and a thickness of about 0.5 to 1.5 μm.例文帳に追加

この構造は、銅拡散係数が２５０℃において１×１０Ｅ−２３ｃｍ^2／ｓ未満、厚さが約０．５から１．５μｍである、非酸化銅表面上に堆積させた第１のバリア金属層を含む。 - 特許庁