surface-barrier diodeとは 意味・読み方・使い方

To provide a SBD(Schottky Barrier Diode) element where the Schottky contact area is increased, by providing it with a trench groove on the surface of silicon, and also where the forward voltage VF is small and its control is easy, by using plural kinds of barrier metals different in work function.例文帳に追加

シリコン表面にトレンチ溝を設けてショットキー接触面積を増大すると共に、仕事関数の異なる複数種類のバリア金属を用いることで、順方向電圧ＶＦが小さく且つその制御が容易なＳＢＤ素子を得る。 - 特許庁

A vacuum deposition device is equipped with a wafer support substrate, a lamp heater, and a first and a second evaporation source that are all installed in the same vacuum device, and three processes of forming the barrier metal layer of the Schottky barrier diode, carrying out an annealing process, and forming a surface electrode are continuously carried out in the same vacuum device.例文帳に追加

同一真空装置内にウェハ支持基板、ランプヒーター、第１および第２の蒸発源を設置した真空蒸着装置を用い、ショットキーバリアダイオードのバリアメタル層形成、アニール処理、表面電極形成の３工程を同一真空装置内で連続して行う。 - 特許庁

In the Schottky barrier diode 1, a guard ring 13 contacting a Schottky metal 9 of the anode electrode 7 is formed in a surface portion of the SiC epitaxial layer 4.例文帳に追加

このショットキーバリアダイオード１において、ＳｉＣエピタキシャル層４の表層部に、アノード電極７のショットキーメタル９に接するガードリング１３を形成する。 - 特許庁

One embodiment is a Schottky barrier diode (10) made from GaN based material whose Fermi level (or surface potential) is not pinned.例文帳に追加

本発明の一実施形態は、そのフェルミ準位（または表面ポテンシャル）がピン止めされないＧａＮ系材料から作成されたショットキー障壁ダイオード（１０）である。 - 特許庁

To constitute a Schottky barrier diode element which allows high-speed operation with lower forward voltage by allowing a Schottky contact surface to be partially low impurity concentration.例文帳に追加

ショットキー接触面を部分的に低不純物濃度にすることにより、高速動作が可能で順方向電圧ＶＦが小さいＳＢＤ素子を構成する。 - 特許庁

In a Schottky barrier diode 11, a main surface 13a of an n-type barium nitride semiconductor layer 13 includes first and second areas 13b and 13c.例文帳に追加

ショットキバリアダイオード１１では、ｎ型窒化ガリウム系半導体層１３の主面１３ａは、第１のエリア１３ｂと第２のエリア１３ｃとを含む。 - 特許庁

To avoid causing a barrier to be produced against transferred charges because of mismatched edge positions of the transfer gates with opposite conduction type regions (pining regions) on a photodiode surface for forming an embedded diode structure.例文帳に追加

埋込ダイオード構造を形成するためのフォトダイオード表面の逆導電型領域（ピニング領域）と転送ゲートとのエッジ位置の不整合により、転送電荷に対するバリアが生じてしまうこと。 - 特許庁

This Schottky barrier diode 10 includes a substrate, a GaN layer 3 formed on the substrate, and a Schottky electrode 4 formed in contact with a surface of the GaN layer 3.例文帳に追加

ショットキーバリアダイオード１０は、基板と、基板上に形成されたＧａＮ層３と、ＧａＮ層３上に接して形成されたショットキー電極４とを備えている。 - 特許庁