surface-barrier diodeとは 意味・読み方・使い方

On the surface of circuit board facing the organic light-emitting diode, a metal coating 104 as a permeation barrier is provided over its whole region.例文帳に追加

有機発光ダイオードの方を向く回路基板の表面には、その全体の領域上に、透過バリアとしての金属コーティング１０４が備えられている。 - 特許庁

In the Schottky barrier diode 1, a guard ring 13 contacting a Schottky metal 9 of the anode electrode 7 is formed in a surface portion of the SiC epitaxial layer 4.例文帳に追加

このショットキーバリアダイオード１において、ＳｉＣエピタキシャル層４の表層部に、アノード電極７のショットキーメタル９に接するガードリング１３を形成する。 - 特許庁

One embodiment is a Schottky barrier diode (10) made from GaN based material whose Fermi level (or surface potential) is not pinned.例文帳に追加

本発明の一実施形態は、そのフェルミ準位（または表面ポテンシャル）がピン止めされないＧａＮ系材料から作成されたショットキー障壁ダイオード（１０）である。 - 特許庁

To constitute a Schottky barrier diode element which allows high-speed operation with lower forward voltage by allowing a Schottky contact surface to be partially low impurity concentration.例文帳に追加

ショットキー接触面を部分的に低不純物濃度にすることにより、高速動作が可能で順方向電圧ＶＦが小さいＳＢＤ素子を構成する。 - 特許庁

This Schottky barrier diode 10 includes a substrate, a GaN layer 3 formed on the substrate, and a Schottky electrode 4 formed in contact with a surface of the GaN layer 3.例文帳に追加

ショットキーバリアダイオード１０は、基板と、基板上に形成されたＧａＮ層３と、ＧａＮ層３上に接して形成されたショットキー電極４とを備えている。 - 特許庁

To obtain a method for manufacturing an SiC Schottky barrier diode which can suppress an increase in leakage current at the time of a reverse bias without generating surface roughness.例文帳に追加

表面荒れを発生させることなく、逆方向のバイアス時にリーク電流の増加を抑制できるSiCショットキバリアダイオードの製造方法を得ることを目的とする。 - 特許庁

In the Schottky barrier diode element 10, a depletion layer is generated in a contact surface on the side of the n-type semiconductor substrate 3 by bringing a barrier film 1 constituted of metal and the n-type semiconductor substrate 3 into contact with each other.例文帳に追加

ショットキーバリアダイオード素子１０において、金属で構成されるバリア膜１とｎ型半導体基板３とを接触させることで、ｎ型半導体基板３側の接触面に空乏層が生じ、ショットキー障壁が発生する。 - 特許庁

The Schottky barrier diode 1 includes a GaN self-supporting substrate 2 having a surface 2a, a GaN epitaxial layer 3 formed on the surface 2a, and an insulating layer 4 formed on the surface 3a of the GaN epitaxial layer 3 with an opening formed thereon.例文帳に追加

ショットキーバリアダイオード１は、表面２ａを有するＧａＮ自立基板２と、表面２ａ上に形成されたＧａＮエピタキシャル層３と、ＧａＮエピタキシャル層３の表面３ａ上に形成され、開口部が形成されている絶縁層４とを備える。 - 特許庁