surface barrier detectorとは 意味・読み方・使い方

To provide a paper-made gas barrier material which is formed by coating the surface of a paper substrate with gas barrier material coatable as a water soluble coating material, which therefore is detected by the use of a metal detector, can be treated as combustible material after use, does not produce a harmful substance upon the burning, can be thermally sealed and can be produced inexpensively.例文帳に追加

水溶性の塗料として塗工可能なガスバリア材料を紙基材上に塗工することにより、金属探知器による検査が可能で、使用後に可燃物として処理でき、燃焼時に有害物質が出ず、ヒートシール可能で、かつ、低コストで生産可能な紙製ガスバリア材料を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor radiation detector that uses a surface-barrier type or pn junction type InSb single crystal, which has small leakage current at a temperature of 10K or higher, has few electron or hole trappings, and has large amount of charge formation.例文帳に追加

１０Ｋ以上の温度でも漏洩電流が小さく、電子あるいは正孔のトラッピングが少なく電荷生成量の多い表面障壁型あるいはｐｎ接合型のＩｎＳｂ単結晶を用いた半導体放射線検出器を製作する。 - 特許庁

The semiconductor radiation detector is manufactured by using a high-purity InSb single crystal in which impurity is not doped artificially as a detection medium of radiation, and in order to obtain diode characteristics, a surface barrier type electrode is formed by using Au-Pd.例文帳に追加

放射線の検出媒体として、不純物を人工的にドープしない高純度ＩｎＳｂ単結晶を用い、かつダイオード特性を得るため、Ａｕ−Ｐｄを用いて表面障壁型電極を形成した半導体放射線検出器を製作する。 - 特許庁

The semiconductor radiation detector which uses a high-purity InSb single crystal with no impurities doped artificially as a detection medium of radiation and having a surface-barrier-type electrode, formed using an Au/Pd alloy to obtain diode characteristics, is manufactured.例文帳に追加

放射線の検出媒体として、不純物を人工的にドープしない高純度ＩｎＳｂ単結晶を用い、かつダイオード特性を得るため、Ａｕ・Ｐｄ合金を用いて表面障壁型電極を形成した半導体放射線検出器を製作する。 - 特許庁

A superconducting tunnel junction detector includes a superconducting tunnel junction element 13 configured by laminating a lower electrode 31, a tunnel barrier 33, and an upper electrode 35 in that order on an upper surface of a substrate 11 and detects a photon based on a phonon generated inside the substrate 11.例文帳に追加

超伝導トンネル接合検出器において、基板１１の上面には、下部電極３１、トンネルバリア３３及び上部電極３５が順に積層されてなる超伝導トンネル接合素子１３が設けられ、基板１１内で発生したフォノンに基づいてフォトンを検出する。 - 特許庁