tantalum oxide thin filmとは 意味・読み方・使い方

To provide a method of forming tantalum oxide thin film, by which a tantalum oxide thin film with a uniform thickness can be coated on a concavity and convexity portion of a substrate even if the concavity and convexity portion such as a deep groove or a step exists on the substrate.例文帳に追加

基板に凹凸部、例えば深い溝部や段差部が存在する場合であっても、前記凹凸部に酸化タンタル薄膜を均一な厚さで被覆することができる酸化タンタル薄膜の形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a film forming method capable of precisely forming a tantalum oxide film having a thin film thickness with a high uniformity in the film thickness even at a low temperature.例文帳に追加

低温でも膜厚の面内均一性が高い薄い膜厚のタンタル酸化膜を精度良く形成することができる成膜方法を提供する。 - 特許庁

To obtain a highly reliable thin capacitor insulating film by reconciling the film quality and coverage of a tantalum oxide film.例文帳に追加

酸化タンタル膜の膜質及びカバレッジを両立させて膜厚の薄い高信頼の容量絶縁膜を得る。 - 特許庁

Then, a thin tantalum oxide film for constituting an oxide film for a nonlinear element is formed only on the surface side of the first tantalum pattern 6a by vapor phase oxidation.例文帳に追加

次に、気相酸化により、第１のタンタルパターン６ａの表面側のみに、非線形素子用酸化膜を構成するための薄い第１のタンタル酸化膜を形成する。 - 特許庁

The dielectric layer has a double layer structure of nitride film and oxide film or a three layer structure of oxide film, nitride film and oxide film, or is formed of the other thin film of high dielectric constant, e.g. tantalum pentaoxide.例文帳に追加

この誘電層は窒素膜と酸化膜の二層構造とするか、或いは酸化膜・窒化膜・酸化膜の三層構造とするか、或いはその他の高誘電薄膜、例えば五酸化二タンタルで形成する。 - 特許庁

To provide a high dielectric thin film capacitor having an upper electrode and a lower electrode on the upper and lower surfaces of a niobium oxide thin film and/or a tantalum oxide thin film having a large specific inductive capacity and a small leakage current.例文帳に追加

比誘電率が大きくリーク電流が小さな酸化ニオブ薄膜および／または酸化タンタル薄膜の上下面に上部電極及び下部電極を有する高誘電体薄膜コンデンサを提供する。 - 特許庁

The aluminum oxide layer 14a and the tantalum oxide layer 14b are formed by anodizing the aluminum layer and the tantalum layer which are formed on one electrode thin film 12 together.例文帳に追加

酸化アルミニウム層１４ａと酸化タンタル層１４ｂは、一方の電極薄膜１２上に設けたアルミニウム層とタンタル層を一緒に陽極化成処理することで形成される。 - 特許庁

To provide a method for forming a tantalum oxide film capable of highly efficiently forming a thin film of a highly reliable metal oxide that can be optimally used for a gate insulating film of the thin-film transistor.例文帳に追加

薄膜トランジスタのゲート絶縁膜として好適に使用される信頼性の高い金属酸化物の薄膜を効率よく成膜することができる成膜方法を提供することを目的とする。 - 特許庁