transistor structuresとは 意味・読み方・使い方

In this semiconductor device, the protection element 1 and an NPN transistor 11 share a part of their structures.例文帳に追加

本発明の半導体装置では、保護素子１とＮＰＮトランジスタ１１との構成の一部を共用する。 - 特許庁

The emitter 83 and the collector 84 of the LDD structures improve breakdown voltage of the lateral pnp transistor 80.例文帳に追加

ＬＤＤ構造のエミッタ８３及びコレクタ８４は、ラテラルＰＮＰトランジスタ８０の耐圧を向上させる。 - 特許庁

To provide a SOI (semiconductor-on-insulator) type transistor, memory, and other DRAM circuits and an array, and a transistor gate array, and a method for forming such structures on a same substrate.例文帳に追加

セミコンダクタ・オン・インシュレータ型のトランジスタ、メモリ及び他のＤＲＡＭ回路及びアレイ、トランジスタゲートアレイ、及びそのような構造体を同一基板上に形成する。 - 特許庁

To stabilize the shapes of gate electrodes of an N-channel insulating gate type field effect transistor and a P-channel insulating gate type field effect transistor, of which gate electrode structures are different.例文帳に追加

ゲート電極構造が異なるＮｃｈ絶縁ゲート型電界効果トランジスタとＰｃｈ絶縁ゲート型電界効果トランジスタのゲート電極形状を安定化させる。 - 特許庁

To provide an optical sensor and an optical sensor array with the pixel structures simplified by eliminating a switching transistor for signal readout.例文帳に追加

光センサ、および光センサアレイにおいて、信号読出し用のスイッチングトランジスタを不要として、画素構造を簡素化する。 - 特許庁

To provide a highly productive thin film transistor(TFT) having different light-doped drain structures(LDD) on the same substrate, and to provide the manufacturing method of the LDD structures.例文帳に追加

本発明は、同一基板上に同時に異なるＬＤＤ構造を有する生産性の高いＴＦＴの作製方法およびその構造を提供することを目的としている。 - 特許庁

The epitaxial wafer for the field effect transistor comprises an InGaN low-temperature deposit layer 5 provided on the sapphire substrate 6, and GaN field effect transistor structures 1 to 3 provided on the layer 5 via a GaN buffer layer 4.例文帳に追加

サファイア基板６上にＩｎＧａＮ低温堆積層５を設け、そのＩｎＧａＮ低温堆積層５上に、ＧａＮバッファ層４を介して、ＧａＮ系電界効果トランジスタ構造１〜３を設ける。 - 特許庁

Using these multilayer structures, devices can be obtained including a metal paste transistor 1, a vertical cavity surface emitting laser, a magnetoresistance film, and a resonance tunnel diode.例文帳に追加

これらの多層構造体によれば、金属ベーストランジスタ１、面発光レーザ、磁気抵抗膜および共鳴トンネルダイオードなどのデバイスが得られる。 - 特許庁