trap bitとは 意味・読み方・使い方

MULTI-BIT NON-VOLATILE MEMORY UTILIZING NON-CONDUCTIVE CHARGE TRAP GATE例文帳に追加

非導電性のチャージトラップゲートを利用した多ビット不揮発性メモリ - 特許庁

A charge trap area for storing a 3-bit data value in 1.5 bit of one charge trap area, i.e., one memory element is provided.例文帳に追加

一つの電荷トラップ領域に１．５ビット、すなわち一つのメモリ素子に３ビットのデータ値を記憶する電荷トラップ領域を持つ。 - 特許庁

A series of processes is performed by using the bit line work mask 22, i.e., the removal of the charge trap layer 3 exposed in the opening, the formation of a bit line insulating film 10 on a substrate surface with the charge trap layer 3 removed therefrom, and the formation of the embedded bit line 5 by ion implantation to the substrate 1 via the bit line insulating film 10.例文帳に追加

このビット線加工マスク２２を用いて、開口部に露出した電荷トラップ層３の除去、電荷トラップ層３が除去された基板表面へのビット線絶縁膜１０の形成、及びビット線絶縁膜１０を介しての基板１中へのイオン注入による埋め込みビット線５の形成の一連の工程を行う。 - 特許庁

Then, the bit line work mask 22 is removed, a word line 7 composed of a gate electrode is formed on the charge trap layer 3 and the bit line insulating film 10, and the memory cell is established.例文帳に追加

その後、ビット線加工マスク２２を除去して、電荷トラップ層３及びビット線絶縁膜１０上に、ゲート電極からなるワード線７を形成して、メモリセルを完成する。 - 特許庁

The semiconductor device has a plurality of diffusion bit lines 108, a plurality of word lines 114, a plurality of trap films 102 having a charge holding function, and a plurality of bit line insulating film 110.例文帳に追加

半導体装置は、複数の拡散ビット線１０８と、複数のワード線１１４と、電荷保持機能を有する複数のトラップ膜１０２と、複数のビット線絶縁膜１１０とを備える。 - 特許庁

A charge trap layer 3 is formed on a substrate 1, and then, a bit line work mask 22 is formed where a region is opened with an embedded bit line formed therein.例文帳に追加

基板１上に電荷トラップ層３を形成した後、埋め込みビット線が形成される領域が開口されたビット線加工マスク２２を形成する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device having a trap film for charge storage and a bit-line diffusion layer of a MONOS type semiconductor memory device, and to provide a manufacturing method therefor.例文帳に追加

ＭＯＮＯＳ型半導体記憶装置の電荷蓄積用のトラップ膜及びビット線拡散層を有する不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁