trapping potentialとは 意味・読み方・使い方

A supply line for trapping 5s, which supplies a potential Vtrap for trapping ionic impurities from a side 10d side to the peripheral electrode 8a, is arranged outside a scanning line driving circuit section 104.例文帳に追加

辺１０ｄの側から周辺電極８ａにイオン性不純物トラップ用の電位Ｖtrapを供給するトラップ用給電線５ｓは、走査線駆動回路部１０４より外側を通っている。 - 特許庁

An anion trapping layer containing silver is formed in a specific part having potential of 0.200 V or higher to a standard hydrogen electrode.例文帳に追加

標準水素電極に対する電位が0.200V以上の特定部位に銀を含む陰イオン捕捉層を設ける。 - 特許庁

To provide a liquid crystal device in which a potential for trapping ionic impurities can be prevented from influencing a signal used in a driving circuit section even when a supply line and a peripheral electrode for trapping ionic impurities are provided on an element substrate, and a projection type display device.例文帳に追加

イオン性不純物トラップ用の給電線および周辺電極を素子基板に設けた場合でも、イオン性不純物トラップ用の電位が、駆動回路部で用いる信号に影響を及ぼすことを防止することができる液晶装置、および投射型表示装置を提供すること。 - 特許庁

To secure safety in a battery at the time of overcharge by selectively forming a polymer layer including phosphorus having a radical trapping effect in a positive electrode of high potential at the time of overcharge.例文帳に追加

過充電時に高電位の正極にラジカルトラップ効果のあるリンを含む高分子層を選択的に形成し、過充電時の電池の安全性を確保する。 - 特許庁

If a fixed potential is given to the gate electrode 130, the second electric charge holding portion is not influenced by an electric field EF1 induced by the electric charges CH1 so that the trapping of the electric charges CH2 is not inhibited.例文帳に追加

ゲート電極１３０に固定電位を与えておけば、電荷ＣＨ１の誘起する電界ＥＦ１の影響が第２の電荷保持部に及ばず、電荷ＣＨ２のトラップが妨げられることがないからである。 - 特許庁

In an element substrate of a liquid crystal device 100, a peripheral electrode 8a is formed in a peripheral region 10b arranged between an image forming region 10a and a sealant 107, to which a potential Vtrap for trapping ionic impurities is applied, the potential Vtrap being different from a common potential Vcom applied to dummy pixel electrodes 9b and so on.例文帳に追加

液晶装置１００の素子基板において、画像表示領域１０ａとシール材１０７とにより挟まれた周辺領域１０ｂには、ダミー画素電極９ｂ等に印加される共通電位Ｖcomとは異なるイオン性不純物トラップ用の電位Ｖtrapが印加された周辺電極８ａが形成されている。 - 特許庁

In an element substrate of a liquid crystal device 100, a peripheral electrode 8a is formed in a peripheral region 10b arranged between an image forming region 10a and a sealant 107, to which a potential Vtrap for trapping ionic impurities is applied, the potential Vtrap being different from a common potential Vcom applied to dummy pixel electrodes 9b.例文帳に追加

液晶装置１００の素子基板において、画像表示領域１０ａとシール材１０７とにより挟まれた周辺領域１０ｂには、ダミー画素電極９ｂ等に印加される共通電位Ｖcomとは異なるイオン性不純物トラップ用の電位Ｖtrapが印加された周辺電極８ａが形成されている。 - 特許庁