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trench zoneとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 超深海帯
「trench zone」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 8件
A trench 15 is provided between a source electrode 4 and a gate electrode 5 as a ion migration preventing zone.例文帳に追加
ソース電極4とゲート電極5との間に、イオンマイグレーション防止帯として溝部15を設ける。 - 特許庁
iii) Act on Special Measures concerning Advancement of Countermeasures against Earthquake Disaster in Relation to Subduction Zone Earthquake Around Japan Trench and Chishima Trench (Act No. 27 of 2004): Article 8, paragraph (1), item (i発音を聞く 例文帳に追加
三 日本海溝・千島海溝周辺海溝型地震に係る地震防災対策の推進に関する特別措置法(平成十六年法律第二十七号) 第八条第一項第一号 - 日本法令外国語訳データベースシステム
To provide a CMOS image sensor in which the dead zone and the dark current characteristics can be enhanced simultaneously by forming a trench in the surface of an epitaxial layer and forming a transfer transistor in the trench.例文帳に追加
エピタキシャル層の表面にトレンチを形成し、トレンチ内にトランスファトランジスタを形成して、デッドゾーンと暗電流の特性を同時に向上させることのできるCMOSイメージセンサとその製造方法を提供する。 - 特許庁
A first zone 106 of an oxide layer formed in the trench adjoins at least part of the N epi-region of the semiconductor device, and a second zone 110 adjoins at least part of the body region.例文帳に追加
トレンチに形成された酸化物層の第1の区域106は、半導体デバイスのNエピ領域の少なくとも一部分に隣接し、第2の区域110はボディ領域の少なくとも一部分に隣接する。 - 特許庁
At least one gate electrode 15 inside a trench-gate structure 16 controls at least one vertical switching channel through at least one body zone.例文帳に追加
トレンチゲート構造16内の少なくとも1つのゲート電極15は、少なくとも1つの垂直スイッチングチャネルを少なくとも1つのボディゾーンを介して制御する。 - 特許庁
The gate electrode 15 is insulated in the region of the body zone 20 from the side wall by a trench-oxide region thicker than a thin gate-oxide region and the gate oxide.例文帳に追加
ゲート電極15は、ボディゾーン20の領域内において、薄いゲート酸化物区域およびゲート酸化物より厚いトレンチ酸化物区域によって上記側壁から絶縁される。 - 特許庁
The thickness of the oxide layer in the first zone is larger than that of the oxide layer in the second zone, the thickness of the oxide layer in a transition region 108 between the first and second zones gradually decreases from the first zone toward the second zone, and a p-n junction part 114 between the first and second regions terminates at the trench adjacent to the transition region of the oxide layer.例文帳に追加
第1の区域における酸化物層の厚さは第2の区域における酸化物層の厚さよりも厚く、第1及び第2区域の間の遷移領域108における酸化物層の厚さは、第1の区域から第2の区域へと徐々に薄くなり、第1の領域と第2の領域との間のPN接合部114は、酸化物層の遷移領域に隣接したトレンチで終端をなす。 - 特許庁
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「trench zone」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 8件
In a non-punch through-trench IGBT device with extremely low voltage drop quantity V_CEON, an n^- non-epitaxial float zone 126 constituting a part of a buffer area is formed in a single crystal silicon wafer 125 and an additional depletion stop layer 30 to be an n^+ buffer layer is formed on the surface of its bottom.例文帳に追加
極めて低い電圧低下量V_CEONの非パンチスルートレンチIGBTデバイスにおいて、単結晶シリコンウエハ125中に、バッファー領域の一部を構成するN^−非エピタキシャルフロートゾーン126とその底部表面にN^+バッファー層である追加の空乏ストップ層30を設ける。 - 特許庁
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