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tunnel leakage currentとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 トンネル漏れ電流
「tunnel leakage current」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 13件
Thus, the leakage current in the diode can be suppressed because the recombination of an electron and a positive hole can be prevented due to a tunnel current.例文帳に追加
これにより、トンネル電流による電子と正孔との再結合を防止することができるため、ダイオードの漏れ電流を抑制できる。 - 特許庁
To provide a schottky tunnel barrier transistor, capable of minimizing leakage current due to the damage of the gate sidewall of a Schottky tunnel barrier transistor that uses a Schottky tunnel barrier formed naturally in joining of a semiconductor and a metal, as a tunnel barrier.例文帳に追加
半導体と金属との接合時に自然に形成されるショットキートンネル障壁をトンネル障壁として用いたショットキー障壁トンネルトランジスタのゲート側壁の損傷によるリーク電流を最小化するショットキー障壁トンネルトランジスタ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a semiconductor nonvolatile memory in which leakage current is hard to generate in tunnel insulating film, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加
トンネル絶縁膜にリーク電流が生じにくい半導体不揮発性記憶装置、及び、その製造方法を実現する。 - 特許庁
To obtain a MOSFET whose gate is large in length and gate oxide film is small in thickness, in which a tunnel leakage current hardly occurs between a drain and a channel.例文帳に追加
ゲート長が短く、ゲート酸化膜の厚さが薄いＭＯＳＦＥＴにおいて、ドレイン−チャネル間トンネルリーク電流を生じ難くする。 - 特許庁
To provide a nonvolatile memory cell which is capable of reducing the amount of trapped charge or a leakage current induced in a tunnel insulating film.例文帳に追加
トンネル絶縁膜中の電荷トラップ発生量またはリーク電流発生量を低減できる不揮発性メモリセルを実現すること。 - 特許庁
To solve the problem that a gate tunnel leakage current is increased in the up-to-date process, causing trouble in a semiconductor device which needs to be on standby at a low leakage current.例文帳に追加
先端プロセスでは、ＭＯＳのゲートトンネルリーク電流が増大し、低リーク電流での待機が必要となる半導体装置では問題となる。 - 特許庁
To provide a nonvolatile semiconductor storage device having a tunnel insulating film, capable of reducing leakage current in a low electric field even if thinning EOT and also capable of increasing the leakage current of holes in a high electric field.例文帳に追加
ＥＯＴを薄くしても低電界におけるリーク電流を抑制することができるとともに高電界におけるホールのリーク電流を高くすることができるトンネル絶縁膜を有する不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁
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「tunnel leakage current」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 13件
To effectively stop etching near a tunnel insulating film and to thereby suppress occurrence of a leakage current in a microminiaturizing process of a tunnel magnetoresistance element having a structure in which a tunnel insulating film containing a non-magnetic material is interposed between thin films each of which mainly contains a magnetic material.例文帳に追加
磁性体材料を主体とした薄膜により非磁性体を主体としたトンネル絶縁膜を挟んだ構造を有するトンネル磁気抵抗素子の微細加工プロセスにおいて、トンネル絶縁膜付近でエッチングを効果的に停止させ、これにより、リーク電流の発生などを抑制する。 - 特許庁
To obtain a nonvolatile semiconductor memory device having a tunnel insulation film capable of reducing leakage current in a low electric field even if film thickness (EOT) converted to an oxide film is thinned and also increasing the leakage current in a high electric field.例文帳に追加
ＥＯＴを薄くしても低電界におけるリーク電流を抑制することができるとともに高電界におけるリーク電流を高くすることができるトンネル絶縁膜を有する不揮発性半導体記憶装置を得ることを可能にする。 - 特許庁
To provide a gate insulation film which is formed between a substrate and a gate electrode and can suppress tunnel leakage current, even if a semiconductor chip is reduced in size.例文帳に追加
基板とゲート電極との間に形成されるゲート絶縁膜であって、半導体チップが小型化した場合にもトンネルリーク電流を抑えることができるゲート絶縁膜を得る。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a flash memory element adapted to prevent a leakage current from being generated in a tunnel oxide film or a dielectric film and also adapted to minimize over-erase.例文帳に追加
トンネル酸化膜または誘電体膜で発生する漏洩電流を防止し、過消去を最小化したフラッシュメモリ素子の製造方法の提供。 - 特許庁
To provide a manufacturing method for a semiconductor device that reduces the gate tunnel leakage current and GIDL current of an on-chip memory mounted on SRAM and system LSI, a microprocessor, or a MOS transistor used for system LSI.例文帳に追加
ＳＲＡＭやシステムLSIに搭載されるオンチップメモリ、マイクロプロセッサ、あるいは、システムＬＳＩで用いられるＭＯＳトランジスタのゲートトンネルリーク電流やＧＩＤＬ電流を低減する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
Source electrode lines of MOS transistors in logic and memory circuits are kept at a ground potential in an active mode, and ground source electrode lines are kept at a voltage higher than the ground potential in an unselected standby mode, thereby reducing a gate tunnel leakage current of the MOS transistor without destroying data.例文帳に追加
論理回路およびメモリ回路におけるＭＯＳトランジスタのソース電極線を動作時には接地電位に保ち、選択されない待機時には接地ソース電極線を接地電位より高い電圧に保つことによりデータを破壊することなくＭＯＳトランジスタのゲートトンネルリーク電流を低減する。 - 特許庁
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トンネル漏れ電流
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