under-bump metalとは 意味・読み方・使い方

To prevent an undercut from being formed when an UBM (under bump metal) layer is subjected to wet etching.例文帳に追加

ＵＭＢ層をウエットエッチングする際のアンダーカットの発生を防止する。 - 特許庁

The semiconductor device also includes an under-bump metal (an UBM layer 3) formed on the insulating film and connected to the electrode through the opening 5a, and a solder ball 1 formed on the under-bump metal.例文帳に追加

半導体装置は、更に、絶縁膜の上に形成され開口５ａを介して電極と接続しているアンダーバンプメタル（ＵＢＭ層３）と、アンダーバンプメタル上に形成されたはんだボール１と、を有する。 - 特許庁

To prevent the deterioration of connection reliability between a bump and a pad electrode which is caused by a solder component, such as stannum, penetrating through an under-barrier metal of a bump electrode and reacting with the pad electrode located below the under-barrier metal during the formation of the bump formed of solder or flip-chip mounting.例文帳に追加

はんだからなるバンプの形成工程中やフリップチップ実装時に、スズのようなはんだ成分がバンプ電極のアンダーバリアメタルを透過してその下のパッド電極と反応し、バンプとパッド電極間の接合信頼性が低下することを防止する。 - 特許庁

The top surface of the under barrier metal 10 serves as the junction interface of the solder bump 6 and the under barrier metal 10, and the underfill material 18 forms a right angle or an obtuse angle at the joint of the side of the bump 6 and the edge of the under barrier metal 10.例文帳に追加

はんだバンプ６は、アンダーバリアメタル１０との接合界面が該アンダーバリアメタル１０の上面であり、アンダーフィル材１８は、バンプ６の側面とアンダーバリアメタル１０の端面との接合部分における角度が直角又は鈍角である。 - 特許庁

Here, an angle of contact between the under barrier metal 2 and the first protective film 3 at the peripheral edge of the under barrier metal 2 is ≤90°, and an angle of contact between the bump 6 and under barrier metal 2 at the peripheral edge of the bump 6 is ≤90°.例文帳に追加

アンダーバリアメタル２の周縁部におけるアンダーバリアメタル２と第１の保護膜３との接触角は９０°以下とし、バンプ６の周縁部におけるバンプ６とアンダーバリアメタル２との接触角は９０°以下とする。 - 特許庁

To provide a method for forming an under bump metal or bump on a metal electrode with high uniformity, adhesion and reliability, and to obtain a highly reliable semiconductor device by that method.例文帳に追加

金属電極上への均一性・密着性・信頼性の高いアンダーバンプメタルやバンプの作製方法を提供し、その方法による信頼性の高い半導体装置を得ることを目的とする。 - 特許庁

An under-barrier metal 6 is formed between a pad electrode 3 formed on a semiconductor substrate 1 and a bump 8 formed of solder.例文帳に追加

半導体基板１上に形成されたパッド電極３とはんだからなるバンプ８間にアンダーバリアメタル６が形成される。 - 特許庁

An outline 1a of a lower end of the solder ball 1 is positioned inside an outline 3a of the under-bump metal.例文帳に追加

はんだボール１の下端の外形線１ａが、アンダーバンプメタルの外形線３ａの内側に位置している。 - 特許庁