wafer metallizationとは 意味・読み方・使い方

SPUTTER CLEANING CHAMBER, WAFER TABLE ASSEMBLY, SEMICONDUCTOR METALLIZATION METHOD AND METHOD FOR IMPROVING VOID-FILLING CAPABILITY OF ALUNINUM例文帳に追加

スパッタ洗浄室とウェハー台アセンブリと半導体金属化製造方法及びアルミニウムのボイド充填能力を改善する方法 - 特許庁

In other words, a metallization layer can be formed by an inspection mask on a silicon wafer and a semiconductor device can be inspected after formation.例文帳に追加

このように、シリコンウエハ上に検査用マスクにより金属配線層を配線し、半導体素子の形成後の検査をすることができる。 - 特許庁

The solution restrains residual contaminants or particles from adhering, and reduces or eliminates the corrosion of the exposed metallization areas, during the process of dicing a wafer by sawing.例文帳に追加

この溶液は、汚染残留物又は粒子の付着を抑制し、そしてソーイングによるウエハーのダイシング処理の際、露出したメタライゼーション領域の腐食を低減又は排除する。 - 特許庁

A semiconductor device is formed in a wafer 11, and after forming a multilayer film 15 including an insulating film 16 low in dielectric constant in an upper layer of the wafer, a metallization layer functioning as at least one side between a positioning mark 13 and test pads of 14-1, 14-2 is formed on a dicing line 12 in the above-mentioned multilayer film.例文帳に追加

ウェーハ１１中に半導体素子を形成し、このウェーハの上層に比誘電率が低い絶縁膜１６を含む多層膜１５を形成した後、上記多層膜におけるダイシングライン１２上に位置合わせマーク１３及びテストパッド１４−１，１４−２の少なくとも一方として働く金属層を形成する。 - 特許庁

To provide polishing equipment and a polishing method in which variation in chemical reaction rate due to temperature rise on the surface of a metal film through metal based exothermic reaction is suppressed on a polishing surface when planarization polishing of wafer surface having a metallization film is performed by CMP.例文帳に追加

金属配線膜を有するウェーハ表面のＣＭＰ法による平坦化研磨を行うにあたり、メタル系の発熱反応で金属膜表面の温度が上昇し、加工面の化学的反応速度にばらつきが生じることを抑制した研磨装置、及び研磨方法を提供すること。 - 特許庁

The inspection system is specifically intended and designed for second optical wafer inspection for such defects as metallization defects, such as scratches, voids, corrosion and bridging, as well as diffusion defects, passivation layer defects, scribing defects, glassivation defects, chips and cracks from sawing, solder bump defects, and bond pad region defects.例文帳に追加

この検査システムは、特に、スクラッチ、ボイド、腐食およびブリッジング、などの金属化欠陥、ならびに拡散欠陥、被覆保護層欠陥、書きこみ欠陥、ガラス絶縁欠陥、切込みからのチップおよびクラック、半田隆起欠陥、ボンドパッド領域欠陥、などの欠陥のための第二の光学的ウェハ検査のために意図され、そして設計される。 - 特許庁