waxlessとは 意味・読み方・使い方

To provide a waxless mount polishing method of performing polishing corresponding to the thickness of a semiconductor wafer by using a template of a single thickness and its apparatus.例文帳に追加

単一な厚さのテンプレートを使って、半導体ウェーハの厚さに応じた研磨を行うワックスレスマウント式研磨方法およびその装置を提供する。 - 特許庁

To provide a waxless-mount type polishing method which can avoid the peripheral standing edge of a semiconductor wafer simply and at a low cost regardless of the existence of the loosening of the semiconductor wafer in a template during the polishing.例文帳に追加

研磨中におけるテンプレート内での半導体ウェーハのガタつきの有無にかかわりなく、半導体ウェーハの外周立ちを、簡単かつ低コストで防止するワックスレスマウント式研磨方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for polishing a wafer and a head for polishing the wafer in which planarization can be carried out with higher accuracy on the premise that a waxless mount system is employed.例文帳に追加

ワックスレスマウント方式を採用することを前提とし、より精度の高い平坦化加工行うことができるウェーハ研磨方法、およびその方法を実施するためのウェーハ研磨ヘッドを提供する。 - 特許庁

To provide a waxless mount polishing method, which holds a plurality of kinds of semiconductor wafers differing in size with one polishing head to lower the cost of a polishing apparatus and can perform polishing with the same polishing precision as before, and its apparatus.例文帳に追加

１台の研磨ヘッドで、大きさが異なる複数種類の半導体ウェーハを保持し、これにより研磨装置の低コスト化が図れ、従来と同じ研磨精度で研磨が可能なワックスレスマウント式研磨方法およびその装置を提供する。 - 特許庁

To provide a polishing method for a substrate for making the substrate sucked by a liquid that prevents a polishing liquid from being routed to the rear of the substrate, such as a wafer for polishing, to prevent discoloration at the outer-periphery section of the substrate, in the polishing of a waxless method by a backing pad.例文帳に追加

バッキングパッドによるワックスレス法の研磨において、ウェハ等の基板裏面に研磨液が回り込まない様な液体で基板を吸着させて研磨することにより、基板外周部が変色しない基板の研磨方法を提供すること。 - 特許庁

In the method for polishing a substrate by retaining the substrate, such as a semiconductor wafer to a carrier for polishing by a waxless method due to a backing pad, a liquid having a high viscosity of at least 0.52 Pas is applied between the backing pad and substrate, and polishing is conducted, while the substrate is being retained by the liquid.例文帳に追加

半導体ウェハ等の基板をバッキングパッドによるワックスレス法により研磨用キャリアに保持して基板を研磨する方法において、バッキングパッドと基板の間に、粘度０．５２Ｐａ・ｓ以上の粘性の高い液体を塗布し、この液体で基板を保持した状態で研磨を行う。 - 特許庁