キャリア散乱の英語

従来のような複雑な構造を形成することなく、キャリアに対する走行散乱およびチャネルに対するアクセス抵抗を抑えてキャリアの移動度を向上させることができると共に、寄生容量の形成も回避することができる。例文帳に追加

The mobility of the carriers can be improved by suppressing transit scattering of the carrier and access resistance to the channel, and the formation of parasitic capacitance can be avoided, without forming a conventional complicated structure. - 特許庁

このとき、シンチレータ３１の入射面側の近傍に読み出しパターンＰがあるので、可視光フォトンｐｈが散乱することなく、あるいは散乱しても可視光フォトンｐｈがさほどに拡がらずに済んで読み出しパターンＰでキャリアとして変換されて読み出される。例文帳に追加

At this time, since there is available the read pattern P in the proximity of the incident surface side of the scintillator 31, the visible photons ph are not scattered or if scattered, but the visible photons ph will not be scattered not so much, and by the read out pattern P converted into carriers. - 特許庁

バンドギャップを小さくすると共に電子散乱が抑制され、炭化珪素を用いたチャネル領域でのキャリア移動度を向上させた半導体素子、並びにレーザを発振する発光素子を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device which reduces the size of a band gap, and suppresses electron scattering to improve carrier mobility in an channel region using a silicon carbide, and to provide a light-emitting element which emits laser light. - 特許庁

結晶粒界のキャリア輸送メカニズムがトランジスタ特性に対して特に支配的である多結晶シリコン薄膜トランジスタにおいて、活性層中の結晶粒界を通過するキャリア流密度を、結晶粒界における自由キャリアの散乱効果を考慮して算出し、これを基にデバイス特性を支配するパラメータを決定する。例文帳に追加

In a polycrystalline silicon thin film transistor whose carrier transport mechanism at a grain boundary is dominant over transistor characteristics, the flow density of carriers that pass through the grain boundary in the active layer is calculated considering scattering effects of free carriers in the grain boundary, and on the basis of the result, a parameter which is dominant over device characteristics is determined. - 特許庁

結晶粒界におけるキャリアの散乱効果を正確に取り扱うデバイスシミュレーションに基づいてデバイスパラメータを決定することにより、最適化されたデバイス構造の多結晶半導体素子の提供を可能とする。例文帳に追加

To provide a polycrystalline semiconductor element of an optimized device structure by determining a device parameter on the basis of a device simulation which accurately processes scattering effects of carriers in a grain boundary. - 特許庁

第１の炭化珪素半導体層１０と第２の炭化珪素半導体層１１との界面の凹凸は非常に小さく平滑なため、チャネル領域を走行するキャリア担体が表面散乱されることなく高い移動度を持つ。例文帳に追加

Since the interface between the first and second layers 10 and 11 has a very small uneven surface, that is, a smooth surface, carriers moving through the channel region are not subjected to surface scanning and thus the transistor has a high carrier mobility. - 特許庁

本発明の目的は、電子走行層内のキャリアが、移動度の小さいヘテロ界面近傍に集中し、電子移動度を高くすることができないという問題を解決し、さらに、不純物散乱により移動度が高められないという問題を解決する電界効果トランジスタを提供する。例文帳に追加

To provide a field-effect transistor solving the problem that carriers in an electron transit layer concentrate on the vicinity of a heterointerface of small mobility to make it difficult to increase electron mobility and also solving the problem that the mobility cannot be made high because of impurity scattering. - 特許庁

プリアンプ２２で増幅された電気信号は、フィルタ２３へ入力され、フィルタ２３は、キャリア信号の占有帯域のみの信号を通過して出力アンプ２４へ出力することによりブリルアン散乱に起因するノイズや歪の発生を防いだ信号を伝送することが出来る。例文帳に追加

The electric signal amplified by the preamplifier 22 is inputted in a filter 23, the filter 23 transmits a signal in which occurrence of the noise and the distortion resulting from the Brillouin scattering is prevented by passing a signal only in an occupied band of the carrier signal and outputting the signal to an output amplifier 24. - 特許庁