固相エピタキシャル成長の英語

この後、反応性固相エピタキシャル成長法によりアモルファスＬａＣｕＯＳ薄膜１０３を結晶化させ、結晶性ＬａＣｕＯＳ薄膜１０４を得る。例文帳に追加

Thereafter, the amorphous LaCuOS thin film 103 is crystallized by reactive solid phase epitaxial growth method thus obtaining a crystalline LaCuOS thin film 104. - 特許庁

次に、このシード層を覆うようにアモルファスシリコン膜を堆積させ、このアモルファスシリコン膜をシード層を起点として固相エピタキシャル成長させて、単結晶シリコン膜を形成する。例文帳に追加

An amorphous silicon film is deposited so as to cover the seed layer, and subjected to solid-phase epitaxial growth starting at the seed layer as a starting point to form a single-crystal silicon film. - 特許庁

固体有機金属化合物を、長期間一定の濃度で安定的にＭＯＣＶＤ装置等の気相エピタキシャル成長用装置へ供給可能な新規な充填容器を提供する。例文帳に追加

To provide a new filling vessel that can stably supply a solid organometallic compound having a fixed concentration to an apparatus for vapor epitaxial growth such as an MOCVD apparatus over a long term. - 特許庁

この低温固相エピタキシャル成長法に要する処理温度は４５０℃〜６５０℃程度であり、半導体膜９内への不純物の熱拡散は抑えられ、初期の急峻なステッププロファイルが維持される。例文帳に追加

A processing temperature required for this low-temperature solid phase epitaxial growth method is about 450°C-650°C, the thermal diffusion of the impurities into the semiconductor film 9 is suppressed, and an initial steep step profile can be maintained. - 特許庁

熱処理を行って、非晶質半導体層を固相エピタキシャル成長させて、単結晶半導体層の膜厚の厚いＳＯＩ基板を作製する。例文帳に追加

Heat treatment is performed so that the amorphous semiconductor layer is subjected to solid-phase epitaxial growth to manufacture this SOI substrate large in thickness of the single-crystal semiconductor layer. - 特許庁

本発明は、磁性ガーネット単結晶膜を液相エピタキシャル成長させる際に使用する融液を攪拌させるための攪拌冶具と基板を融液中で固定させるための基板固定用冶具に関し、磁性ガーネット単結晶膜を育成するときに使用する攪拌用冶具や基板固定用冶具の長寿命化を実現する。例文帳に追加

To enhance the service life of an agitation tool and a substrate-fixing tool, which are used for agitating a melt and for fixing a substrate in the melt respectively, when a magnetic garnet single crystal film is grown by a liquid phase epitaxial growth method. - 特許庁

固体有機金属化合物を、長期間一定の濃度で安定的にＭＯＣＶＤ装置等の気相エピタキシャル成長用装置へ供給可能とする固体有機金属化合物用充填容器への固体有機金属化合物の充填方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of packing a solid organometallic compound in a packing container for solid organometallic compound that can stably supply the compound to a vapor-phase epitaxial growth system, such as the MOCVD system etc., at a fixed concentration for a long period. - 特許庁

固体有機金属化合物を、長期間一定の濃度で安定的にＭＯＣＶＤ装置等の気相エピタキシャル成長用装置へ供給可能とする固体有機金属化合物用充填容器への固体有機金属化合物の充填方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method by which a solid organometallic compound can be packed in a packing container for solid organometallic compound that can stably supply the compound to a vapor phase epitaxial growth system, such as the MOCVD system etc., at a fixed concentration for a long period. - 特許庁