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気相析出法の英語

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英訳・英語 vapour phase deposition method; vapor phase deposition method


「気相析出法」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 29



例文

化学気相析出法による鉄ケイ化物の製造方例文帳に追加

METHOD FOR MANUFACTURING IRON SILICIDE BY CHEMICAL VAPOR DEPOSITION METHOD - 特許庁

化学気相析出法を用いた水素透過膜製造装置例文帳に追加

HYDROGEN PERMEABLE FILM MANUFACTURING APPARATUS USING CHEMICAL VAPOR DEPOSITION METHOD - 特許庁

化学的気相析出法による炭化ケイ素の製造方及び装置例文帳に追加

METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE THROUGH CHEMICAL VAPOR DEPOSITION PROCESS, AND AN APPARATUS - 特許庁

反応容器の耐久性を高め、更に排効率を高めて、効率よく、高品質の析出物を析出させ得る成長装置及び成長方を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a vapor phase growth system capable of enhancing the durability of a reaction vessel and further enhancing exhaust efficiency and efficiently depositing high-quality deposit, and to provide a vapor phase growth method. - 特許庁

炭素ドープアナターゼ型二酸化チタンからなる光触媒膜は、大開放型化学気相析出法によって成膜されることが好ましい。例文帳に追加

The photocatalytic film consisting of carbon-doped anatase-type titanium dioxide is preferably deposited by an open type chemical vapor deposition method. - 特許庁

希土類若しくはアルミニウムのβ−ジケトネート金属錯体を原料とし、熱分解化学析出装置1において、熱分解化学気相析出法によって基板上に電界効果型トランジスタのゲート部用金属酸化物膜を形成する。例文帳に追加

With rare earth or aluminum β-diketonate metal complex as raw material, a thermal decomposition chemical gas phase precipitation equipment 1 forms a metal oxide film for the gate part of the FET on a substrate by a thermal decomposition chemical gas phase precipitation method. - 特許庁

例文

多数の貫通孔を有する隔壁用金属基板に大開放型化学気相析出法によって酸化物絶縁層を形成する画像表示装置用金属隔壁の製造方例文帳に追加

Manufacturing method for metal partitions for image display unit that forms oxide insulating layer on a metal substrate for partition having many through-holes with an open-air type chemical gas-phase deposition method. - 特許庁

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「気相析出法」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 29



例文

本発明の多孔質光触媒膜は、大開放型化学気相析出法によって成膜することが好ましく、比表面積は100〜1000m^2/gの範囲内に規定することが好ましい。例文帳に追加

The porous photocatalyst film is preferably formed according to an open type chemical gas phase deposition method and the specific surface area is preferably stipulated within the range of 100 to 1,000 m^2/g. - 特許庁

プラズマCVD反応室内で析出によって基板上に所望の膜を堆積するためのプラズマCVD装置をクリーニングする方において、反応室1内で基板4上以外の領域において不安定に付着している析出粉末またはフレークを含むダストに対して不活性ガスを外部から導入して吹付けることによってそれらのダストを吹飛ばすことを特徴としている。例文帳に追加

The method for cleaning the plasma enhanced CVD system for depositing a desired film on a substrate by vapor phase deposition within a plasma enhanced CVD reaction chamber consists in introducing and blowing inert gas from outside to the dust which contains vapor phase deposited powder or flakes and is un-stably adhered to regions exclusive of the surface of the substrate 4 within the reaction chamber 1, thereby blowing the dust off the dust. - 特許庁

アルカリ土類金属の高純度β−ジケトネート錯体の製および化学気相析出法による薄膜形成用高純度β−ジケトネート錯体例文帳に追加

METHOD FOR PRODUCING HIGHLY PURE β-DIKETONATE COMPLEX OF ALKALINE-EARTH METAL AND HIGHLY PURE β-DIKETONATE COMPLEX FOR FORMING THIN FILM BY CHEMICAL VAPOR DEPOSITION METHOD - 特許庁

複極板の表面に、無機の導電性金属水溶液を液析出により大下の常温で反応させ導電性酸化金属で被覆すること特徴とする燃料電池の複極板の表面処理例文帳に追加

In the surface treatment method of the bipolar plate of the fuel cell, an inorganic conductive metal aqueous solution is made to react with the surface of the bipolar plate at a normal temperature in the atmospheric environment by using a liquid phase deposition method and the surface is covered with a conductive oxide metal. - 特許庁

から心棒に析出させることにより多結晶シリコンロッドを製造する方において、電極の上側及び/又はロッドペアのブリッジの下側に、析出条件下で多結晶シリコンよりも低い比電抵抗を有する材料からなる1つ又は複数のディスクを取り付けることを特徴とする多結晶シリコンロッドの製造方例文帳に追加

The method for producing the polycrystalline silicon rod by deposition from a gas phase on a core rod comprises: attaching at least one disk above the electrode and/or below the bridge of a rod pair, wherein the at least one disk comprises a material having a lower electrical resistivity than that of polycrystalline silicon under deposition conditions. - 特許庁

HVPE成長装置内の基板以外の部材への原料ガスによるGaPの析出数を制御することができるハイドライド成長方を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a hydride vapor phase growth method capable of controlling the number of precipitation of GaP by a material gas to a member other than a substrate in an HVPE growth device. - 特許庁

ウエハ上方での析出物の発生を抑制することが可能なハイドライド成長装置、およびそれを用いた半導体基板の製造方を提供する。例文帳に追加

To provide hydride vapor phase epitaxy equipment in which generation of deposits is suppressed above a wafer, and to provide a process for producing a semiconductor substrate. - 特許庁

例文

ホウ素源および窒素源のガスをプラズマを用いて反応させて窒化ホウ素を析出させる方において、フッ素ガスまたはフッ素を含むガス種をの一成分として用い、さらに基板バイアスを用いて上記の立方晶窒化ホウ素をから合成する。例文帳に追加

In a method for precipitating boron nitride by reacting gases of a boron source and a nitrogen source by using a plasma, a fluorine gas or a fluorine-containing gaseous species is used as one component of a vapor phase and a substrate bias is used to synthesize the cubic boron nitride from the vapor phase. - 特許庁

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「気相析出法」の英訳に関連した単語・英語表現
1
vapor phase deposition method JST科学技術用語日英対訳辞書

2
vapour phase deposition method JST科学技術用語日英対訳辞書

3
chemical vapor deposition method JST科学技術用語日英対訳辞書

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