気相析出法の英語

本発明の多孔質光触媒膜は、大気開放型化学気相析出法によって成膜することが好ましく、比表面積は１００〜１０００ｍ^2／ｇの範囲内に規定することが好ましい。例文帳に追加

The porous photocatalyst film is preferably formed according to an open type chemical gas phase deposition method and the specific surface area is preferably stipulated within the range of 100 to 1,000 m^2/g. - 特許庁

プラズマＣＶＤ反応室内で気相析出によって基板上に所望の膜を堆積するためのプラズマＣＶＤ装置をクリーニングする方法において、反応室１内で基板４上以外の領域において不安定に付着している気相析出粉末またはフレークを含むダストに対して不活性ガスを外部から導入して吹付けることによってそれらのダストを吹飛ばすことを特徴としている。例文帳に追加

The method for cleaning the plasma enhanced CVD system for depositing a desired film on a substrate by vapor phase deposition within a plasma enhanced CVD reaction chamber consists in introducing and blowing inert gas from outside to the dust which contains vapor phase deposited powder or flakes and is un-stably adhered to regions exclusive of the surface of the substrate 4 within the reaction chamber 1, thereby blowing the dust off the dust. - 特許庁

アルカリ土類金属の高純度β−ジケトネート錯体の製法および化学気相析出法による薄膜形成用高純度β−ジケトネート錯体例文帳に追加

METHOD FOR PRODUCING HIGHLY PURE β-DIKETONATE COMPLEX OF ALKALINE-EARTH METAL AND HIGHLY PURE β-DIKETONATE COMPLEX FOR FORMING THIN FILM BY CHEMICAL VAPOR DEPOSITION METHOD - 特許庁

複極板の表面に、無機の導電性金属水溶液を液相析出法により大気下の常温で反応させ導電性酸化金属で被覆すること特徴とする燃料電池の複極板の表面処理法。例文帳に追加

In the surface treatment method of the bipolar plate of the fuel cell, an inorganic conductive metal aqueous solution is made to react with the surface of the bipolar plate at a normal temperature in the atmospheric environment by using a liquid phase deposition method and the surface is covered with a conductive oxide metal. - 特許庁

気相から心棒に析出させることにより多結晶シリコンロッドを製造する方法において、電極の上側及び／又はロッドペアのブリッジの下側に、析出条件下で多結晶シリコンよりも低い比電気抵抗を有する材料からなる１つ又は複数のディスクを取り付けることを特徴とする多結晶シリコンロッドの製造方法。例文帳に追加

The method for producing the polycrystalline silicon rod by deposition from a gas phase on a core rod comprises: attaching at least one disk above the electrode and/or below the bridge of a rod pair, wherein the at least one disk comprises a material having a lower electrical resistivity than that of polycrystalline silicon under deposition conditions. - 特許庁

ＨＶＰＥ成長装置内の基板以外の部材への原料ガスによるＧａＰの析出数を制御することができるハイドライド気相成長方法を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a hydride vapor phase growth method capable of controlling the number of precipitation of GaP by a material gas to a member other than a substrate in an HVPE growth device. - 特許庁

ウエハ上方での析出物の発生を抑制することが可能なハイドライド気相成長装置、およびそれを用いた半導体基板の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide hydride vapor phase epitaxy equipment in which generation of deposits is suppressed above a wafer, and to provide a process for producing a semiconductor substrate. - 特許庁

ホウ素源および窒素源のガスをプラズマを用いて反応させて窒化ホウ素を析出させる方法において、フッ素ガスまたはフッ素を含むガス種を気相の一成分として用い、さらに基板バイアスを用いて上記の立方晶窒化ホウ素を気相から合成する。例文帳に追加

In a method for precipitating boron nitride by reacting gases of a boron source and a nitrogen source by using a plasma, a fluorine gas or a fluorine-containing gaseous species is used as one component of a vapor phase and a substrate bias is used to synthesize the cubic boron nitride from the vapor phase. - 特許庁