| 例文 (8件) |
"バルク多結晶"を含む例文一覧と使い方
該当件数 : 8件
Ｓｉバルク多結晶インゴット例文帳に追加
Si BULK POLYCRYSTALLINE INGOT - 特許庁
一方向成長を利用したキャスト成長法で作製されるＳｉバルク多結晶インゴットにおいて、インゴット上部でも結晶品質の良い、高品質かつ高均質なＳｉバルク多結晶インゴットを得ることができる。例文帳に追加
To obtain a high-quality and high-homogeneity Si bulk polycrystalline ingot having good crystal quality even in an upper part of the ingot, with respect to an Si bulk polycrystalline ingot produced by a cast growth method using unidirectional growth. - 特許庁
本発明は、キャスト成長法において、Ｓｉバルク多結晶の方位を｛１１０｝面のみに揃えることができる、簡便なＳｉバルク多結晶の作製方法を提供することを課題とする。例文帳に追加
To provide a simple method for producing a Si bulk polycrystal, by which the orientations of crystal grains in the Si bulk polycrystal can be made to be only {110} plane in a cast growth method. - 特許庁
これにより、通常は太陽電池特性が低下するインゴット上部においても太陽電池特性の劣化がなく、Ｓｉバルク多結晶インゴットの利用歩留まりを大幅に向上させることができる。例文帳に追加
An Si bulk polycrystalline ingot is produced by the cast growth method so that the proportion of random grain boundaries near the bottom of the ingot formed in the early stage of growth is made ≤30% of all grain boundaries. - 特許庁
キャスト成長法を用いたＳｉバルク多結晶のインゴットの成長初期の段階に形成されるインゴット底部近傍のランダム粒界の割合が、全ての結晶粒界の30％以下になるよう作製される。例文帳に追加
By the invention, even in an upper part of the ingot where solar cell properties deteriorate usually, solar cell properties do not deteriorate and the utilization yield of the Si bulk polycrystalline ingot can be increased. - 特許庁
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