「"I-element"」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To provide a photoconductive member having high photoresponsiveness by controlling the carrier concentration in a zinc oxide thin film to a prescribed value by doping the thin film with a group I element as an impurity, and to provide a method of manufacturing the member.例文帳に追加

酸化亜鉛薄膜に第Ｉ族元素を不純物としてドーピングして所定のキャリア濃度のコントロールを行い、光応答特性のよい光導電部材及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A photoelectric conversion device comprises: a first semiconductor layer having a compound semiconductor containing a group I element, a group III element, and a group VI element; and a second semiconductor layer that is disposed on the first semiconductor layer and forms a pn junction with the first semiconductor layer.例文帳に追加

Ｉ族元素、III族元素およびVI族元素を含む化合物半導体を有する第１の半導体層と、該第１の半導体層上に配置された、該第１の半導体層とともにｐｎ接合を形成する第２の半導体層とを備えている。 - 特許庁

The PID operation part 20 is provided with a P element 21 weighted by frequency for proportion operation, an I element 22 for integration operation, a D element 23 for differential operation of imperfect differential calculus and an output adder 24 adding each output from the elements 21-23.例文帳に追加

ＰＩＤ演算部２０は、比例演算を行う周波数重み付きのＰ要素２１、積分演算を行うＩ要素２２、不完全微分の微分演算を行うＤ要素２３、これらの要素２１〜２３からの各出力を加算する出力加算器２４、を備えている。 - 特許庁

The method for producing such a crystalline porous inorganic oxide material includes a first step of preparing a composite powder by pulverizing and mixing a raw material solid comprising a solid silicon source and any one or both of the oxide and hydroxide of a group II element and mechanochemically reacting the resulting mixture, and a second step of hydrothermally reacting the composite powder preferably in the presence of a compound of a group I element.例文帳に追加

固体状のケイ素源と、第２族元素の酸化物および水酸化物のいずれか一方または双方とを含む原料固体を粉砕および混合し、メカノケミカル反応させることにより複合粉を調製する第１工程と、好ましくは第１族元素の化合物の存在下で、複合粉を水熱反応させる第２工程とを有することを特徴とする結晶性多孔質無機酸化物材料の製造方法。 - 特許庁

Moreover, a method for manufacturing the photoelectric conversion device 10 includes: a step of producing a precursor layer including a Group I element and a Group III element; and a step of producing the semiconductor layer 3 by placing the precursor layer and silicon in a calcination furnace and heating the precursor layer and the silicon while introducing gas including the chalcogen element into the calcination furnace.例文帳に追加

また、光電変換装置１０の製造方法は、Ｉ族元素およびIII族元素を含む前駆体層を作製する工程と、前駆体層およびシリコーンを焼成炉内に載置し、焼成炉にカルコゲン元素を含むガスを導入しながら前駆体層およびシリコーンを加熱することによって半導体層３を作製する工程とを具備する。 - 特許庁