「"ohmic electrodes"」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide an AlGaInP LED, which is of high brightness and capable of diffusing an operating current over the wide region of a light-emitting part, where the AlGaInP LED is equipped with a light-emitting layer, a III-V compound semiconductor layer, ohmic electrodes which are split and arranged, a light-transmitting window layer, and a wiring pedestal electrode.例文帳に追加

発光層、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層、分割して配置されたオーミック電極、発光透過用の窓層、および結線用の台座電極を有するＡｌＧａＩｎＰ系発光ダイオードにおいて、動作電流を発光部の広範な領域に拡散し高輝度のＡｌＧａＩｎＰ系ＬＥＤを提供する。 - 特許庁

The information recording medium is characterized by having the recording layer (2) containing molecules with a charge transfer property, molecules with a nonlinear optical property and optically functional molecules whose three-dimensional structure changes with light irradiation and a pair of transparent ohmic electrodes (3a, 3b) sandwiching the recording layer and having conductance which is reduced on light irradiation.例文帳に追加

前記情報記録媒体は、電荷輸送性を有する分子、非線形光学特性を有する分子及び光照射により立体構造が変化する光機能分子を含有する記録層（２）と、前記記録層を挟持する一対の透明オーミック電極（３ａ，３ｂ）とを有し、光照射時に伝導度が減少することを特徴とする。 - 特許庁

For example, an MMIC 100 in which an FET as an active element and an MIM capacitor are provided on a GaAs substrate 10 has a structure in which source and drain electrodes 16a, 16b as ohmic electrodes of the FET and the lower electrode 16c of the MIM capacitor are made of the same metal by simultaneously forming them.例文帳に追加

例えば、ＧａＡｓ基板１０上に、能動素子としてのＦＥＴと、ＭＩＭキャパシタとが設けられたＭＭＩＣ１００では、ＦＥＴのオーミック電極たるソース・ドレイン電極１６ａ・１６ｂと、ＭＩＭキャパシタの下側電極１６ｃとを同時に形成することにより、これらを同じ金属からなる構造とする。 - 特許庁

Ohmic electrodes 111, 112 and 113 are formed on the surfaces of the anode-electrode side heavily-doped, cathode-electrode side heavily- doped, and Schottky-electrode side heavily-doped semiconductor layers 105, 110 and 102, respectively, and at the same time, a Schottky electrode 115 is formed on the surface of the Schottky-electrode side lightly-doped semiconductor layer 103.例文帳に追加

アノード電極側高濃度半導体層１０５の表面およびカソード電極側高濃度半導体層１１０の表面、並びにオーミック電極側高濃度半導体層１０２の表面にそれぞれオーミック電極１１１，１１２，１１３を形成するとともに、ショットキー電極側低濃度半導体層１０３の表面にショットキー電極１１５を形成する。 - 特許庁

On the active region 12A, there are formed a gate electrode 13 which has Schottky contact with the active region 12A, is extendingly formed on the insulating oxide film 12B and has a drawn portion 13a on the insulating oxide film 12B, and ohmic electrodes 14 which are spaced from both sides of the gate electrode 13 in a gate longitudinal direction to form a source electrode and a drain electrode, respectively.例文帳に追加

活性領域１２Ａの上には、該活性領域１２Ａとショットキ接触すると共に、絶縁酸化膜１２Ｂの上に延びるように形成され該絶縁酸化膜１２Ｂ上に引き出し部１３ａを有するゲート電極１３と、該ゲート電極１３のゲート長方向側の両側部と間隔をおき、それぞれがソース電極及びドレイン電極となるオーミック電極１４とが形成されている。 - 特許庁

The gas sensor is provided with a first semiconductor layer and a second semiconductor layer of different conductivity types, ohmic electrodes in contact with the respective semiconductor layers, and a catalyst layer provided on one surface of the ohmic electrode for dissociating a hydrogen atom from a molecule having the hydrogen atom, and the semiconductor layers in contact with the ohmic electrode provided with the catalyst layer has a specified thickness corresponding to a concentration of an impurity.例文帳に追加

本発明のガスセンサは、導電型の異なる第１半導体層及び第２半導体層と、各々の半導体層とそれぞれコンタクトしているオーミック電極と、これらのオーミック電極のうちのいずれか一方の表面に設けられ、水素原子を有する分子から水素原子を解離する触媒層と、を備え、触媒層が設けられたオーミック電極とコンタクトしている半導体層は、不純物濃度に応じた所定の膜厚を有する。 - 特許庁

The diamond electron emitting element comprises a diamond substrate 1, a diamond n-type semiconductor layer 2 formed on the diamond substrate 1, a diamond p-type semiconductor layer 3 formed on the diamond n-type semiconductor layer 2, ohmic electrodes 4, 5 respectively formed on surfaces 2a, 3a of the diamond n-type semiconductor layer 2 and the diamond p-type semiconductor layer 3.例文帳に追加

ダイヤモンド下地基板１と、該ダイヤモンド下地基板１上に形成したダイヤモンドｎ型半導体膜２の層と、該ダイヤモンドｎ型半導体膜層上に形成したダイヤモンドｐ型半導体膜３の層と、前記ダイヤモンドｎ型半導体膜２の層及び前記ダイヤモンドｐ型半導体膜３の層のそれぞれの表面２ａ，３ａに形成したオーミック電極４，５とにより、ダイヤモンド電子放出素子を構成した。 - 特許庁