「"ohmic electrodes"」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

Further, there are provided the method of manufacturing these ohmic electrodes for the SiC semiconductor, a semiconductor device using these ohmic electrodes for the SiC semiconductor, and the method of manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

また、これらのＳｉＣ半導体用オーミック電極の製造方法、これらのＳｉＣ半導体用オーミック電極を用いた半導体装置およびその半導体装置の製造方法である。 - 特許庁

The semiconductor device has a structure in which it is not necessary to provide an opening of the resist in a narrow region between ohmic electrodes 10 by forming the gate electrode 12 before the ohmic electrodes 10 are formed and resist hardly pools.例文帳に追加

オーミック電極１０を形成する前にゲート電極１２を形成することで、オーミック電極１０間の狭い領域にレジストパターンの開口部を設ける必要がなくなり、レジスト溜まりが生じにくい構造となっている。 - 特許庁

A plurality of ohmic electrodes are provided between a conductive oxide window layer and a light emitting unit, and the electrodes are installed so that the ohmic electrodes are disposed at an equal distance from a pedestal electrode at opposed corners of a light emitting surface.例文帳に追加

導電性酸化物窓層と発光部との間に、複数個のオーミック電極を設け、該オーミック電極を発光面の対角部に、台座電極から等距離となるように設置する。 - 特許庁

A current is injected from the p-type ohmic electrodes 12 and 13 to the active layer 4, a potential difference is provided between both p-type ohmic electrodes 12 and 13, and the current is made to flow to an electrode separation area.例文帳に追加

ｐ型オーミック電極１２，１３から活性層４に電流を注入すると共に、両ｐ型オーミック電極１２，１３間に電位差を設け、電極分離領域に電流を流す。 - 特許庁

A desired ohmic electrode is selected among a plurality of ohmic electrodes 4a and the desired ohmic electrode is made to be an electrode of PIN diode.例文帳に追加

このオーミック電極４ａの中から所望のオーミック電極を選択し、ＰＩＮダイオードの一方の電極とする。 - 特許庁

Ohmic electrodes 51 are formed within ranges of the bottom surfaces 6c of the grooves 2 to form ohmic junctions J1 with the p-type semiconductor regions 40.例文帳に追加

オーミック電極５１は、溝２の底面６ｃの範囲内に形成されてp型半導体領域４０にオーミック接合Ｊ１している。 - 特許庁

Further, resistances 44 and 46 are connected in series between the two ohmic electrodes with the wide portion interposed.例文帳に追加

更に、幅広部分を介して２個のオーミック電極の間に直列に抵抗４４，４６が接続されている。 - 特許庁

Ohmic electrodes 9, 10 and 11 are formed in the layer 3, the layer 5 and the layer 7, respectively; and a Schottky electrode 8 is formed in the layer 7.例文帳に追加

オーミック電極９、１０、１１を夫々層３、層５、層７に形成し、ショットキ電極８を層７に形成する。 - 特許庁

Also, an n-type GaAs layer 1 with the recess part is provided between the ohmic electrodes 2, and the gate fingers 4 and 5 are formed in the recess part.例文帳に追加

また、オーミック電極２間には、リセス部を有するｎ型ＧａＡｓ層１があり、ゲートフィンガー４，５は、このリセス部に形成される。 - 特許庁

The grown net-shaped films 6 are peeled from the substrate, and then ohmic electrodes 7 and 8 are vaporized, so that a solar battery can be constituted.例文帳に追加

成長した網状膜６は、基板から剥離した後、オーミック電極７、８を蒸着して太陽電池とする。 - 特許庁

To provide a phantom of a magnetoencephalogram capable of easily finding the positional relation between ohmic electrodes.例文帳に追加

オーミックな電極、相互位置関係を容易に出すことができる脳磁計測装置のファントムを実現する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device using a group III-V nitride semiconductor including ohmic electrodes small in contact resistance.例文帳に追加

コンタクト抵抗が小さいオーミック電極を備えたIII−Ｖ族窒化物半導体を用いた半導体装置を実現できるようにする。 - 特許庁

To improve the characteristics of a device while reducing the contact resistance of ohmic electrodes installed in a group III-V nitride semiconductor.例文帳に追加

III-Ｖ族窒化物半導体に設けるオーミック電極のコンタクト抵抗を低減しながらデバイスの特性を向上できるようにする。 - 特許庁

Two ohmic electrodes 39, 40 formed on a semiconductor substrate, at least two gate electrodes 41, 42 arranged between the two ohmic electrodes 39, 40, and a conductive region 45 interposed between adjacent gate electrodes are provided to constitute a field effect transistor.例文帳に追加

電界効果型トランジスタを成すように、半導体基板上に形成された２個のオーミック電極３９，４０と、上記２個のオーミック電極の間に配置された少なくとも２個のゲート電極４１，４２と、隣り合うゲート電極の間に挟まれて配置された導電領域４５とが備えられる。 - 特許庁

The present invention relates to a manufacturing method of a semiconductor device including the stages of: forming a silicon nitride film 18 of ≥2.1 to <2.2 in refractive index on a GaN-based semiconductor layer 16; forming ohmic electrodes 20 and 22 in openings of the silicon nitride film 18; and heat-treating the ohmic electrodes 20 and 22.例文帳に追加

本発明は、ＧａＮ系半導体層１６の上に屈折率が２．１以上２．２未満の窒化シリコン膜１８を形成する工程と、窒化シリコン膜１８の開口にオーミック電極２０、２２を形成する工程と、オーミック電極２０、２２を熱処理する工程と、を有する半導体装置の製造方法である。 - 特許庁

A catalyst layer containing a metal catalyst component which dissociates the hydrogen atoms from the molecules comprising the hydrogen atoms is formed on one electrode among the ohmic electrodes.例文帳に追加

これらのオーミック電極のいずれか一方の電極上に、水素原子を有する分子から水素原子を解離する金属触媒成分を含有する触媒層を設ける。 - 特許庁

Ohmic electrodes 14a and 14b as source and drain electrodes and a Schottky electrode 15 as a gate electrode are formed on the n-type gallium nitride active layer 13.例文帳に追加

当該ｎ型窒化ガリウム活性層１３上には、ソース電極及びドレイン電極としてのオーミック電極１４ａ、１４ｂと、ゲート電極としてのショットキー電極１５とを形成する。 - 特許庁

In this method for measuring the withstand voltage of the semiconductor epitaxial wafer 10, the withstand voltage between electrodes 12, 12 can be measured by using only Schottky electrodes without the need for ohmic electrodes.例文帳に追加

本発明に係る半導体エピタキシャルウエハ１０の耐圧測定方法においては、電極１２，１２間の耐圧は、オーミック電極を必要とせず、ショットキー電極のみで測定される。 - 特許庁

The compound semiconductor device includes ohmic electrodes OMEa-OMEd, an insulation film IL, wirings IC1a-IC1d containing gold, and wirings IC2a-IC2d containing gold.例文帳に追加

化合物半導体装置は、オーミック電極ＯＭＥａ〜ＯＭＥｄと、絶縁膜ＩＬと、金を含む配線ＩＣ１ａ〜ＩＣ１ｄと、金を含む配線ＩＣ２ａ〜ＩＣ２ｄとを備えている。 - 特許庁

The plurality of resonators 110 include a semiconductor layer and an ohmic electrode formed on the semiconductor layer and are arranged in the state that the ohmic electrodes are separated from each other through a separation structure.例文帳に追加

複数の共振器１１０は、半導体層と、半導体層上に形成されたオーミック電極とを含み、オーミック電極が互いに分離構造を介して分離された状態で配置されている。 - 特許庁

On the n-type InAlGaN cap layer 4, Ti/Al ohmic electrodes 5 serve as a source electrode and a drain electrode, and are formed in contact with the n-type InAlGaN cap layer 4.例文帳に追加

ｎ型ＩｎＡｌＧａＮキャップ層４の上には、ｎ型ＩｎＡｌＧａＮキャップ層４と接し且つソース電極及びドレイン電極となるＴｉ／Ａｌオーミック電極５が形成されている。 - 特許庁

Since a process for forming ohmic electrodes can be omitted, the semiconductor epitaxial wafer 10 can be easily subjected to a withstand voltage measuring test.例文帳に追加

したがって、オーミック電極を形成する工程が省略されるので、半導体エピタキシャルウエハ１０を容易に耐圧測定試験に供することができる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that has two ohmic electrodes and a gate electrode disposed therebetween, and can be manufactured without any defect in gate electrode formation due to fluctuations of an electron beam for the gate electrode formation.例文帳に追加

２つのオーミック電極、及び、それらの間に配置されたゲート電極を備えた、ゲート電極形成用電子線の揺らぎに起因するゲート電極形成不良が生じない形で製造できる半導体装置を提供する。 - 特許庁

Major part of the upper part of the resistance layer 13 is covered by the conductive layer 17 except two ohmic electrodes 15a, 15b and their peripheries.例文帳に追加

そして、この導電層１７によって、２つのオーミック電極１５ａ、１５ｂ及びその周囲を除く抵抗層１３上方の大部分が被覆されている。 - 特許庁

The wirings IC1a-IC1d are formed on portions, where the insulation film IL is not formed on the ohmic electrodes OMEa-OMEd, and at positions which contact the side surface of the insulation film IL.例文帳に追加

配線ＩＣ１ａ〜ＩＣ１ｄは、オーミック電極ＯＭＥａ〜ＯＭＥｄ上で絶縁膜ＩＬが形成されていない部分であって、絶縁膜ＩＬの側面に接触する位置に形成されている。 - 特許庁

A III-V compound semiconductor junction layer which forms a p-n junction is provided in the area immediately below the pedestal electrode and ohmic electrodes are dispersedly arranged in the open light emitting area.例文帳に追加

台座電極の直下の領域にｐｎ接合を形成するＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体接合層を設置し、且つ、開放発光領域にオーミック性電極を分散させて敷設する。 - 特許庁

This laser is provided with a grating 2, an active layer 4, an upper clad layer 10, a continuously formed electrode contact layer 11, and separately formed p-type ohmic electrodes 12 and 13.例文帳に追加

グレーティング２、活性層４、上部のクラッド層１０、連続して形成された電極コンタクト層１１、および、分割して形成されたｐ型オーミック電極１２，１３を有する。 - 特許庁

p-type and n-type ohmic electrodes provided in a p-type BP series semiconductor layer and an n-type group III nitride semiconductor layer, respectively, are made of identical material.例文帳に追加

ｐ形ＢＰ系半導体層及びｎ形III族窒化物半導体層に設けるｐ形及びｎ形オーミック電極を同一の材料から構成する。 - 特許庁

The second semiconductor layer 20b has a width in the gate length direction narrower than an interval between the gate electrode 24 and each of the ohmic electrodes 22, 23, and has a surface level density lower than that of the first semiconductor layer 19.例文帳に追加

第２の半導体層２０ｂは、ゲート電極２４とオーミック電極２２、２３との間隔よりもゲート長方向の幅が狭く且つ第１の半導体層１９と比べて表面準位密度が低い。 - 特許庁

In the present invention, the current collapse can be prevented by heat-treating the ohmic electrodes in a state wherein the silicon nitride film 18 having a refractive index of ≥2.1 is formed.例文帳に追加

本発明によれば、屈折率が２．１以上の窒化シリコン膜１８を形成した状態で、オーミック電極の熱処理を行うことにより、電流コラプスを抑制することができる。 - 特許庁

According to the forming method, a liquid electrode forming material made of a GA alloy containing Al is brought into contact with the surface of a semiconductor layer 105 made of any one of GaAIN, GaN, and InP to form ohmic electrodes 106a, 107a.例文帳に追加

ＧａＡｌＮ、ＧａＮ及びＩｎＰのいずれかからなる半導体層１０５の表面に、Ａｌを含有するＧａ合金からなる液状電極形成材を接触させることによりオーミック電極１０６ａ、１０７ａを形成する。 - 特許庁

The total bottom area of the ohmic electrodes is a bottom area of the pedestal electrode or less, and further set to a range of 2 to 20% of the area of the light emitting open area.例文帳に追加

オーミック電極の合計の底面積を、台座電極の底面積以下とし、更に、発光開放領域の面積の、２〜２０％の範囲内とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which is capable of improving the reliability by suppressing the occurrence of poor connection or the like due to defects such as cracks in a constitution wherein ohmic electrodes on the sides of two conduction types are provided on one plane.例文帳に追加

２つの導電型側のオーミック電極を同一面に設けた構成において、クラック等の欠損に起因する接続不良等の発生を抑え、信頼性を向上できる半導体装置を提供する。 - 特許庁

In the photoconductive antenna element 17, a pair of ohmic electrodes 21, 21 each have a line section 24 which connects an antenna section 22 and a pad section 23, and each line section 24 includes a parallel portion 24a extended from the antenna section 22.例文帳に追加

光導電アンテナ素子１７では、一対のオーミック電極２１，２１において、アンテナ部２２とパッド部２３とを接続するライン部２４が、アンテナ部２２から延在する平行部分２４ａを含んでいる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor transistor, capable of forming ohmic electrodes that form an ohmic contact with an active layer while increasing the degree of freedom of processes.例文帳に追加

プロセスの自由度を高めつつ、活性層とオーミックコンタクトをとるオーミック電極を形成できる半導体トランジスタの製造方法を提供する。 - 特許庁

In a semiconductor laminate 2 laminated upon a semiconductor substrate 1, a light emitting section 2A and reinforcing sections 2B are formed with recessed sections 6 between them and p- and n-type ohmic electrodes 4 and 5 are respectively formed on the top faces of the reinforcing sections 2B.例文帳に追加

半導体基板１上に積層された半導体積層体２に、凹部６を介して発光部２Ａと補強部２Ｂを形成し、当該補強部２Ｂの上面にｐ型オーミック電極４及びｎ型オーミック電極５を形成する。 - 特許庁

The second nitride semiconductor layer 14 is provided with a contact 14a having a recessed cross section that is provided with an inclined part whose bottom face or wall face is inclined to the substrate face, and the ohmic electrodes 16 and 17 are formed in the contact 14a.例文帳に追加

第２の窒化物半導体層１４は、底面又は壁面が基板面に対して傾斜した傾斜部を持つ断面凹状のコンタクト部１４ａを有し、オーム性を持つ電極１６、１７はコンタクト部１４ａに形成されている。 - 特許庁

To provide an ohmic electrode forming method for forming ohmic electrodes on various group III-V compound semiconductors, especially on a semiconductor made of GaAIN that makes ohmic electrode formation difficult, easily and surely even when omitting an alloying heat treatment.例文帳に追加

合金化熱処理を省略しても、種々のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体上に簡便かつ確実にオーミック電極を形成でき、特にＧａＡｌＮのごとくオーミック電極の形成が困難な半導体についても容易に電極形成できるオーミック電極の形成方法を提供する。 - 特許庁

As the result, the external pressure of the diaphragm can be measured by reading the amount of variation of its resistance value because the resistance between two ohmic electrodes (source electrode 107S and drain electrode 107D) changes correspondent to the external pressure.例文帳に追加

その結果、２つのオーミック電極（ソース電極１０７Ｓとドレイン電極１０７Ｄ）間の抵抗が、外圧に応じて大きく変化するため、その抵抗値の変動量を読み取ることによって、ダイアフラムの外圧を測定することができる。 - 特許庁

Emission center ion 18 and a quantum dot 19 are contained in the active layer 13 and when a voltage is impressed on the semiconductor light emitting device 10 through ohmic electrodes (11, 15), energy is moved to the emission center ion 18 by FRET to excite the emission center ion 18.例文帳に追加

活性層１３には、発光中心イオン１８と量子ドット１９が含まれ、オーミック電極（１１、１５）を介して半導体発光デバイス１０に電圧が加えられると、ＦＲＥＴによりエネルギーが発光中心イオン１８に移動し、発光中心イオン１８を励起させる。 - 特許庁

Since the first and second electrodes 51 and 52 are heat-treated at first and second temperatures, respectively, the both ohmic contact resistances of the first and second electrodes 51 and 52 can be reduced, and the ohmic contact resistance of each of ohmic electrodes 3 and 4 themselves can be reduced.例文帳に追加

第１及び第２電極５１、５２を第１及び第２温度でそれぞれ熱処理しているので、第１及び第２電極５１、５２のオーミックコンタクト抵抗を共に低減させ、各オーミック電極３、４そのもののオーミックコンタクト抵抗を低減させることができる。 - 特許庁

Each of ohmic electrodes 3 and 4 has a first electrode 51 brought into contact with the peripheral portion of a recess 28 of the surface of a GaN cap layer 26, and a second electrode 52 which is brought into contact with the first electrode 51 and reaches a two-dimensional electron gas layer 27 via the recess 28.例文帳に追加

各オーミック電極３、４は、ＧａＮキャップ層２６表面のリセス２８周辺部位に接触する第１電極５１と、第１電極５１に接触して、リセス２８を介して２次元電子ガス層２７に及ぶ第２電極５２とを有している。 - 特許庁

A semiconductor light emitting element 10 has an ohmic electrode of the n-side electrode 16 and an ohmic electrode of the p-side electrode 14 formed at a distance within a constant range, and an electric field in the element based upon an applied voltage has a nearly constant value between the ohmic electrodes.例文帳に追加

ｎ側電極のオーミック電極とｐ側電極のオーミック電極との間の距離は一定の範囲になるように形成し、印加された電圧による素子内部の電界をオーミック電極間でほぼ一定値となるようにする。 - 特許庁

In a semiconductor device, a conductive layer 12 composed of undoped InAs grown by the MBE method is provided on an insulating semiconductor substrate 11 composed of a GaAs crystal, and ohmic electrodes 13 and 14 which are used for injecting an electric current into the conductive layer 12 are provided on the layer 12.例文帳に追加

ＧａＡｓ結晶からなる絶縁性半導体基板１１上に、ＭＢＥ法によって成長したノンドープＩｎＡｓからなる導電層１２を設け、この導電層１２に電流を注入するために用いるオーム型の電極１３，１４を設けている。 - 特許庁

A high-resistance III-V compound semiconductor layer is provided under a pedestal electrode, and it is preferable that a low-resistance III-V compound semiconductor layer be provided under the ohmic electrodes, by which an operating current is effectively distributed through an open light- emitting region.例文帳に追加

台座電極の直下に高抵抗ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を設け、さらに好ましくはオーミック電極の直下に低抵抗ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を設けることにより、動作電流を開放発光領域に有効的に配分する。 - 特許庁