「ドープ」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

成形用ドープ例文帳に追加

DOPE FOR FORMING - 特許庁

ドープ窒化膜、ドープ酸化膜、およびその他のドープ膜例文帳に追加

DOPED NITRIDE FILM, DOPED OXIDE FILM, AND OTHER DOPED FILMS - 特許庁

ドープという,塗料例文帳に追加

a paint, called dope  - EDR日英対訳辞書

ドープ調製方法例文帳に追加

PREPARATION PROCESS OF DOPE - 特許庁

ドープの製造方法例文帳に追加

METHOD FOR MANUFACTURING DOPE - 特許庁

ドープの調製方法例文帳に追加

PREPARATION METHOD OF DOPE - 特許庁

光学異方性ドープ例文帳に追加

OPTICALLY ANISOTROPIC DOPE - 特許庁

つまりドープ、男です。例文帳に追加

That's dope, dude. - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書

ドープ製造設備及びドープ製造方法例文帳に追加

DOPE MANUFACTURING FACILITY AND DOPE MANUFACTURING METHOD - 特許庁

ドープおよび該ドープを用いた繊維の製造方法例文帳に追加

DOPE AND METHOD FOR PRODUCING OF FIBER USING THE DOPE - 特許庁

δドープ層のキャリアがアンドープ層にまで広がる。例文帳に追加

Carrier of the δ-doped layer extends to an undoped layer. - 特許庁

ｎ型ドープはプレーナドープでも良い。例文帳に追加

The n-type dope can be planar dope. - 特許庁

合流部では、各ドープから各ドープが層を成す積層ドープが生成される。例文帳に追加

In the joining part, a laminated dope in which each dope makes a laminate is formed from each dope. - 特許庁

錫ドープ酸化インジウムナノ粒子例文帳に追加

TIN-DOPED INDIUM OXIDE NANOPARTICLE - 特許庁

有機半導体の脱ドープ方法例文帳に追加

DEDOPING METHOD OF ORGANIC SEMICONDUCTOR - 特許庁

半導体材料をドープする方法例文帳に追加

METHOD OF DOPING SEMICONDUCTOR MATERIAL - 特許庁

ｐスペーサはｐドープ領域(57)および非ドープ領域(58)を有し、ｎスペーサはｎドープ領域(69)および非ドープ領域(68)を有する。例文帳に追加

The p-spacer has a p-doped region (57) and an undoped region (58), and the n-spacer has an n-doped region (69) and an undoped region (68). - 特許庁

塩化ビニル系樹脂ドープ組成物例文帳に追加

VINYL CHLORIDE RESIN DOPE COMPOSITION - 特許庁

ポリマー処理剤およびドープ例文帳に追加

POLYMER TREATING AGENT AND DOPE - 特許庁

スズドープ酸化インジウム粉例文帳に追加

TIN-DOPED INDIUM OXIDE POWDER - 特許庁

アラミドドープの製造方法例文帳に追加

METHOD FOR PRODUCING ARAMID DOPE - 特許庁

不純物ドープダイヤモンド例文帳に追加

IMPURITY DOPED DIAMOND - 特許庁

ＳｉドープＧａＡｓ単結晶例文帳に追加

Si-DOPED GaAs SINGLE CRYSTAL - 特許庁

ドープ石英ガラスの製造方法例文帳に追加

PRODUCTION METHOD OF DOPED QUARTZ GLASS - 特許庁

ドープシリコン膜の形成方法例文帳に追加

METHOD OF FORMING DOPED SILICON FILM - 特許庁

炭素ドープ単結晶製造方法例文帳に追加

METHOD FOR PRODUCING CARBON-DOPED SINGLE CRYSTAL - 特許庁

ポリシリコンはドープしてもよい。例文帳に追加

The polysilicon may be doped. - 特許庁

オートドープの検出方法例文帳に追加

AUTO-DOPE DETECTING METHOD - 特許庁

ドープ切換方法及び装置例文帳に追加

DOPE CHANGEOVER METHOD AND APPARATUS - 特許庁

ドープの製造方法、ドープの製造装置及びセルロースエステルフィルム例文帳に追加

METHOD AND APPARATUS FOR PRODUCING DOPE, AND CELLULOSE ESTER FILM - 特許庁

ドープの製造方法、ドープの製造装置及びセルロース樹脂フィルム例文帳に追加

METHOD AND APPARATUS FOR PRODUCING DOPE, AND CELLULOSE RESIN FILM - 特許庁

窒素ドープアニールウエーハの製造方法及び窒素ドープアニールウエーハ例文帳に追加

NITROGEN DOPED ANNEALED WAFER AND MANUFACTURE THEREOF - 特許庁

ドープされたまたは未ドープのシリカガラス材料を製造する。例文帳に追加

To make doped or undoped pure silica glass material. - 特許庁

硫黄をドープしたチタニアドープ石英ガラス部材。例文帳に追加

There is provided the titania and sulfur co-doped quartz glass member, where preferably, sulfur having sulfur concentration of ≥10 ppm is co-doped. - 特許庁

原料ドープ調製ユニット１１では、原料ドープ４４を調製する。例文帳に追加

In a raw material dope preparation unit 11, raw material dope 44 is prepared. - 特許庁

低濃度ドープは、濃縮されて高濃度ドープ１７となる。例文帳に追加

The low concentration dope is concentrated and formed into a high concentration dope 17. - 特許庁

ドープ層のヘビードープ部分を一部または全て除去する。例文帳に追加

A heavy doping portion of the doped layer is partially or fully removed. - 特許庁

第２のドープ層の方が第１のドープ層よりも上に配置されている。例文帳に追加

The second doped layer is provided higher than the first doped layer. - 特許庁

ＺｎＯ基板上にＧａドープＭｇＺｎＯ層、アンドープＭｇＺｎＯ層、窒素ドープＭｇＺｎＯ層、アンドープ活性層、窒素ドープＭｇＺｎＯ層と積層した積層体でＧａの拡散を分析した。例文帳に追加

Diffusion of Ga is analyzed with a laminate formed by laminating a Ga-doped MgZnO layer, an undoped MgZnO layer, a nitrogen-doped MgZnO layer, an undoped active layer, and a nitrogen-doped MgZnO layer on a ZnO substrate. - 特許庁

溶媒とポリマーとを混合して調製した原料ドープに添加剤を含有させて、基層用ドープ、支持体面層用ドープ及びエア面層用ドープを流延用ドープとして調製する。例文帳に追加

Dope for an underlying layer, dope for a support surface layer, and dope for an air surface layer are prepared as casting dope by involving additives into raw material dope prepared by mixing a solvent and a polymer. - 特許庁

高濃度ドープ背面電界層（２４）及び低濃度ドープ結晶質基板（２２）は、同種型にドープされ、高濃度ドープ背面電界層（２４）のドーピングレベルは、低濃度ドープ結晶質基板（２２）のドーピングレベルよりも高い。例文帳に追加

The highly-doped back surface field layer (24) and the lightly-doped crystalline substrate (22) are similarly doped, and the doping level of the highly-doped back surface field layer (24) is higher than that of the lightly-doped crystalline substrate (22). - 特許庁

第１ドープ導入路６０、第２ドープ導入路７０及び第３ドープ導入路８０で各ドープを流延ダイ２３送り込み、各ドープを積層した状態で流延リボン２４として流延バンド２１に流延する。例文帳に追加

Respective dopes are sent into a casting die 23 through first, second and third dope introducing channels 60, 70, 80 and cast on a casting band 21 as a cast ribbon 24 in a laminated state. - 特許庁

ポリシリコン層をアンドープとドープの２層構造とし、絶縁層４０２に接するのがアンドープポリシリコン層となっているので、酸化しにくい。例文帳に追加

Since the polysilicon layer has double layer structure of undoped and doped layers and an undoped polysilicon layer abuts on the insulation layer 402, oxidation is retarded. - 特許庁

三方弁１５は、濃縮ドープ５３とチップドープ６９とのうち一方を、流延ドープ８０として製膜ユニット１３に送る。例文帳に追加

A three-way valve 15 sends one of the condensed dope 53 and the chip dope 69 to a film forming unit 13 as casting dope 80. - 特許庁

支持体面用ドープ５９，中間層用ドープ５４，エアー面用ドープ６４をＴＡＣとジクロロメタンとその他の添加剤から調製する。例文帳に追加

Dope 59 for a support surface, dope 54 for an intermediate layer, and dope 64 for an air surface are prepared from TAC, dichloromethane, and another additive. - 特許庁