「蓄積容量」に関連した英語例文の一覧と使い方(22ページ目) - Weblio英語例文検索

特定のメモリセル回路を構成する２個のMIS素子と１個の情報蓄積用キャパシタとよりなるメモリセルを、第１のMIS素子（Qｗ11）と、この上に積み重ね形成され、かつ、第１のMIS素子（Qｗ11）のソース及びドレインのいずれか一方の領域をゲートとした第２のMIS素子（QＲ11）と、第２のMIS素子（QＲ11）のゲート部分に寄生する容量（Cｓ11）とで構成しているので、複雑な素子構造をなくした半導体ランダムアクセスメモリ装置を達成できる。例文帳に追加

This memory cell is composed of two MIS elements forming specific circuit in the memory cell circuit and a capacitor in which the first MIS element (QW11) and the second MIS element (QR11) formed above the former, further the either the source or drain of the first MIS element (QW11) is made function as the gate to the second MIS element (QR11) carrying a capacitor (CS11) thereby achieving a semiconductor random access memory device which is simplified.  - 特許庁

データを利用するストレージサービスユーザ（ＳＳＵ）と、ストレージサービスを提供するストレージサービスプロバイダ（ＳＳＰ）間でデータ転送を行うストレージサービスシステムのストレージサービス方法であって、ＳＳＵのデータ蓄積部（ＤＡＳ）の空き容量が指定された値を下回らないように、ＳＳＰとＳＳＵ間でデータのアップロードとダウンロードを自動的に行うことにより、ＳＳＵに対して常にデータ空き領域を提供するように構成する。例文帳に追加

In this storage service method of the storage service system to perform data transfer between the SSU to use data and the SSP to provide storage service, it is constituted so that the data free area is always provided to the SSU by automatically performing upload and download of the data between the SSP and the SSU so that no free capacity of a data storage part (DAS) of the SSU becomes less than a specified value. - 特許庁

第１のMIS素子（Qｗ11）と、第１のMIS素子（Qｗ11）のソース及びドレインのいずれか一方の領域をゲートとして用いて前記第１のMIS素子（Qｗ11）の上に積み重ね形成された第２のMIS素子（QR11）と、この第２のMIS素子（QR11）のゲート入力容量である情報蓄積用のキャパシタ（Cｓ11）とを有したメモリセル（C11）をマトリックス状に配列したメモリアレイにおいて前記第１のMIS素子（Qｗ11）のドレインを第２のMIS素子（QＲ11）のドレインと電気的に結合して、……、データ線（D1）をメモリアレイの各メモリセル間にセンス線（S1）及びワード線（W1）に直交するように配線することを特徴とする半導体ランダムアクセスメモリ装置。例文帳に追加

A semiconductor random access memory device with the characteristics of having the matrix of memory cells (C11) that includes the first MIS element (QW11), the drain (3) or the source (4) of the first MIS element (QW11) and the second MIS element (QR11) formed above the first MIS element (QW11), gate input capacity information storage capacitor (CS11) for the second MIS element (QW11). In the matrix of the memory array, the drain of the said first MIS element (QW11) electrically connected to the drain of the second MIS element (QW11), … connecting so that the data line (D1) orthogonally to sense (S1) and word (W1) lines of the each memory cell of the array.  - 特許庁