「"蓄積容量"」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

その後、蓄積容量１８を形成する。例文帳に追加

Subsequently a storage capacitor 18 is formed. - 特許庁

半導体装置の蓄積容量部及びその形成方法例文帳に追加

STORAGE CAPACITY OF SEMICONDUCTOR DEVICE AND FORMING METHOD THEREOF - 特許庁

開示のフレーム送信装置は、蓄積容量値を記憶する。例文帳に追加

The frame transmitting apparatus stores an accumulated capacity value. - 特許庁

蓄積容量４ＣＳは、主に蓄積容量電極ＣＳ２とシリコン層４ＳＩから構成される電極との間で絶縁膜を介して形成される。例文帳に追加

A storage capacitance 4CS is formed mainly between the storage capacitance electrode CS2 and an electrode formed from a silicon layer 4SI through an insulator film. - 特許庁

透過域は、第１電荷蓄積容量を有する透過電極を有し、反射域は、第２電荷蓄積容量を有する反射電極を有する。例文帳に追加

The transmission region comprises a transmission electrode having a first charge storage capacitance and the reflection region comprises a reflection electrode having a second charge storage capacitance. - 特許庁

複数の蓄積容量素子２３、２４と、それぞれ複数の蓄積容量素子に接続された複数の画素電極２１と、を備えている。例文帳に追加

The display device is equipped with a plurality of storage capacitor elements 23, 24 and a plurality of pixel electrodes 21 respectively connected to the plurality of storage capacitor elements. - 特許庁

試験電圧を印加された蓄積容量のうち、破壊された蓄積容量の割合の経時変化からワイブルプロットを作成する（工程Ｓ４）。例文帳に追加

A Weibull plot is formed from a change with time of the ratio of the broken accumulation capacities among the accumulation capacities to which the test voltage is applied (process S4). - 特許庁

蓄積容量はトランジスタ構造となっており、その蓄積容量用ＴＦＴ１４がｐチャネルトランジスタで構成されている。例文帳に追加

The storage capacitance has a transistor structure, and a TFT 14 for the storage capacitance is formed of a p-channel transistor. - 特許庁

蓄積容量の充放電を定電流で行うと、充放電する時間によって蓄積容量の電荷量を制御することができる。例文帳に追加

When charge/discharge of accumulated capacity is performed with constant current, electric charge quantity of the accumulated capacity can be controlled according to a time of performing the charge/discharge. - 特許庁

半導体記憶装置においてキャパシタの蓄積容量の増加を図る。例文帳に追加

To increase the storage capacity of a capacitor in a semiconductor memory device. - 特許庁

全フォトダイオードのカソード側を１つの蓄積容量Ｃｐに接続する。例文帳に追加

Cathode sides of all photodiodes are connected to one storage capacitor Cp. - 特許庁

蓄積容量は第二制御端と第三電極間に接続される。例文帳に追加

A capacitor is coupled between the second control terminal and the third electrode. - 特許庁

補正部１５０ｂは、画素部７２の蓄積容量（保持容量）Ｃｓと光センサー部１５０ａの蓄積容量Ｃｋとを一定期間接続して、蓄積容量Ｃｓの電荷に応じて蓄積容量Ｃｋを充電することで、光センサー部１５０ａの検出値を補正する。例文帳に追加

By connecting the storage capacitor (holding capacitor) Cs of the pixel part 72 and the storage capacitor Ck of the optical sensor part 150a for a fixed period and charging the storage capacitor Ck corresponding to the charges of the storage capacitor Cs, the correction part 150b corrects the detected value of the optical sensor parts 150a. - 特許庁

各色電荷蓄積容量の大きさは、Ｇ表示部電荷蓄積容量１７ｇの大きさＣｇが最も大きく、Ｒ表示部電荷蓄積容量１７ｒの大きさＣｒが次に大きく、Ｂ表示部電荷蓄積容量１７ｂの大きさＣｂが最も小さくなるような関係とする。例文帳に追加

A magnitude Cg of the G display part storage capacitance 17g is largest, and a magnitude Cr of the R display part storage capacitance 17r is next largest, and a magnitude Cb of the B display part storage capacitance 17b is smallest. - 特許庁

同一の走査線５に設けられた各画素の蓄積容量２を一定の複数個（Ｍ）毎に当該走査線に対応する蓄積容量線１２と当該走査線に隣接する別の蓄積容量線に交互に接続し、補償電圧の極性を蓄積容量線毎に反転させる。例文帳に追加

Storage capacitances 2 of respective pixels provided at the same scanning line 5 are alternately connected to a storage capacitance line 12 corresponding to the scanning line and an another storage capacitance line adjacent to the scanning line every fixed plural pieces of storage capacitances and polarities of compensation voltage are reversed every storage capacitance line. - 特許庁

各画素部８に画素電荷蓄積容量可変回路１５を設け、各データ信号線５＿ｎにデータ信号線電荷蓄積容量可変回路１８を設けて、フレーム周波数に応じて、画素電荷蓄積容量とデータ信号線電荷蓄積容量とを可変する。例文帳に追加

Each pixel part 8 is provided with a pixel charge storage capacity varying circuit 15, and each data signal line 5_n is provided with a data signal line charge storage capacity varying circuit 18, and pixel charge storage capacities and data signal line charge storage capacities are varied in accordance with a frame frequency. - 特許庁

画素１１０は、ＴＦＴと画素容量と蓄積容量とを有する。例文帳に追加

A pixel 110 includes a TFT, a pixel capacitor and a storage capacitor. - 特許庁

蓄積容量を小さくしたい場合は、蓄積容量Ｃ１をデプレッション（空乏）状態で使用することにより、蓄積容量を小さくすることも可能となる。例文帳に追加

The accumulation capacity can be reduced by using the accumulation capacitor C1 in the depletion state to reduce the accumulation capacity. - 特許庁

蓄積容量部１２の第１の蓄積容量部１３および第２の蓄積容量部１４と画素電極８との間でショートして画素電極８が輝点となる。例文帳に追加

A first storage capacitance part 13 and second storage capacitance part 14 in a storage capacitance part 12 are short-circuited with a pixel electrode 8, so that the pixel electrode 8 becomes a bright spot. - 特許庁

画素の開口率を犠牲にせず電荷蓄積容量を増加させる、または、画素の開口率を高めながら電荷蓄積容量も維持することができるＬＴＰＳ ＴＦＴ−ＬＣＤ用の積層蓄積容量構造を提供する。例文帳に追加

To provide a laminated storage capacity structure for LTPS TFT-LCD capable of increasing charge storage capacity without sacrificing the numerical aperture of pixels or maintaining the charge storage capacitor while increasing the numerical aperture of the pixels. - 特許庁

本発明のＬＴＰＳ ＴＦＴ−ＬＣＤに用いられる積層蓄積容量構造は、処理済み基板、第１の蓄積容量および第２の蓄積容量を備える。例文帳に追加

The laminated storage capacitor structure of the present invention used for LTPS TFT-LCD is equipped with a substrate having been processed, and a first storage capacitor and a second storage capacitor. - 特許庁

水平転送ＣＣＤ１４において、有効画素部１４ｂの電荷蓄積容量は、水平転送ＣＣＤ最終段（ＨＬ）の電荷蓄積容量、及び水平ＯＢ部１４ｃの電荷蓄積容量のそれぞれよりも小さい。例文帳に追加

In the horizontal transfer CCD 14, the charge storage capacity of an effective pixel unit 14b is set smaller than those of a horizontal transfer CCD final stage (HL) and a horizontal OB unit 14c. - 特許庁

この読み出し回路は，フレーム期間において，第１のサンプルホールドトランジスタで電荷を当該蓄積容量に蓄積し，次いで，蓄積容量をリセットした後，第２のサンプルホールドトランジスタでも電荷を当該蓄積容量に蓄積する。例文帳に追加

The read circuit accumulates electric charges in the storage capacitance by the first sample holding transistor and then accumulates electric charges in the storage capacitance by the second sample holding transistor as well after resetting the storage capacitance. - 特許庁

蓄積容量を大きくしたい場合は、蓄積容量Ｃ１をアキュミュレイション（蓄積）状態で使用することにより、Ｘ線撮像装置のセンサー素子によって発生した信号電荷を蓄積する蓄積容量を大きくすることが可能となる。例文帳に追加

In the case of a large accumulation capacity, the accumulation capacitor C1 is used in the accumulation state to increase accumulation capacity for accumulating signal charges being generated by the sensor element in the X-ray image pickup apparatus. - 特許庁

絶縁膜を介した第１容量用電極及び第２容量用電極により蓄積容量が形成される電気光学装置において、蓄積容量を増大させる容量用電極の形成方法及び蓄積容量が増大する構造を提供することを課題とする。例文帳に追加

To provide a method for forming electrodes for capacitors which increases storage capacitors and a structure to increase the storage capacitors of an electro-optic device which is formed with the storage capacitors by electrodes for first capacitors and electrodes for second capacitors via insulating films. - 特許庁

半導体層の一部及び容量線から第１蓄積容量（７０ａ）、容量線及び第１バリア層の一部から第２蓄積容量（７０ｂ）、半導体層の一部及び第１遮光膜の一部から第３蓄積容量（７０ｃ）が夫々構築されている。例文帳に追加

1st storage capacitance 70a is formed of a part of a semiconductor layer and the capacitance lines, 2nd storage capacitance 70b is formed of the capacitance lines and a part of a 1st barrier layer, and 3rd storage capacitance 70c is formed of a part of the semiconductor layer and the 1st shielding film, respectively. - 特許庁

各蓄積容量線ＣＡは、制御配線ＣＢに接続されていることで、走査線駆動回路１２が蓄積容量線の電位を変化させるタイミングが如何になっていようとも、制御配線ＣＢから各蓄積容量線ＣＡの電位を任意のタイミングで変化させることができる。例文帳に追加

Each storage capacity line CA is connected to control wiring CB, so that a potential of each storage capacity line CA can be changed from the control wiring CB at an arbitrary timing whenever a scan line driving circuit 12 changes the potential of the storage capacity line. - 特許庁

切欠部１０は、平面視で蓄積容量バスライン３を完全に横切るようにして形成されており、蓄積容量電極６の切欠部１０の先端に位置する部分である連結部１１は、蓄積容量バスライン３及び画素電極５のいずれとも重なり合っていない。例文帳に追加

The notched parts 10 are formed so as to completely traverse a storage capacitance bus line 3 in the plan view and connection parts 11 to be parts positioned in tip parts of the notched parts 10 of the storage capacitance electrode 6 are superposed on neither the storage capacitance bus line 3 nor the pixel electrode 5. - 特許庁

半導体層-蓄積容量線間で蓄積容量を形成した液晶表示装置では、半導体層が蓄積容量で覆われていない領域を通過するバックライト光によって、コントラストの低下や色変化が生じる。例文帳に追加

To solve the problem that deterioration in contrast and change in color occurs due to the back-light passing through the areas where the semiconductor layer is not covered with storage capacitance in a liquid crystal display device in where the storage capacitance is formed between a semiconductor layer and a storage capacitance line. - 特許庁

蓄積容量電極を薄膜トランジスタと異なる層に形成するため、蓄積容量電極とトランジスタの短絡による点欠陥を抑制し、また、蓄積容量電極のパターニング時の面積変動によるオフセット電圧の変動を小さくして表示むらを抑制することができる。例文帳に追加

Thus, since the accumulated capacitance electrode is formed on the layer different from that of the thin film transistor, the spot defect due to the short circuit between the accumulated capacitance electrode and the transistor is suppressed and, also, the display unevenness is suppressed by making smaller the fluctuation of an offset voltage by the fluctuation of an area when patterning the accumulated capacitance electrode. - 特許庁

各蓄積容量Ｃｔｄ，Ｃｔｓの信号電極は互いに電気的に独立する。例文帳に追加

The signal electrodes of the respective storage capacitances Ctd, Cts are independent mutually and electrically. - 特許庁

画素１１０は、画素容量と、容量線１３２に接続された蓄積容量とを含む。例文帳に追加

A pixel 110 includes pixel capacitance, and a storage capacity connected to a capacitance line 132. - 特許庁

蓄積容量から蓄積部の残容量を算出し、所定の設定閾値と比較する（Ｓ２２）。例文帳に追加

The residual capacity of the storage part is calculated from the storage capacity and compared with a prescribed threshold value (S22). - 特許庁

基板上にデータ線、走査線、薄膜トランジスタ、蓄積容量、及び画素電極を設ける。例文帳に追加

Data lines, scanning lines, thin film transistors, storage capacitors and the pixel electrodes are arranged on a substrate. - 特許庁

そして、開示のフレーム送信装置は、蓄積容量値を用いてフレームの送信を制御する。例文帳に追加

Then, the frame transmitting apparatus controls the transmission of the frame using the accumulated capacity value. - 特許庁

上記試験電圧の印加によって破壊された蓄積容量を画素毎に検出する（工程Ｓ２）。例文帳に追加

Each accumulation capacity broken by application of the test voltage is detected in each pixel (process S2). - 特許庁

４Ｍの蓄積容量を有する高密度ダイナミックランダムアクセスメモリ（ＤＲＡＭ）回路を提供する。例文帳に追加

To provide a high-density dynamic random access memory (DRAM) circuit having a 4M storage capacity. - 特許庁

蓄積容量電極（３ｂ）と遮光膜とは、コンタクトホール（１３）を介して電気接続される。例文帳に追加

The storage capacitor electrode (3b) and the light shielding film are electrically connected through a contact hole (13). - 特許庁

電気光学装置の製造時における、蓄積容量を構成する誘電体膜の汚染を防止する。例文帳に追加

To prevent contamination of a dielectric film constituting a storage capacitance upon manufacturing an electrooptical device. - 特許庁

このようにして、既に蓄積容量に充電されている電荷を有効利用することができる。例文帳に追加

Thus, the electric charge already charged in the accumulated capacity can be effectively utilized. - 特許庁

バッファ１１は、所定の蓄積容量を有し、外部装置から受信したデータを蓄積する。例文帳に追加

A buffer 11 has a predetermined storage capacity, and accumulates data received from an external device. - 特許庁

それと共に、全画素の受光部で生成された信号電荷を電荷蓄積容量部に読み出す。例文帳に追加

At the same time, signal charges generated in a photosensitive part of all the pixels are read to a charge storage capacity part. - 特許庁

各垂直信号線１４に対応して、３個ずつの蓄積容量Ｃ１〜Ｃ３が設けられる。例文帳に追加

Every three storage capacitors C1-C3 are provided according to the respective vertical signal lines 14. - 特許庁

歩留まりよく簡便に形成可能な構造を持つ、蓄積容量の高い半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device with high storage capacity, having a structure that can be readily formed at a high yield. - 特許庁

このような措置では、蓄積容量バスライン３と短絡部とが導通することはない。例文帳に追加

In this measure, there is no electric continuity between the storage capacitance bus line 3 and the shortcircuit part. - 特許庁