| 意味 | 例文 (8件) |
酸化タリウムの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 8件
本発明の電子機器用構成基板は、配線層として銅を用い、透明導電層としてインジウム酸化物と亜鉛、錫、ガリウム、タリウム、マグネシウムおよび鉛からなる群より選択された一種または複数種の金属の酸化物とを主成分とする複合酸化物を用いたことを特徴とする。例文帳に追加
Copper is used as a wiring layer in this constituent substrate 2 for electronic devices, and the substrate 2 is characterized by having an indium oxide as a transparent conductive layer 11 and a composite oxide which is mainly composed of one or a plurality kinds of materials selected from zinc, tin, gallium, tallium, magnesium and lead. - 特許庁
上記触媒を構成するチタン含有酸化物は、アルカリ金属、アルカリ土類金属、ランタノイド、および、タリウムからなる群より選ばれる少なくとも一種の元素をさらに含んでいてもよい。例文帳に追加
The titanium-containing oxide may also contain at least one kind selected from the group consisting of alkali metals, alkaline earth metals, lanthanoid and thallium. - 特許庁
発光物質としては、ランタノイドに属するガドリニウム（Ｇｄ）、テルビウム（Ｔｂ）、ユウロピウム（Ｅｕ）、ネオジム（Ｎｄ）、ジスプロシウム（Ｄｙ）から選択された元素の酸化物、並びに、３Ｂ，４Ｂ，５Ｂ族に属するタリウム（Ｔｌ）、スズ（Ｓｎ）、鉛（Ｐｂ）、ビスマス（Ｂｉ）から選択された元素の酸化物が挙げられる。例文帳に追加
As a light-emitting substance, an oxide of an element selected from gadolinium (Gd), terbium (Tb), europium (Eu), neodymium (Nd), and dysprosium (Dy) belonging to lanthanoid, and an oxide of an element selected from thallium (Tl), Tin (Sn), lead (Pb), and bismuth (Bi) belonging to 3B, 4B, 5B groups are suggested. - 特許庁
マグネシウム１モルに対して、アルミニウム、ケイ素、亜鉛、ガリウム、ゲルマニウム、ヒ素、カドミウム、インジウム、スズ、アンチモン、水銀、タリウム、鉛及びビスマスからなる群より選ばれる元素を０．０００１〜０．１５モルの範囲にて含む、平均結晶子径が１〜１８ｎｍの範囲にある酸化マグネシウム結晶相が酸化マグネシウム非晶質相に分散されてなる酸化マグネシウム薄膜。例文帳に追加
The magnesium oxide thin film has magnesium crystal phases with an average crystallite diameter of 1 to 18 nm and containing elements selected from among a group comprising aluminum, silicon, zinc, gallium, germanium, arsenic, cadmium, indium, tin, antimony, mercury, thallium, lead and bismuth, in a range of 0.0001 to 0.15 mol, dispersed in a magnesium oxide amorphous phase. - 特許庁
外囲器が酸化物系透光性セラミック材料からなる発光管3を備え、発光管3内には、発光物質17としてセリウムハロゲン化物と、ナトリウムハロゲン化物と、タリウムハロゲン化物およびインジウムハロゲン化物が組み合されて封入されている。例文帳に追加
An envelope is provided with an arc tube 3 formed of oxide- based translucent ceramic material, and a cerium halide, a sodium halide, a thallium halide and an indium halide are combined and filled as a luminescent material 17 in the arc tube 3. - 特許庁
酸化物超伝導体材料を銀系の材料でシースしたTl系超伝導銀系シース線材を製造する工程において、酸化物材料を部分溶融した状態から徐冷することより、銀系シースに沿って結晶成長を促進させた結晶配向性の高い組織を持ったタリウム系超伝導銀系シース線材。例文帳に追加
In a process of manufacturing a Tl based superconducting silver based sheath wire formed by sheathing an oxide superconducting material with a silver based material, by slowly cooling the oxide material from a partially melted state, crystal growth is accelerated along the silver based sheath, and the Tl based superconducting silver based sheath wire having high crystal orientation structure is manufactured. - 特許庁
保護層４３は、チタン、ジルコニウム、バナジウム、ニオブ、タンタル、モリブデン、タングステン、タリウム、スズ、鉛、ビスマス、ランタン、セリウム、プラセオジム、ネオジム、サマリウム、ユウロピウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビウム、ツリウム、イッテルビウム、ルテチウムから選択される元素の酸化物が、保護層の母材となる金属酸化物に溶け込んだ粉末粒子を、塗布，焼成して形成した。例文帳に追加
The protective layer 43 is formed by coating and calcining powder particles in which an oxide of an element chosen from titanium, zirconium, vanadium, niobium, tantalum, molybdenum, tungsten, thallium, tin, lead, bismuth, lanthanum, cerium, praseodymium, neodymium, samarium, europium, gadolinium, terbium, dysprosium, holmium, erbium, thulium, ytterbium, and lutetium is dissolved in a metal oxide to become the matrix of the protective layer. - 特許庁
一般式Ｒ_ｘＴｌ_ｙＯ_α（但し、ＲはＴｌ（I）及びＴｌ（III）以外の１種類又は２種類以上の元素を示し、Ｔｌは３価である。）で示されるタリウム酸化物を含む酸化用触媒存在下、炭素含有物質又は有機成分を熱処理することによって炭素含有物質又は有機成分を完全燃焼させる。例文帳に追加
A carbon-containing substance or an organic component is completely combusted by subjecting the same to a heat treatment in the presence of an oxidation catalyst comprising a thallium oxide represented by formula R_xTl_yO_α (wherein R represents one or two or more kinds of element(s) other than Tl(I) and Tl(III), provided that Tl is trivalent). - 特許庁
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