「1元配置法」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

培養すべき付着性の細胞Ａを、培養容器１内に投入して所定の培地２内においてコロニー４を形成するまで培養した後に、形成されたコロニー４上に３次元的な足場を形成する足場材６を配置してさらに培養を継続する付着性細胞Ａの培養方法を提供する。例文帳に追加

The method for culturing adhesive cells A comprises charging the adhesive cells A to be cultured into a culturing container 1 until colonies 4 are formed in a prescribed culture medium 2, arranging scaffold materials 6 forming three-dimensional scaffolds on the formed colonies 4 and further continuing culture. - 特許庁

半導体発光素子の製造方法は、加熱手段の上に配置されたトレイ１の、前記加熱手段とは反対側の表面上にある基板搭載部３に搭載された基板４上に、ＩＩＩ族元素とＶ族元素とからなる化合物半導体の積層構造を有機金属気相成長法により成長する工程を含む。例文帳に追加

A method for manufacturing a semiconductor light-emitting element includes a step for forming by organic vapor phase epitaxy a laminated structure of a compound semiconductor composed of a group III element and a group V element on a substrate 4 mounted on a substrate mounting part 3 provided on a surface of a tray 1 disposed above heating means, the surface being opposed to a surface facing the heating means. - 特許庁

第六百三十八条の三　法第三十条第一項第五号に規定する特定元方事業者は、同号の計画の作成については、工程表等の当該仕事の工程に関する計画並びに当該作業場所における主要な機械、設備及び作業用の仮設の建設物の配置に関する計画を作成しなければならない。例文帳に追加

Article 638-3 The specified principal employer prescribed by item (v) of paragraph (1) of Article 30 of the Act shall, as regards the formulation of plans set forth in the same item, prepare plans concerning the process of the said work including a process chart, etc., and plans concerning the main machinery, equipment and the arrangement of makeshift work buildings at the said work place.  - 日本法令外国語訳データベースシステム

石英ガラスからなる放電容器（１）に陽極（１５）と陰極（１４）が極間距離３．０mm以下で対向配置しており、この放電容器（１）に０．１５ｍｇ／ｍｍ^3以上の水銀を封入した構造であって、陽極（１５）の根元を支点とするモーメントをＭ（ｇｆ・ｍｍ）、陽極（１５）の前記支点における断面積をＳ（ｍｍ^2）とするとき、陽極（１５）の寸法が、Ｍ／Ｓ≦９．０（ｇｆ・ｍｍ）であることを特徴とする。例文帳に追加

An anode (15) and a cathode (14) are disposed at a distance between electrodes below 3.0 mm in a discharge vessel 1 made of quartz glass, in which more than 0.15 mg/mm3 of mercury is enclosed. - 特許庁

三次元修整歯面プロファイルを備える平歯車及びはすば歯車に対して異なって修整されたねじ山プロファイルを備える少なくとも２つの研削幅帯域（４，６）を備えた研削ウォーム（１）をプロファイリングする方法において、研削幅帯域（４、６）は研削ウォーム幅（３）を最適に利用するために重ね合わせて配置される。例文帳に追加

In the process for profiling a grinding worm (1) including at least two grinding width zones (4, 6) with differently modified thread profiles with respect to spur and helical gears having three-dimensionally modified flank profiles, the grinding width zones (4, 6) are arranged overlapping in order to optimally utilize a grinding worm width (3). - 特許庁