Ag-R.の部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 8件
SAP, R/3, and mySAP are trademarks or registered trademarks of SAP AG in Germany and in several other countries all over the world. 例文帳に追加
SAP, R/3 および mySAP は ドイツおよび世界中のいくつもの国における SAP AGの登録商標です。 - FreeBSD
A single display pixel AG is constituted of four sub-pixels SG of R, G, and B, and W (non-colored).例文帳に追加
一つの表示画素ＡＧは、ＲＧＢ及びＷ（非着色）の４つのサブ画素ＳＧから構成される。 - 特許庁
MPF_6+uHF→PF_5+MF r(HF) (Scheme 1) in the scheme, M is at least any one of Li, Na, K, Rb, Cs, NH_4, and Ag; 0≤r≤u; and the HF is used in an amount not smaller than the stoichiometric amount.例文帳に追加
ＭＰＦ_６＋ｕ ＨＦ→ＰＦ_５＋ＭＦ・ｒ（ＨＦ） （式１）但し、ＭはＬｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｒｂ，Ｃｓ，ＮＨ_４，Ａｇの何れか一種以上 ０≦ｒ≦ｕ 式中ＨＦは化学量論以上使用 - 特許庁
Thus, the articulated driving mechanism R is used for normal motion until the joint angle of the first frame 1 reaches the turning angle of -90°, and when the joint angle of the first frame 1 is turned in the negative rotating direction from the turning angle -90°, it enters a gripper mode to fulfill the function of the gripper AG.例文帳に追加
従って、第１フレーム１の関節角度が回転角度−９０°になるまでは、多関節駆動機構Ｒが通常運動に使用され、また第１フレーム１の関節角度が回転角度−９０°よりも負回転方向になると、グリッパモードとなって、グリッパＡＧの機能が果たされる。 - 特許庁
The liquid crystal display is provided with segment electrodes 10 having laminated structure consisting of an APC(Ag-Pd-Cu) film 18 and an ITO(indium tin oxide) film 19 on a lower substrate 2 and a common electrode 11 consisting of a color filter 13 with respective aligned pigment layers of R, G, B and an ITO film on an upper substrate 3.例文帳に追加
本発明の液晶表示装置は、下基板２上にＡＰＣ膜１８とＩＴＯ膜１９との積層構造を有するセグメント電極１０が設けられるとともに、上基板３上にはＲ、Ｇ、Ｂの各色素層が配列されたカラーフィルター１３とＩＴＯ膜からなるコモン電極１１とが設けられている。 - 特許庁
Or, the silicon material is produced by forming amorphous silicon by ion beam sputtering at ≤450°C on a compd. clathrate crystal expressed by BaxRySi46-y (wherein x is 1 to 8, y is 1 to 6, and R is Ag or Au) and heating the amorphous silicon in vacuum or inert atmosphere at a temp. over 450°C and ≤1300°C to epitaxially grow.例文帳に追加
(3)Ｂａ_xＲ_yＳｉ_46-y（ここで、ｘ＝1〜8、ｙ＝1〜6、ＲはＡｇまたはＡｕ）の化合物クラスレート結晶の上に、450℃以下の温度にてイオンビームスパッタリング法でアモルファスシリコンを成膜した後、真空または不活性雰囲気中にて、450℃超1300℃以下の温度に加熱してエピタキシャル成長させる上記(2)のシリコン材料の製造方法。 - 特許庁
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